Патенти з міткою «cdznte»

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі

МПК: C30B 11/00, H01L 31/00

Мітки: cdznte, характеристик, детекторів, основі, підвищення, гамма-випромінювання, опроміненням, рідкому, лазера, багатократним, імпульсами, виготовлення, середовищі, переходом, спосіб, рентгенівського

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Номер патенту: 87974

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Коваленко Назар Олегович, Рибка Олександр Вікторович, Бойко Микола Іванович, Сулима Сергій Віталієвич, Насєка Юрій Миколайович, Стрельчук Віктор Васильович, Рашковецький Любомир Васильович, Кутній Володимир Євдокимович

МПК: G01T 1/24

Мітки: cdznte, обробки, основі, детекторів, спосіб, випромінювання, іонізуючого, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів кадмій-цинк-телур, що включає механічну та хімічну обробку пластин детектора, нанесення контактів та закріплення в корпусі, який відрізняється тим, що напівпровідниковий детектор (кристал) після визначеного часу експлуатації ізотермічно відпалюють в атмосфері аргону у діапазоні температур 60-200 °C протягом 3-0,5 години.

Номер патенту: 71652

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: детектора, сполуки, основі, спосіб, отримання, спектрометричного, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...

Номер патенту: 51304

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: спосіб, спектрометричного, детектора, отримання, основі, cdznte, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі кристалів CdZnTe, що включає механічну обробку поверхні, просушування, видалення порушеного шару, нанесення суцільних електричних контактів на протилежні поверхні кристала, отримання захисного шару на боковій поверхні, який відрізняється тим, що спочатку наносять суцільні електричні контакти на протилежні поверхні кристала, а потім видаляють порушений шар із бокової поверхні шляхом...

Номер патенту: 48252

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: детектора, спектрометричного, cdznte, отримання, основі, спосіб, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, нанесення суцільних електричних контактів на протилежні поверхні кристала, отримання захисного шару на боковій поверхні шляхом опромінювання УФ-випромінюванням у атмосфері, що містить кисень, з інтенсивністю випромінювання 10...20 кВт/м2, який...

Номер патенту: 40276

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Британ Віктор Богданович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Пігур Ольга Миколаївна, Вахняк Надія Дмитрівна, Попович Володимир Дмитрович, Лоцько Олександр Павлович, Цюцюра Дмитро Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 23/00

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та CdZnTe, що включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів і формування монокристала з подрібненої шихти шляхом нагрівання кварцевої ампули з шихтою в вертикальній двозонній печі, який відрізняється тим, що синтез і формування монокристала проводять в атмосфері водню, нагрівання кварцевої ампули з шихтою і формування монокристала проводять в першій зоні печі при температурі Т1 = 900-1050 °С,...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Сулима Сергій Віталійович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: спосіб, отримання, cdznte, детектора, основі, спектрометричного, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Бобицький Ярослав Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Крюченко Юрій Володимирович, Крилюк Сергій Георгійович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 21/04

Мітки: детектора, основі, спосіб, сdte, виготовлення, х-випромінювання, високоомних, cdznte, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...