H01L 33/08 — з безліччю світловипромінюючих областей, наприклад, з боковим переривчастим светоизлучающим шаром або фотолюмінесцентного областю, вбудованої в напівпровідникове тіло
Напівпровідниковий випромінюючий пристрій
Номер патенту: 98824
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович, Фордзюн Юрій Іванович, Мигалина Юрій Вікентійович
МПК: G01N 21/61, H01L 33/64, G01N 21/35, H01L 33/08 ...
Мітки: пристрій, випромінюючий, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий випромінюючий пристрій газоаналізатора, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, який відрізняється тим, що містить n³2 основних активних елементів з p-n-переходами, виконаних з можливістю випромінювання в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених з довжиною хвилі в максимумі смуги власного...
Напівпровідникове джерело випромінювання
Номер патенту: 98518
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Мигалина Юрій Вікентійович, Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович
МПК: G01N 21/61, H01L 33/20, H01L 33/08, G01N 21/35 ...
Мітки: напівпровідникове, випромінювання, джерело
Формула / Реферат:
1. Напівпровідникове джерело випромінювання для газоаналізатора, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, яке відрізняється тим, що містить n³2 основних активних елементів з р-n-переходами, виконаних з можливістю випромінювання в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених з довжиною хвилі в максимумі смуги власного...