Крисюк Олена Ігорівна
Спосіб підвищення діелектричної проникності сегнетоелектричних плівок складу knbo3
Номер патенту: 85312
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Крисюк Олена Ігорівна, Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: knbo3, складу, підвищення, проникності, діелектричної, сегнетоелектричних, плівок, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб підвищення діелектричної проникності сегнетоелектричних плівок складу KNbO3 шляхом легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом термо- або електродифузії міді у кількості від 1 до 12 мас. %.