Пахтман Марк Абрамович
Спосіб виготовлення оксидно-напівпровідникових конденсаторів
Номер патенту: 13141
Опубліковано: 28.02.1997
Автори: Каган Володимир Яковлевич, Пахтман Марк Абрамович
МПК: H01G 9/21, H01G 13/04
Мітки: виготовлення, спосіб, конденсаторів, оксидно-напівпровідникових
Формула / Реферат:
(57)1. Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий электрохимическое оксидирование бъемно-пористых анодов из вентильних металлов, нанесение внутренних полупроводниковых слоев путем пропитки анодов в нитрате марганца и внешних полупроводниковых слоев - в суспензии из нитрата марганца с добавкой с последующих термическим разложением пропитывающих растворов на основе нитрата марганца, нанесение переходных и проводящих...