Спосіб виготовлення оксидно-напівпровідникових конденсаторів

УКРАЇНА (19) Ч^ЛЛ ( M) _ (505 II01 G 9/24 13141 03) V ОПИС ДО ПАТЕНТУ ДЕРЖАВНЕ ПАТЕНТНЕ ВІДОМСТВО НА ВИНАХІД (54) СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ОКСИДНО-НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КОНДЕНСАТОРІВ 1 (20)94322100,24.06 93 (21)4820849/SU (22) 03 05 90 (24) 28 02 97 (46)28 02.97. Бюл. ЬЬ 1 (56) 1. Патент ФРГ bh 2.030394, кл. 21 G 10/03, 1970. 2. Патент США Г* 3.241 008, кл. 311-230, 1961 (прототип) (72) Каган Володимир Яковлевич, Пахтман Марк Абрамович (73) Каган Володимир Яковлевич (UA) (57) 1. Способ изготовления оксидно-полупроводникооых конденсаторов, включаю щий электрохимическое оксидирование объемно-пористых анодов из вентильных металлов, нанесение внутренних полупроводниковых слоев путем пропитки анодов в нитрате марганца и внешних полупроводниковых слоев - в суспензии из нитрата марганца с добавкой с последующих термическим разложением пропитыоающих растворов на основе нитрата марганца, нанесение переходных и проводящих слоев, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что в качестве добавки в суспензии из нитрата марганца используют двуокись кремния, покрытую двуокись марганца в количестве 100 ..200 г/л. 2 Способ поп 1,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что изготовление добавки осуществля юг путем обработки двуокиси кремния в 5. 20% растворе нитрата марганца с последующим пиролитическим разложением. С > со Изобретение относится к области электронной техники и может найти применение при изготовлении оксидно-полупроводниковых конденсаторов (ОНК) из вентильных металлов, например, тантала или ниобия. Известен способ изготовления ОПК[1], в котором для сокращения количества споев на оксидированных анодах из вентильных металлов при нанесении последних слоев о раствор нитрата марганца добавляют мелкоизмельченную двуокись у -марганца Указанную двуокись марганца получают электролитическим способом - единственным промышленным способом получения порошка двуокиси марганца. Недостатком способа является малая эффективность в части сокращения числа слоев, т.к. частицы двуокиси марганца, имея высокий удельный вес (5 r/см^. во время пропитки анодов конденсаторов оседают, нанесенный слой не приобретает необходимую толщину и количество слоев не снижается Кроме того, электролитически полученная двуокись марганца (}*=МпО2) имеет более низкую электропроводность, по сравнению с пиролитически полученной двуокисью марганца (/?=МпО2), что приводит к некоторому ухудшению электропараметР09 ИЗДЄЛИЙ. Наиболее близким по технической сущности является способ изготовления ОПК [2], заключающийся в том, что оксидированный анод пропитывают в растворе соли марганца с последующим термическим разложением соли в окисел (пиролиз). Этот процесс повторяют несколько раз до полного заполнения внутренних пор анодов о 13141 Затем зкоды погружают в вязкий тик сотропный раствор соли марганца с добав ко й аэ рос и ла ( то н ко р азд р о бле мн о й двуокиси кремния), после чего производят пиролиз (прототип). 5 Недостатком спос оба является то, что слой двуокиси марганца, полученный из вязкого тиксотропного раствора, являетсл пористым и хрупким, что может приводить к его осыпанию либо непосредственно при 10 нанесении слоя вследствие незначительных отклонений от технологических режимов, либо в процессе дальнейшего изготовления и эксплуатации конденсаторов. Указанный недостаток снижае т выход годных изделий 15 из-за брака изделий по току утечки (Jyr). В ведение в нитрат марганца двуокиси кремния производит также к некоторому увеличению импеданса (Z) и тангенса угла потерь (ig 67,3 67.2 67,1 5.8 • 2. 6 2.2 2.4 2,5 Выход годных, % Z. Ом 0,71 0,46 0.40 0,42 0.46 74,4 63,6 86.5 82.1 88,3 Таблица 4 Способ изготовления КТ Зп ои КТЗ по Т Предлагаемый Известный (прототип) 1Л 1,4 1.82 1,47 Таблица 5 Продолжительность использования раствора, час 08 16 48 96 Электропараметры конденсаторов мкА С, мкФ 2.0 2.1 2.2 2.1 2.0 67.2 67.3 67,2 67,3 67.1 Z. Ом 2,5 2.4 2.4 2.5 2,4 0.42 0.40 0,42 0.41 0,42 Выход годных, % 86,1 86.5 86.3 86,7 86,4 10 13141 Т а бл и ц а 6 Способ изготовления Предлагаемый Известный (прототип) Нормы ТУ Упорядник "Замовлення 4101 Электропараметры конденсаторов Jyr, мкЛ 2,5 4.4 24 С, мкФ tg д , % 2,Ом 150.8 150,5 Сном ±30% 2.6 4.8 8.0 Выход годных. % 0,36 0.49 2,8 Техред М Моргентал Коректор М.Куль Тираж Підписне Державне патентне відомство України, 254655. ГСП. КиТв-53, Львівська пл.. 8 Відкрите акціонерне товариство "Патент", м, Ужгород, вул.ГагарІна, 101 89,1 75.4