H01L 29/732 — вертикальні транзистори

Номер патенту: 75798

Опубліковано: 15.05.2006

Автор: ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: H01L 29/732, G01L 9/00, G01L 9/04 ...

Мітки: структура, тензочутлива, кремнієва

Формула / Реферат:

1. Кремнієва тензочутлива структура, що має концентратор великої площі, який виконаний з можливістю сприйняття тиску та передачі зусилля на чутливий елемент малої площі; при цьому чутливість до тиску визначається співвідношенням площ концентратора та чутливого елемента, виконаного у вигляді мезаструктури, яка відрізняється тим, що як чутливий тензоелемент використаний вертикальний транзистор з електростатичним керуванням та приповерхневим...