Патенти з міткою «мдн-транзистор»

Номер патенту: 93121

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович

МПК: H01L 21/336

Мітки: надвисокочастотний, мдн-транзистор

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний МДН-транзистор, сформований на високоомній напівпровідниковій підкладці, який містить витік, стік та затвор, ізольований від каналу провідності МДН-транзистора діелектриком SiO2, омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що канал провідності МДН-транзистора між витоком і стоком сформований з активного, межуючого з підкладкою, і пасивного, межуючого з діелектриком SiО2, шарів, при цьому активний шар каналу...

Номер патенту: 16969

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Геллер Віталій Ізрайльович, Кисельов Юрій Павлович, Політанський Леонід Францович

МПК: H01L 29/78

Мітки: потужний, високовольтний, мдн-транзистор

Формула / Реферат:

Мощный высоковольтный МОП-транзистор с вертикальной структурой, содержащий полупроводниковую подложку, на одной стороне которой сформирован омический контакт, а на другой расположен высокоомный слой того же типа проводимости, в котором размещены области противоположного подложке типа проводимости, образующие прямоугольную матрицу, в каждой области расположена прямоугольная кольцеобразная область противоположного типа проводимости, в...