Харбертс Дірк Віллем

Номер патенту: 27693

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Ван ден Елсхоут Андреас Антоніус Йоханнес Марія, Харбертс Дірк Віллем, Вендрик Хендрікус Йозефіус Марія

МПК: H01L 27/118

Мітки: комплементарних, моп-транзисторах, інтегральна, схема

Текст:

...разрез системы транзисторов с каналом n-типа. В центре чертежа размещен ряд II, содержащий полевые транзисторы, имеющие сравнительно большую ширину канала. С каждой стороны ряда II расположены ряды 5 и 6, содержащие транзисторы, имеющие сравнительно небольшую ширину канала. Таким же образов в правой части фиг. 4 показана ширина транзисторов с каналом р-типа ряда 12, размещенного в центре, и всех транзисторов с каналом р-тип рядов 8 и 9....