Патенти з міткою «сегнетоелектричних»

Номер патенту: 107463

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Савчук Андрій Йосипович, Обедзинський Юрій Костянтинович, Обедзинський Олександр Юр'євич, Юрійчук Іван Миколайович, Мартинюк Яків Васильович, Клето Геннадій Іванович

МПК: H01G 7/06, H03L 3/00

Мітки: параметрів, електронний, конденсаторів, сегнетоелектричних, вимірювання, пристрій

Формула / Реферат:

Електронний пристрій для вимірювання параметрів сегнетоелектричних конденсаторів складається з генератора різнополярних імпульсів, що подаються на ланку з послідовно з'єднаних сегнетоелектричного конденсатора і еталонної ємності та вимірювального блока, підключеного до еталонної ємності, який відрізняється тим, що вихідний каскад генератора різнополярних імпульсів виконаний у вигляді двох ключових елементів, що знаходяться у закритому стані...

Номер патенту: 85312

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна, Крисюк Олена Ігорівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, проникності, діелектричної, складу, сегнетоелектричних, knbo3, плівок, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення діелектричної проникності сегнетоелектричних плівок складу KNbO3 шляхом легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом термо- або електродифузії міді у кількості від 1 до 12 мас. %.

Номер патенту: 85311

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна

МПК: H01L 21/40, H01L 21/20

Мітки: спосіб, одержання, ktaxnb1-xo3, тонких, складу, плівок, сегнетоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу KTaxNb1-xO3, що включає одержання плівок при підвищеній температурі у вакуумі, який відрізняється тим, що одержують плівки шляхом послідовного нанесення на підкладку шарів двошарової системи Ta та Nb, у визначеному співвідношенні товщин, із наступним утворенням шару оксиду (TaxNb1-x)2O5, після чого наносять термічним випаровуванням шар їдкого калію та здійснюють відпал при температурі...

Номер патенту: 27054

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Яценко Олександр Вікторович, Євдокимов Сергій Вікторович, Ягупов Сергій Володимирович

МПК: C30B 30/00

Мітки: аво3, сімейства, водню, монокристалах, спосіб, сегнетоелектричних, збільшення, об'ємної, концентрації

Формула / Реферат:

Спосіб збільшення об'ємної концентрації водню в сегнетоелектричних монокристалах сімейства АВО3 включає термохімічну обробку кристала в кислоті, який відрізняється тим, що кристал після термохімічної обробки запаюють в ампулу, що утримує воду, та проводять відпалювання зразка протягом не менше 10 діб.

Номер патенту: 62237

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Лісняк Владислав Владиславович, Смірнова Тамара Іванівна, Стратійчук Денис Анатолійович, Стусь Наталія Вікторівна

МПК: C01G 33/00

Мітки: kуta2-хnbхpo8(x=0,157-1,960, y=0,10-0,33, спосіб, подвійних, керамік, фосфатів, калійних, отримання, танталу-ніобію, сегнетоелектричних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання керамік сегнетоелектричних подвійних калійних фосфатів танталу-ніобію (KyTa2-xNbxPO8 (х=0,157-1,960, у=0,10-0,33)), який передбачає змішування калієвмісного, фосфоровмісного, ніобій- та танталовмісного компонентів і нагрівання до температур 350-1000°С, який відрізняється тим, що при змішуванні використовують компоненти у розчиненому стані, при цьому як калієвмісний компонент використовують гідрооксид калію в кількості...

Номер патенту: 50233

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Сливка Олександр Георгієвич, Герзанич Омелян Іванович, Кедюлич Віктор Михайлович, Кабаль Роман Васильович, Шуста Володимир Семенович, Гуранич Павло Павлович

МПК: G01R 27/26

Мітки: кристалах, кюрі-вейсса, сегнетоелектричних, констант, експрес-спосіб, дослідження

Формула / Реферат:

Експрес-спосіб дослідження констант Кюрі-Вейсса в сегнетоелектричних кристалах, який включає визначення температурної константи Кюрі-Вейсса при постійному тиску  та баричної константи Кюрі-Вейсса при постійній температурі  і їх баричну та температурну зміну вздовж фазової р,Т-діаграми, який відрізняється...

Номер патенту: 1173

Опубліковано: 30.12.1993

Автор: Левченко Георгій Тимофійович

МПК: C23C 14/00

Мітки: засіб, сегнетоелектричних, плівок, отримання

Формула / Реферат:

Способ получения сегнетоэлектрических пленок, включающий распыление исходного ма­териала в среде кислорода и осаждение его на на­гретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических свойств пленок, процесс осаждения проводят циклично, при этом после каждого цикла осаждения температуру под­ложки и давление кислорода увеличивают до тем­пературы не более 0,8 температуры плавления исходного материала и до давления не более...

Номер патенту: 1172

Опубліковано: 30.12.1993

Автор: Левченко Георгій Тимофійович

МПК: C23C 4/00, C23C 14/36, B05B 5/08 ...

Мітки: сегнетоелектричних, вакуумі, іонно-плазменним, матеріалів, пристрій, плівок, розпиленням, нанесення

Формула / Реферат:

Устройство для нанесення пленок ионно-плазменным распылением сегнетоэлектрических материалов в вакууме, содержащее диэлектричес­кий держатель с дисковой мишенью, размещен­ную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения каче­ства пленок за счет повышения равномерности рас­пыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени,...