Сулима Сергій Віталієвич
Спосіб обробки детекторів іонізуючого випромінювання на основі монокристалів cdznte
Номер патенту: 87974
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Рибка Олександр Вікторович, Рашковецький Любомир Васильович, Бойко Микола Іванович, Сулима Сергій Віталієвич, Стрельчук Віктор Васильович, Коваленко Назар Олегович, Кутній Володимир Євдокимович, Насєка Юрій Миколайович
МПК: G01T 1/24
Мітки: монокристалів, основі, cdznte, іонізуючого, спосіб, детекторів, випромінювання, обробки
Формула / Реферат:
Спосіб обробки напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів кадмій-цинк-телур, що включає механічну та хімічну обробку пластин детектора, нанесення контактів та закріплення в корпусі, який відрізняється тим, що напівпровідниковий детектор (кристал) після визначеного часу експлуатації ізотермічно відпалюють в атмосфері аргону у діапазоні температур 60-200 °C протягом 3-0,5 години.