Спосіб отримання полікристала на основі сульфіду цинка

Изобретение относится к химической промышленности и может быть . использовано при производстве люминофоров. Обеспечивает повышение плотности поликристалла ZnS и его струк туры, а также расширение области спектра люминесцешрш. Способ включает прессование шихты из порошков исходных элементов в соотношение, соответствующем формуле Z n S ^ - i ^ . Дисперсность порошков не более 10 мкм» Над спрессованной шихтой на расстоянии не менее 10 мм размещают поджигающий слой их шихты того же состава. Замкнутый объем эвакуируют, вводят инертный газ до давления 40-120 атм и иницируют реакцию послойного горения шихты. Получают поликристалл -с плотностью 95-98% от плотности кристалла и полнотой превращения А- 97% с широкой зеленой полосой люминесценции. Активирующие добавки Mn, Y п Ва дают широкие полосы люминесценции в области, соответственно 580 нм, 520 нм и 465 нм. 1 з.п.ф-лы. П р и м е р 1. Порошок цинка ПЦ-1 Изобретение относится к химической и серы ХЧ дисперсностью 10 мкм, взятые промышленности, в частности к технолос избытком серы ~ 10 моль % перемешивагии получения люмииофоргв на основе ют в фарфоровых шаровых мельницах до поликристалла сульфидя цинка ZnS, без казигомогенизации. Смесь высушивают и с добавкой активатора, готорые мои прессуют при р = 10* атм в прессгут быть использованы при производформах диаметром 40 мм и высотой стве цветных кинескопов, экранов зле1,5 калибра для основной шихты и 0,3 ктронио-оптических преобразователей, калибра для поджигающего слоя. ТаблегреоОразователей рентгеновского изображения, сцинцк,шяционкых экранов, тонко тированиую основную шихту в кварцевом пленочных люминесцентных экранов', вклю- стакане помещают в замкнутый сосуд, а над ней на высоте 10 мм располагачаться в состав люминесцентных красок. ют поджигающий слой. Сосуд вакуумиЦель изобретения - повышение плотности поликристалла и улучшение его струк- руют до 10 атм, заполняют газообразтуры, а также расширение области спект- ным аргоном до ?л - 40 атм. Конструкция сосуда благодаря электровБодам ра люминесценции поликристалпа. 47-90 /' '~™ ^-v. 1616203 тодо- (ііри возбуждении электронным позволяет инициировать синтез в под-і потоком). Интегральная светимость жигающем слое локальным подогревом джоулевым теплом от углеродного стержсинтезированного ZnS+1 моль % Кп выня или полотна. ше в сравнении с эталонными образцаСинтезированный продукт представми ZnCdAgln на красную область спектляет собой поликристаллическую булю, ра, выпускаемыми Ставропольским плотность которой составляет 95% плотВНИИ "Люминофор". .Отличительной осоности кристалла и полнотой превращебенностью синтезированных кристаллов ния 97%. Внешний слой були толщиной ^ ZnS-Mn является мощное свечение при 0,5 мм не проявляет кристаллической изменяющейся со временем величиной структуры. Основная часть були (90% деформации и разрушении (триболюмиее объема) - поликристаллический ZnS несценция) . ' с осесимметричной цилиндрической симП р и м е р 5, К исходной шихте метрией. Мелкие кристаллы длиной * 1 мм j Zn и S добавляют 0,5 моль X иттрия и в поперечнике *w50 мкм осями в оси проводят процесс аналогично применовном направлены вдоль радиуса обру 1. Получают пюминофор, дающий форазца с хаотическим расположением то- и ренггенолюминесценцию с максиплоскостей спайности. Центральная мумами полосы при'Дме,к.с= 520 нм. часть образца диаметром Ш мм состоП р и м е р 6. i исходной шихте • f 20 ит из более мелких кристаллов. Zn н S добавляют 0,5 моль % бария Синтезированные кристаллы ZnS при и проводят процесс аналогично примевозбуждении He-Cd лазером СА =441 нм) ру 1. Получают люминофор, дающий фодают при комнатной температуре широто- и рентгенолюминесценцию с максиi кую полосу "зеленой11 фотолюминесцен- 25 мумом полосы п Р и / А м п к с = ^-* н м * ции с Д м а к с = 510 нм, характерной для Следовательно, предлагаемый способ кристаллов ZnS, полученных традиционсинтеза позволяет получить качестными технологиями, "Зеленая" лгоминевенный и дешевый продукт, который мо'сценция возбуждается при помещении жет быть использован как фото-, рентсинтезированных кристаллов в электри* ^о гено-, катодо-, электро- и триболюческое поле, созданное электрофорной минофор. машиной при U л/ 10* В. П р и м е р 2. Процесс ведут ана- • логично примеру 1, но избыток серы берут 5 моль %, а синтез проводят при 35 давлении инертного газа 80 атм. Полнота превращения составляет 9§%, а центральная часть сужается до d = 5 мм Поджигающий слой в этом примере разме щают на удалении 20 мм от шихты. П р и м е р 3. Процесс ведут аналогично примеру 1, но избыток серы бе рут 2,5 моль %, а синтез проводят при давлении 120 атм и удалении поджигающего слоя на 30 мм от шихты. Полнота превращения составляет 98,5%, а центральная часть поликристалла d = 5 мм. П р и м е р 4. Если к исходной шихте Zn и S добавить 1 моль % Мл и провести те операции, что описаны в примере 1, то получим активированный 50 люминофор ZnS-Mn, Такие люминофоры дают различные виды люминесценции с широкой полосой, максимум которой находится на 580 нм: фото - (при возбуждении Не-С лазером), рентгено- (при 55 возбуждении Си и Кьї. -излучением) , ка Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я 1. Способ получения поликристалла на основе сульфида цинка путем послойного горения шихты, спрессованной из порошков исходных элементов, в замкнут.ом объеме под давлением инертного газа при инициировании горения в поджигающем слое шихты того же состава, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения плотности поликристалла и улучшения его структуры, порошки, исходных элементов берут дисперсностью не более 10 мкм в соотношении, соответствующем формуле ^*п^ 101- И 1 » поджигающий слой размещают на расстоянии не менее 10 мм от спрессованной шихты и инициирование горения проводят при давлении инертного газа 40-120 атм, 2. Способ п о п , 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения области спектра люминесценции поликристалла, в порошки исходных элементов вводят активирующие добавки. 1616203 Редактор А. Кондрахина Составитель В. Веэбородова Техред л.Олийнык Корректор М.Пожо Заказ 4272/ДСП , Тираж 216 Подписное ВНИКЛИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101