Кремнієва тензочутлива структура
Формула / Реферат
1. Кремнієва тензочутлива структура, що має концентратор великої площі, який виконаний з можливістю сприйняття тиску та передачі зусилля на чутливий елемент малої площі; при цьому чутливість до тиску визначається співвідношенням площ концентратора та чутливого елемента, виконаного у вигляді мезаструктури, яка відрізняється тим, що як чутливий тензоелемент використаний вертикальний транзистор з електростатичним керуванням та приповерхневим затвором з можливістю забезпечення польового чи біполярного режиму роботи.
2. Кремнієва тензочутлива структура за пп. 1, 2, яка відрізняється тим, що область мезаструктури (чутливих елементів) збільшена шляхом мультиплікації в пропорційну необхідному збільшенню вихідного струму кількість разів.
Текст
1. Кремнієва тензочутлива структура, що має концентратор великої площі, який виконаний з можливістю сприйняття тиску та передачі зусилля 3 75798 4 режимі (область 0 просторового заряду (ОПЗ) не вому - у прототипі). перекрита, зворотне зміщення затвора), або у біНарешті, при потребі збільшення навантажуполярному (ОПЗ перекривається, пряме змівальної здатності інтегрального перетворювача, щення). площу витоку вертикального транзистора можна Принцип дії запропонованого перетворювача збільшити мультиплікацією топології його припослідуючий. При дії на кремнієву пластину пневмаверхневих областей затвора і витоку та збільшентичного, гідравлічного чи звукового тисків (в заленям периметра діоксидної рамки. жності від її товщини) відбувається передача зуДжерела, що використані при виборі аналогів силля через меза структуру витоку в активну та прототипу: область транзистора з коефіцієнтом, рівним від1. US Patent №3 686 542, H01L11/00,15/00 (22 ношенню площі, обмеженої рамкою діоксиду 4 September 1972). (квадратні міліметри) та площі меза структури 2. N.P.Krivorotov, Yu.G.Svinolupov, T.I.Izaak, (квадратні мікрометри), що в результаті модулює V.V.Bychkov, Diaphragmiess pressure sensor, параметри роботи транзистора. Отримуємо вольSensor and Actuators, A 2004. товий вихідний сигнал (на противагу мілівольто Комп’ютерна верстка Т. Чепелева Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSilicon strain-sensing structure
Назва патенту російськоюКремниевая тензочувствительная структура
МПК / Мітки
МПК: H01L 29/732, G01L 9/04, G01L 9/00
Мітки: тензочутлива, структура, кремнієва
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-75798-kremniehva-tenzochutliva-struktura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Кремнієва тензочутлива структура</a>
Немонокристалічна кремнієва речовина
Номер патенту: 66351
Опубліковано: 17.05.2004
Автори: Йанг Чі-Чунг, Гуха Субхенду, Джоунс Скотт, Овшинські Стенфорд Р., Денг Ксунмінг
МПК: H01L 31/0264, H01L 31/036, H01L 31/04
Мітки: немонокристалічна, кремнієва, речовина
Формула / Реферат:
1. Немонокристалічна кремнієва речовина, яка відрізняється тим, що містить області речовини з проміжним порядком з розмірами кристалів від 10А до 50А, які складають щонайменше 8 об'ємних відсотків, але не містить більшого або рівного об'ємного відсотка, що призводить до утворення перколяційного каналу усередині речовини, причому решта речовини є речовиною або аморфною, або сумішшю аморфної і мікрокристалічної речовин.2....
Електронний конструктивний елемент і захисна структура, що міститься в ньому
Номер патенту: 72234
Опубліковано: 15.02.2005
Автори: Хаммер Клаус, Шайтер Томас, Вітте Маркус, Петерс Крістіан, Ростекк Томас, Мельцль Міхаель, Гайманн Андреас, Фон Бассе Пауль-Вернер, Фішбах Райнхар, Гроссманн Райнер, Ополка Хайнц, Сіпрак Домагой, Бірнер Юстін, Зассе Торстен, Гьолльнер Райнхард
МПК: H01L 27/04, H01L 23/58, H01L 21/70, H01L 27/06
Мітки: міститься, ньому, структура, конструктивний, електронний, захисна, елемент
Формула / Реферат:
1. Електронний конструктивний елемент, що містить основу (10), на яку нанесений діелектричний шар (2), виконані на діелектричному шарі електропровідні площадки (4; 14) і електропровідну захисну структуру (6), виконану у рівні над електропровідними площадками (4) таким чином, що електропровідні площадки (4; 14) не повністю покриті захисною структурою (6) і захисна структура (6) розміщена вздовж проміжних зон (Z) між електропровідними...
Спосіб силілування надтонкодисперсних неорганічних оксидів і високонеполярна пірогенна кремнієва кислота, одержана цим способом
Номер патенту: 43328
Опубліковано: 17.12.2001
Автори: Герман Франц, Альтенбюхнер Август, Бартел Герберт, Хайнеман Маріо
МПК: C09C 3/12, C09K 3/32, C01B 13/14, B01D 19/02, C11D 3/12, C01B 33/18, C09C 1/28, C09D 7/00
Мітки: способом, оксидів, одержана, надтонкодисперсних, високонеполярна, кремнієва, спосіб, кислота, силілування, неорганічних, пірогенна, цим
Формула / Реферат:
1. Способ силилирования сверхтонкодисперсных неорганических оксидов, включающий обработку их по меньшей мере одним труднолетучим при температуре процесса кремнийорганическим соединением, подводимым в жидком виде в форме аэрозоля, отличающийся тем, что кремнийорганическое соединение подводят в виде сверхтонкораспыленного аэрозоля с величиной капли менее 500 мкм.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что капля кремнийорганического...
Тестова структура
Номер патенту: 42481
Опубліковано: 15.10.2001
Автори: Біксей Михайло Петрович, Добровольський Юрій Георгійович
МПК: H01L 21/66
Формула / Реферат:
Тестова структура, яка містить напівпровідникову підкладку та розташовану на її поверхні ізолюючу маску з відкритими в ній отворами, які закриваються ділянками металічних шин, які контактують через отвори з підкладкою і утворюють два резистивні ланцюжки, отвори в одному з яких мають форму прямокутників, а в другому - форму кругів, діаметр кожного з яких дорівнює меншій з сторін прямокутного отвору, яка відрізняється тим, що перший резистивний...
Тестова структура для контролю технологічних параметрів інтегральних схем
Номер патенту: 4059
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович, Чекмезов Олександр Миколайович, Остапчук Анатолій Іванович, Молчанов Костянтин Вікторович
МПК: H01L 21/66
Мітки: схем, тестова, параметрів, контролю, структура, технологічних, інтегральних
Формула / Реферат:
Тестовая структура для контроля технологических параметров интегральных схем, содержащая полупроводниковую подложку со сформированными на ней квадратным и полосчатым резисторами, а также соединенные с ними проводящие дорожки, имеющие контактные площадки на концах, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит второй квадратный резистор, а на поверхность структуры нанесен маскирующий слой с окнами, расположенными над полосчатым и одним из...
Попередній патент: Спосіб електромагнітної терапії та пристрій для його здійснення
Наступний патент: Будівельна суміш дрібнозернистого великопористого бетону для тротуарної плитки і подібних виробів
Випадковий патент: Спосіб гнуття трубних елементів