Ковалевська Лариса Миколаївна
Спосіб визначення прогнозу перебігу захворювання у хворих на неходжкінські в-клітинні лімфоми із малих лімфоцитів
Номер патенту: 59422
Опубліковано: 10.05.2011
Автори: Крячок Ірина Анатоліївна, Сидоренко Світлана Павлівна, Титоренко Ірина Борисівна, Бердова Ганна Григорівна, Алексик Олена Михайлівна, Мартинчик Аріна Валеріївна, Губарева Ганна Олександрівна, Ковалевська Лариса Миколаївна, Сивак Любов Андріївна, Шлапацька Лариса Миколаївна
МПК: A61B 10/00
Мітки: хворих, в-клітинні, лімфоцитів, прогнозу, лімфоми, захворювання, неходжкінські, визначення, малих, спосіб, перебігу
Формула / Реферат:
Спосіб визначення прогнозу перебігу захворювання у хворих на неходжкінські В-клітинні лімфоми із малих лімфоцитів, що включає визначення міжнародного прогностичного індексу (вік хворого, рівень лактатдегідрогенази, загальний стан хворого, стадія захворювання та кількість екстранодальних уражень), який відрізняється тим, що додатково у хворих групи високого ризику за допомогою імуногістохімічного дослідження визначають рівень експресії РК
Спосіб визначення первинної рефрактерності у хворих на неходжкінські великоклітинні в-клітинні лімфоми групи низького ризику
Номер патенту: 51404
Опубліковано: 12.07.2010
Автори: Шлапацька Лариса Миколаївна, Мартинчик Аріна Валеріївна, Крячок Ірина Анатоліївна, Бердова Ганна Григорівна, Ковалевська Лариса Миколаївна, Сидоренко Світлана Павлівна, Губарева Ганна Олександрівна, Алексик Олена Михайлівна
МПК: A61B 10/00
Мітки: неходжкінські, визначення, лімфоми, спосіб, ризику, первинної, рефрактерності, в-клітинні, низького, великоклітинні, групи, хворих
Формула / Реферат:
Спосіб визначення первинної рефрактерності у хворих на великоклітинні В-клітинні лімфоми групи низького ризику, що включає визначення міжнародного прогностичного індексу (вік хворого, рівень лактатдегідрогенази, загальний стан хворого, стадія захворювання та кількість екстранодальних уражень), який відрізняється тим, що додатково за допомогою імуногістохімічного дослідження визначають рівень експресії РКСβІІ і, при високому рівні...