H01L 33/20 — з особливою формою, наприклад викривленою або усіченої підкладкою
Напівпровідникове джерело випромінювання
Номер патенту: 98518
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Кабацій Василь Миколайович, Мигалина Юрій Вікентійович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: G01N 21/61, G01N 21/35, H01L 33/08 ...
Мітки: випромінювання, напівпровідникове, джерело
Формула / Реферат:
1. Напівпровідникове джерело випромінювання для газоаналізатора, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, яке відрізняється тим, що містить n³2 основних активних елементів з р-n-переходами, виконаних з можливістю випромінювання в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених з довжиною хвилі в максимумі смуги власного...