Рашковецький Любомир Васильович
Спосіб обробки детекторів іонізуючого випромінювання на основі монокристалів cdznte
Номер патенту: 87974
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Стрельчук Віктор Васильович, Рибка Олександр Вікторович, Бойко Микола Іванович, Сулима Сергій Віталієвич, Рашковецький Любомир Васильович, Кутній Володимир Євдокимович, Насєка Юрій Миколайович, Коваленко Назар Олегович
МПК: G01T 1/24
Мітки: обробки, основі, випромінювання, іонізуючого, спосіб, монокристалів, детекторів, cdznte
Формула / Реферат:
Спосіб обробки напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів кадмій-цинк-телур, що включає механічну та хімічну обробку пластин детектора, нанесення контактів та закріплення в корпусі, який відрізняється тим, що напівпровідниковий детектор (кристал) після визначеного часу експлуатації ізотермічно відпалюють в атмосфері аргону у діапазоні температур 60-200 °C протягом 3-0,5 години.