Поліщук Дмитро Дмитрович

Номер патенту: 12086

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Козицький Сергій Васильович, Поліщук Дмитро Дмитрович, Золотко Андрій Никонович, Писарський Віталій Павлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: основі, спосіб, цинка, отримання, полікристала, сульфіду

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристалла на осно­ве сульфида цинка путем послойного горения ших­ты, спрессованной из порошков исходных элементов, в замкнутом объеме под давлением инертного газа при инициировании горения в под­жигающем слое шихты того же состава, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения плотности поликристалла и улучшения его структуры, по­рошки исходных элементов берут дисперсностью не более 10 мкм в соотношении, соответствующем...