Патенти з міткою «напівпровідникове»

Номер патенту: 98518

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович, Мигалина Юрій Вікентійович

МПК: G01N 21/61, G01N 21/35, H01L 33/08 ...

Мітки: випромінювання, напівпровідникове, джерело

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникове джерело випромінювання для газоаналізатора, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, яке відрізняється тим, що містить n³2 основних активних елементів з р-n-переходами, виконаних з можливістю випромінювання в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених з довжиною хвилі в максимумі смуги власного...

Номер патенту: 54548

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Фордзюн Юрій Іванович, Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович, Мигалина Юрій Вікентійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: джерело, напівпровідникове, випромінювання

Формула / Реферат:

Напівпровідникове джерело випромінювання, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, яке відрізняється тим, що містить n≥2 активних елементів з р-n-переходами, які випромінюють в максимумах на m≥2 заданих довжинах хвиль, узгоджених для кожного із m≥2 інтервалів температур робочого діапазону, активні елементи з р-n-переходами...

Номер патенту: 90289

Опубліковано: 26.04.2010

Автор: Кабацій Василь Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: випромінювання, джерело, напівпровідникове

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникове джерело випромінювання (НДВ), що має випромінюючий елемент, яке відрізняється тим, що містить оптичний фільтр на робочу довжину хвилі з вузькою смугою пропускання, а випромінюючий елемент виконаний не менше як із двох випромінюючих кристалів з однаковими температурними коефіцієнтами забороненої зони, з'єднаних послідовно, спектри випромінювання яких рознесені по довжинах хвиль відносно робочої довжини хвилі оптичного...

Номер патенту: 85645

Опубліковано: 10.02.2009

Автор: Кабацій Василь Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: джерело, напівпровідникове, випромінювання, інфрачервоного

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникове джерело інфрачервоного випромінювання, яке містить випромінюючі кристали з р-n-переходами, теплопровідну основу із заглибленням, бокова поверхня якого відбиває випромінювання кристалів і виготовлена у формі зрізаного конуса або концентратора випромінювання іншої форми з плоским дном, та корпус з прозорого для випромінювання матеріалу, яке відрізняється тим, що корпус виконаний з матеріалу на основі складних...

Номер патенту: 27726

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Гасинець Вячеслав Омелянович

МПК: H01L 33/00

Мітки: напівпровідникове, джерело, інфрачервоного, випромінювання

Формула / Реферат:

Напівпровідникове джерело інфрачервоного випромінювання, яке містить випромінюючі кристали з р-n-переходами, відбивач бокового випромінювання кристалів, розміщених на теплопровідній основі, корпус з матеріалу прозорого до випромінювання, яке відрізняється тим, що корпус виконаний з матеріалу на основі напівпровідникових халькогенідних стекол, що містять Ge, As, Sb, Bi, S, Se у відповідних пропорціях із заданим показником заломлення, товщина...

Номер патенту: 76771

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Новікова Лідія Володимирівна, Новіков Олександр Олександрович, Короленко Олександр Валентинович

МПК: C03C 11/00, C03C 4/00

Мітки: напівпровідникове, кисневе, піноскло

Формула / Реферат:

Напівпровідникове кисневе піноскло, яке містить склоутворювач - В2О3, модифікатор - ВаО, та спінювач - силікат системи Na2O-SіО2, яке відрізняється тим, що додатково містить СuО, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: В2O3 29-33 BaO 31-34 CuO 10-12 силікат системи Na2O-SiO2 21-30.

Номер патенту: 57441

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Новіков Олександр Олександрович, Новікова Лідія Володимирівна, Короленко Олександр Валентинович

МПК: C03C 11/00

Мітки: кисневе, напівпровідникове, піноскло

Формула / Реферат:

Напівпровідникове кисневе піноскло, яке містить склоутворювач В2О3, модифікатор ВаО, домішку С, яке відрізняється тим, що як гелеутворювач і спінювач використовують силікат натрію Na2O і SiO2 при такому співвідношенні компонентів, мас. %: В2О3 29-33 ВаО 31-34 С 10-12 Na2O 10,5-15 SiO2 ...

Номер патенту: 36106

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Новіков Олександр Олександрович, Новікова Лідія Володимирівна, Пономаренко Ольга Михайлівна

МПК: C03C 3/12, H01L 21/473

Мітки: кисневе, скло, напівпровідникове

Текст:

...15 мас. %. У підготовлений розчин додають борну кислоту 30 мас. %, при цьому утворюється гель. Отриманий гель наносять на діелектричні поверхні, що потребують у захисті від ЕМВ. Склоутворювання на поверхні проводять у печі при температурі 700750°С протягом 15 хвилин. Мінімальна дозволена кількість склоутворювача та велика кількість модифікатора та домішок створює умови до сильної ліквації скляних плівок. N (показник надлом- К (коеф....