Потужний високовольтний мдн-транзистор
Номер патенту: 16969
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кисельов Юрій Павлович, Політанський Леонід Францович, Геллер Віталій Ізрайльович
Формула / Реферат
Мощный высоковольтный МОП-транзистор с вертикальной структурой, содержащий полупроводниковую подложку, на одной стороне которой сформирован омический контакт, а на другой расположен высокоомный слой того же типа проводимости, в котором размещены области противоположного подложке типа проводимости, образующие прямоугольную матрицу, в каждой области расположена прямоугольная кольцеобразная область противоположного типа проводимости, в приповерхностном высокоомном слое между областями противоположного подложке типа проводимости выполнены высоколегированные области того же, что и слой, типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивного напряжения в приповерхностной высоколегированной области между кольцеобразными областями введены дополнительные высокоомные прямоугольные области того же типа проводимости, внешние углы которых совмещены своими вершинами с внешними углами соответствующих кольцеобразных областей.
Текст
МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОПТРАНЗИСТОР с вертикальной структурой, содержащий тголупроводниковую подложку, НА одной стороне которой сформирован омический контакт, а на другой расположен высокоомный слой того же типа проводимости, в котором размещены области противоположного подложке типа проводимости, образующие прямо (51)4 , Н 0t \ L..29/78 ч угольную матрицу, в каждой области расположена прямоугольная кольцеобраз ная область противоположного типа про водимости, в приповерхностном высокоомном слое между областями противоположного подложке типа проводимости выполнены высоколегированные области того же, что и слой, типа проводимости, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения пробивного напряжения в приповерхностной высоколегированной области между кольцеобразными областями введены дополнительные высокоомные прямоугольные области того же типа проводимости, внешние углы которых совмещены своими вершинами с внешними углами соответствующих кольцеобразных областей. 1 1258264 сокоомные прямоугольные области 4, Изобретение относится к полупроводподложка 5, высокоомный слой 6. никовой микроэлектронике и может, быть Был изготовлен транзистор на кремиспользовано при разработке конструкций мощных высоковольтных МОП-транзис- ниевой эпитаксиальной структуре. Исторов. 5 токовые области (кольцеобразные области 2) имеют размеры сторон 15 мкм, Целью изобретения является увелирасстояние между штоковыми областями чение пробивного напряжения. (по фотошаблону) 15 мкм, глубина обНа фиг,1 схематически изображен ласти 13 мкм, глубтна п - области 2 МОП-транзистор, вид сверху^ на фиг. 2разреэ А-А на фиг, Г, на фиг.З - раз- 10 1,5 мкм, концентрация донорной примерез Б-Б на фиг.1; где обозначены обси в приповерхностной области стока ласти 1 противоположного подложке ти 2-10-3 Юсм^ширинаканала 144 см. па проводимости, прямоугольные кольСопротивление МОП-транзистора спро1 цеобразные области 2, высоколегиро бивным напряжением 100В 0,080М при ванные области 3» дополнительные вы- 15 площади кристалла 25 мм*. А -А /7— /7
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюPowerful high-voltage mos transistor
Автори англійськоюPolitanskyi Leonid Franytsovych, Heller Vitalii Izraliiovych, Kyseliov Yurii Pavlovych
Назва патенту російськоюМощный высоковольтный моп-транзистор
Автори російськоюПолитанский Леонид Францевич, Геллер Виталий Изральевич, Киселев Юрий Павлович
МПК / Мітки
МПК: H01L 29/78
Мітки: високовольтний, потужний, мдн-транзистор
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-16969-potuzhnijj-visokovoltnijj-mdn-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Потужний високовольтний мдн-транзистор</a>
Високовольтний транзистор
Номер патенту: 2974
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Соловйова Любов Валентинівна, Соловйов Іван Іванович
МПК: H01L 29/73
Мітки: транзистор, високовольтний
Формула / Реферат:
1. Высоковольтный транзистор, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, слой защитного диэлектрика с окнами для контактов к активным областям, при этом в области коллектора расположены кольцевые охранные области противоположного коллектору типа проводимости, отличающийся тем, что на защитном диэлектрике сформирован полевой электрод, расположенный над коллекторной областью вне области пространственного заряда охранных колец и соединенный...
Кнд мдн – транзистор
Номер патенту: 4120
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Процайло Ігор Богданович, Кеньо Галина Володимирівна, Костур Володимир Георгійович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: H01L 27/12
Мітки: кнд, мдн, транзистор
Формула / Реферат:
КНД МДП-транзистор, содержащий монокристаллическую подложку с последовательно расположенными на ней слоями изолирующего окисла, рекристаллизованного поликремния с активной областью канала, включающего области истока и стока, подзатворного диэлектрика и электрода затвора из поликремния, контакты к областям стока и истока, планарный дополнительный контакт к канальной области, отличающийся тем, что дополнительный контакт выполнен в виде...
Потужний транзисторний ключ
Номер патенту: 4122
Опубліковано: 27.12.1994
Автор: Чайка Микола Костянтинович
МПК: H03K 17/60, H03K 17/08
Мітки: потужний, транзисторний, ключ
Формула / Реферат:
Мощный транзисторный ключ, содержащий коммутирующий транзистор, индуктивность, зашунтированную демпфирующей цепочкой, состоящей из последовательно включенных диода и резистора, индуктивность включена последовательно с коллекторно-эмиттерным переходом коммутирующего транзистора, конденсатор, первый вывод которого подключен к эмиттеру коммутирующего транзистора, а второй вывод через диод. включенный в прямом направлении по отношению к...
Високовольтний підвісний ізолятор
Номер патенту: 13096
Опубліковано: 28.02.1997
Автори: Кім Ен Дар, Аксьонов Вячеслав Олексійович, Злаказов Олександр Борисович, Сидоренко Сергій Борисович
МПК: H01B 17/02
Мітки: ізолятор, підвісний, високовольтний
Формула / Реферат:
(57) Высоковольтный подвесной изолятор, содержащий соединенные связкой шапку, изоляционную деталь, стержень с головкой и установленное между головкой стержня и изоляционной деталью кольцо из материала, прочность которого на растяжение выше прочности на растяжение материала изоляционной детали, отличающийся тем, что он снабжен дополнительным кольцом, выполненным из материала основного кольца и установленным с натягом на последнее.
Силовий високовольтний імпульсний конденсатор
Номер патенту: 4830
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Долженко Анатолій Сергійович, Титов Михайло Миколайович
МПК: H01G 4/002
Мітки: конденсатор, силовий, імпульсний, високовольтний
Формула / Реферат:
Силовой высоковольтный импульсный конденсатор, содержащий размещенные в цилиндрическом металлическом корпусе пружины, полый цилиндрический пакет из последовательно соединенных пропитанных цилиндрических секций, положительной и отрицательной полярности, металлическую крышку с изолятором, дно и токовыводы, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и улучшения условий эксплуатации, он снабжен двумя дополнительными...
Попередній патент: Спосіб термохімічної обробки пласта
Наступний патент: Сталевіз
Випадковий патент: Спосіб відтворення електричного опору