Патенти з міткою «комплементарних»

Номер патенту: 27068

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Кравчина Віталій Вікторович, Гомольський Дмитро Михайлович, Костенко Валер'ян Остапович

МПК: H01L 21/70

Мітки: інтегральних, спосіб, ізоляцією, виготовленя, схем, комбінованою, комплементарних, транзисторів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...

Номер патенту: 27693

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Ван ден Елсхоут Андреас Антоніус Йоханнес Марія, Вендрик Хендрікус Йозефіус Марія, Харбертс Дірк Віллем

МПК: H01L 27/118

Мітки: схема, моп-транзисторах, інтегральна, комплементарних

Текст:

...разрез системы транзисторов с каналом n-типа. В центре чертежа размещен ряд II, содержащий полевые транзисторы, имеющие сравнительно большую ширину канала. С каждой стороны ряда II расположены ряды 5 и 6, содержащие транзисторы, имеющие сравнительно небольшую ширину канала. Таким же образов в правой части фиг. 4 показана ширина транзисторов с каналом р-типа ряда 12, размещенного в центре, и всех транзисторов с каналом р-тип рядов 8 и 9....