Рудий Богдан Анатолійович
Спосіб виготовлення тонкоплівкових багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів з вертикальними електронно-дірковими переходами
Номер патенту: 67068
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Шмирєва Олександра Миколаївна, Рудий Богдан Анатолійович
МПК: H01L 31/04
Мітки: тонкоплівкових, виготовлення, вертикальними, переходами, перетворювачів, електронно-дірковими, спосіб, фотоелектричних, багатоперехідних
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення тонкоплівкових багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів з вертикальними електронно-дірковими переходами, вертикальні електронно-діркові переходи в якому створюють шляхом перекристалізації лазерним променем окремих ділянок нанесеної на ізолюючу підкладку аморфної напівпровідникової плівки, який відрізняється тим, що на дві прозорі ізолюючі підкладки наносять по одній плівці аморфного напівпровідникового матеріалу,...
Спосіб виготовлення багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів
Номер патенту: 56814
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Шмирева Олександра Миколаївна, Рудий Богдан Анатолійович
МПК: H01L 31/04
Мітки: фотоелектричних, багатоперехідних, спосіб, виготовлення, перетворювачів
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів, що включає утворення вертикальних електронно-діркових переходів, який відрізняється тим, що утворення вертикальних електронно-діркових переходів здійснюють у тонкій плівці аморфного напівпровідникового матеріалу шляхом перекристалізації окремих ділянок цієї плівки на всю її товщину нагрівним променем, при цьому частка кристалічної фази в перекристалізованих областях...
Аморфний тонкоплівковий фоточутливий сіліконовий сплав
Номер патенту: 36736
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Шмирєва Олександра Миколаївна, Рудий Богдан Анатолійович
МПК: H01L 31/04
Мітки: аморфний, сплав, силіконовий, фоточутливий, тонкоплівковий
Текст:
...xapaктеристик шляхом утворення з атомами Si міцнішого та надійнішого зв'язку. Поставлена задача вирішується тим, що в аморфному тонкоплівковому фоточутливому сіліконовому сплаві, що включає лігуючий компонент, новим є те, що лігуючим компонентом є рідкоземельний метал ітрій (Y) у кількості 2-35% по масі, при цьому умовна формула сплаву: a-Si1-хYх, де х = 0,02¸0,35 по масі. В результаті в аморфному негідрогенізованому (без водню)...