Силовий напівпровідниковий модуль

Номер патенту: 62975

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Фрей Тоні, Бухер Бенно, Ланг Томас

МПК: H01L 25/07

Мітки: силовий, напівпровідниковий, модуль

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, що містить нижню плату, верхню плату і щонайменше один напівпровідниковий кристал, який першим головним електродом сполучений з нижньою платою, а другим головним електродом через підпружинений електричний контактний елемент - з верхньою платою, який відрізняється тим, що передбачено щонайменше один пружинний елемент, який виконано з можливістю розсовувати щонайменше один контактний елемент у положення, що...

Номер патенту: 73088

Опубліковано: 15.06.2005

Автор: Шульга Григорій Федорович

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Модуль силовий напівпровідниковий, що містить послідовно з'єднані напівпровідниковий вентиль і охолоджувач з масивною основою, установочно-контактною площадкою і ребристою поверхнею, яка розташована перпендикулярно до установочно-контактної площадки, два силові струмопроводи та систему притискання вентиля до охолоджувача, який відрізняється тим, що кожен охолоджувач розміщений у окремому повітропроводі, вхідний торець якого знаходиться з...

Номер патенту: 57774

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Ланг Томас, Целлєр Ханс-Рудольф

МПК: H01L 25/07

Мітки: силовий, модуль, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1.  Силовий напівпровідниковий модуль, який містить у корпусі (1) підкладку (2), принаймні дві напівпровідникові мікросхеми (4) з двома основними електродами (5, 6) кожна, по одному контактному поршню (3) для кожної напівпровідникової мікросхеми, причому перші основні електроди (5) знаходяться в електричному контакті з підкладкою (2), а відповідно другі основні електроди (6)  знаходяться в електричному контакті з  контактним поршнем (3), між...

Номер патенту: 1679

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Тоцький Олександр Федорович, Полухін Олексій Степанович, Копаєва Ольга Вікторівна, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 25/00

Мітки: напівпровідниковий, модуль, силовий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить рамковий пластмасовий корпус переважно прямокутної форми з зовнішніми отворами для кріплення і профільним заглибленням по внутрішньому периметру нижнього торця, до опорної площини якого приклеєна і прилягає металізована з двох боків керамічна пластина з периферійною неметалізованою областю по її периметру, на верхньому боці якої змонтовані схемні компоненти, і яка залита всередині корпусу...

Номер патенту: 67923

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Чмихов Микола Віссаріонович, Сорока Володимир Леонідович, Васильєв Борис Олександрович

МПК: H01L 25/00

Мітки: напівпровідниковий, модуль, силовий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить пластини, що відводять тепло, з розташованими на них напівпровідниковими елементами зі штирьовими виводами, із припаяними до цих штирьових виводів пелюстками, що відводять струм, шини, втулки і стяжки, який відрізняється тим, що пелюстки, які відводять струм, виконані у вигляді n променевої зірочки з одним центральним отвором під кріплення, що відводить струм, і n отворами на кінцях n...