H01L 29/78 — з польовим ефектом, створюваним за допомогою ізольованого затвора

Номер патенту: 16969

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Політанський Леонід Францович, Кисельов Юрій Павлович, Геллер Віталій Ізрайльович

МПК: H01L 29/78

Мітки: потужний, високовольтний, мдн-транзистор

Формула / Реферат:

Мощный высоковольтный МОП-транзистор с вертикальной структурой, содержащий полупроводниковую подложку, на одной стороне которой сформирован омический контакт, а на другой расположен высокоомный слой того же типа проводимости, в котором размещены области противоположного подложке типа проводимости, образующие прямоугольную матрицу, в каждой области расположена прямоугольная кольцеобразная область противоположного типа проводимости, в...