C30B 29/48 — з’єднання типу A

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Звєрєва Віра Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Рибалка Ірина Анатоліївна

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: селеніду, цинку, отримання, спосіб, шихти

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Колісник Михайло Георгійович, Захарук Зінаїда Іванівна, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Мисевич Ігор Захарович, Вахняк Надія Дмитрівна, Раренко Іларій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Єрмаков Валерій Миколайович, Дремлюженко Сергій Григорович

МПК: C30B 13/02, C30B 1/00, C30B 13/10 ...

Мітки: розчинів, твердих, cdxmn1-xte, спосіб, cdxzn1-xte, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: цинку, активованих, спосіб, термообробки, кристалів, селеном, сцинтиляційних, сульфіду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Жуков Олександр Вікторович, Гриньов Борис Вікторович, Малюкін Юрій Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Зеня Ігор Михайлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційний, цинку, сульфіду, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, спосіб, селеніду, активованого, основі, сцинтиляційного, одержання, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 29/48, C30B 13/00

Мітки: вирощування, монокристалів, сполук, спосіб, а2в6

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: спосіб, аiiвvi, сполук, матеріал, основі, напівпровідниковий, одержання, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/48

Мітки: одержання, спосіб, основі, напівпровідникового, сцинтиляційного, халькогенідів, цинку, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: спосіб, селеніду, n-типу, напівпровідникового, одержання, основі, матеріалу, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: основі, одержання, цинку, сцинтилятора, активованого, спосіб, селеніду, телуром

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Носачов Борис Григорович, Лисецька Олена Костянтинівна, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: кристалів, одержання, спосіб, активованій, селеніду, телуром, цинку, термообробки, сировини

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 16678

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна, Носачев Борис Григорович, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: цинку, кристалів, спосіб, одержання, селеніду

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную на­правленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кисло­той, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: спосіб, одержання, прозорих, кристалів, цинку, селеніду, оптично

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Номер патенту: 16716

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: кристалів, цинку, спосіб, одержання, селеніду

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в услови­ях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизаци­онное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...

Номер патенту: 16730

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Вербицький Олег Петрович, Рижиков Володимир Діомидович, Сенчишин Віталій Георгійович, Битеман Віктор Борисович

МПК: C30B 29/48, G01T 1/20

Мітки: матеріал, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал для детек­торов ионизирующих излучений, состоящий изкристаллов сцинтиллятора и органической диспер­сионной среды, отличающийся тем, что, с целью расширения вида регистрируемого ионизирующе-го излучения при повышении его радиационной стойкости, он содержит в качестве сцинтиллятора поликристаллы твердого раствора соединений А^В^ с размером 0,01-1,00 мм при следующем соотношении компонентов, об. %:...

Номер патенту: 16669

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Вербицький Олег Петрович, Носачов Борис Григорійович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/48

Мітки: сциhтиляційhий, матеріал, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый сцинтилляционный ма­териал на основе соединения А В с активирую­щей добавкой одного из компонентов, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения эффективно­сти и расширения спектрального диапазона люми­несценции, материал дополнительно содержит вторую добавку одного из компонентов, образую­щую с исходным соединением твердый раствор за­мещения, при этом в качестве активатора и замещающей добавки выбраны компоненты, обра­зующие...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Лисецька Олена Костянтинівна, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: цинку, спосіб, селеніду, основі, елементів, кристалічних, обробки

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Номер патенту: 16677

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: спосіб, одержання, цинку, кристалів, селеніду

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий сплавление исходных компонен­тов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте темпе­ратур, отличающийся тем, что, с целью улучше­ния оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элемен­тов, исходный селенид цинка предварительно очи­щают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...

Номер патенту: 11188

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Файнер Михайло Шаєвич, Іванов Микола Петрович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48, C30B 29/50 ...

Мітки: халькогенідів, спосіб, одержання, кристалів, типу

Формула / Реферат:

(57) Способ получения кристаллов халькогенидов типа A||BVI, где A|| - металл, a BVI -халькоген, включающий термообработку исходного соединения в атмосфере дезоксидирующего газа и выращивание кристаллов направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в качестве дезоксидирующего используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом при 850 - 950°С, а термообработку ведут при...

Номер патенту: 12086

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Золотко Андрій Никонович, Поліщук Дмитро Дмитрович, Козицький Сергій Васильович, Писарський Віталій Павлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: отримання, спосіб, цинка, основі, полікристала, сульфіду

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристалла на осно­ве сульфида цинка путем послойного горения ших­ты, спрессованной из порошков исходных элементов, в замкнутом объеме под давлением инертного газа при инициировании горения в под­жигающем слое шихты того же состава, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения плотности поликристалла и улучшения его структуры, по­рошки исходных элементов берут дисперсностью не более 10 мкм в соотношении, соответствующем...