Патенти з міткою «тонкоплівкових»

Номер патенту: 116965

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Косяк Володимир Володимирович, Опанасюк Анатолій Сергійович, Возний Андрій Андрійович

МПК: H01L 29/00

Мітки: гетероперехідних, лазерного, спосіб, матеріалу, опромінення, структур, вихідного, методом, тонкоплівкових, г.п, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних структур n-SnS2/p-SnS, що включає вирощування шару дисульфіду олова (SnS2) з n-типом провідності шляхом термічного випаровування на підкладку вихідного матеріалу SnS2 у квазізамкненому об'ємі (КЗО), який відрізняється тим, що на поверхні одержаного шару SnS2 з n-типом провідності додатково формують однорідний за площею шар сульфіду олова (SnS) з p-типом провідності шляхом лазерного опромінення...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Никируй Любомир Іванович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: p-типу, потужністю, структур, термоелектричною, покращеною, тонкоплівкових, напівпровідникових, snte:bi, отримання, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 75529

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Соболь Валерій Петрович, Садковська Людмила Василівна, Магунов Ігор Робертович, Мозкова Ольга Володимирівна, Чигринов Валентин Ерленович, Зінченко Віктор Федосійович

МПК: G02B 5/28

Мітки: матеріал, одношарових, тонкоплівкових, покриттів

Формула / Реферат:

 Матеріал для тонкоплівкових одношарових покриттів, що містить германій елементний та халькогенід цинку, який відрізняється тим, що як халькогенід цинку використовують ZnSe, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: ZnSe 70,0¸65,0 Ge 30,0¸35,0.

Номер патенту: 40096

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Жавжаров Євген Леонідович, Матюшин Володимир Михайлович, Антонченко Ніна Анатоліївна

МПК: C23C 14/06, C23C 14/58

Мітки: тонкоплівкових, спосіб, тензоелементів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення тонкоплівкових тензоелементів, який включає етап нанесення тонких металевих плівок на діелектричну підкладинку методом напилення у вакуумі та наступний етап обробки, який відрізняється тим, що обробка гетероструктури з плівкою відбувається за кімнатних температур одностадійно в атмосфері електрично-нейтрального атомарного водню в вакуумній установці.

Номер патенту: 19879

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Демченко Валентина Андріївна, Гончарко Володимир Семенович, Сафронов Сергій Антонович

МПК: H01C 7/00

Мітки: виготовлення, резистивний, матеріал, тонкоплівкових, резисторів

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить нікель, хром і кремній, який відрізняється тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 30,00-35,00 кремній 2,0-3,0 нікель решта.

Номер патенту: 19878

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Сафронов Сергій Антонович, Демченко Валентина Андріївна, Гончарко Володимир Семенович

МПК: H01C 7/00

Мітки: резисторів, виготовлення, резистивний, матеріал, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить хром і кремній, який відрізняється тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 25,0-28,0 кремнію решта.

Номер патенту: 19877

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Сафронов Сергій Антонович, Демченко Валентина Андріївна, Гончарко Володимир Семенович

МПК: H01C 7/00

Мітки: резисторів, матеріал, резистивний, виготовлення, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить хром і кремній, який відрізняється тим, що він додатково містить ванадій, при цьому зазначені речовини використовують у вигляді вільних елементів, при наступному вмісті компонентів, мас. %: ванадій 13,0-17,0 кремнію 50,00-55,00 хрому ...

Номер патенту: 75288

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Рябцев Сергій Іванович, Большаков Володимир Іванович, Білецька Ольга Євгенівна, Брехаря Григорій Павлович, Доценко Федір Федорович, Башев Валерій Федорович

МПК: C21D 10/00, C22C 38/00, H01C 7/10 ...

Мітки: резисторів, спосіб, сплав, тонкоплівкових, одержання

Формула / Реферат:

1. Сплав для тонкоплівкових резисторів, що містить залізо та вуглець, який відрізняється тим, що він містить залізо та вуглець у такому співвідношенні компонентів (ат.%):вуглець - 65,0 - 75,0, залізо - решта.2. Спосіб одержання сплаву для тонкоплівкових резисторів, який включає триелектродне іонно-плазмове розпилення набірних мішеней, які складаються зі статистично рівномірно розташованих квадратів чистих елементів, що...

Номер патенту: 67068

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Рудий Богдан Анатолійович, Шмирєва Олександра Миколаївна

МПК: H01L 31/04

Мітки: багатоперехідних, спосіб, тонкоплівкових, переходами, виготовлення, електронно-дірковими, фотоелектричних, перетворювачів, вертикальними

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення тонкоплівкових багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів з вертикальними електронно-дірковими переходами, вертикальні електронно-діркові переходи в якому створюють шляхом перекристалізації лазерним променем окремих ділянок нанесеної на ізолюючу підкладку аморфної напівпровідникової плівки, який відрізняється тим, що на дві прозорі ізолюючі підкладки наносять по одній плівці аморфного напівпровідникового матеріалу,...

Номер патенту: 13234

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Левін Євген Михайлович, Арєшкін Алєксєй Андрєєвіч, Кужель Богдан Степанович, Куценко Віктор Іванович, Марковський Олексій Анатолійович, Балабін Міхаіл Юрьєвіч, Мінєєв Олексій Семенович

МПК: H01C 7/00

Мітки: резисторів, прецизійних, високоомний, тонкоплівкових, матеріал

Формула / Реферат:

Высокоомный материал для прецизионных тонкопленочных резисторов, содержащий иттрий, хром и кремний, отличающийся тем, что он выполнен в виде сплава иттрия, хрома и кремния при следующем соотношении исходных компонентов, мас.%: Иттрий 2,44-4,83 Хром 46,12-44,25 Кремний 51,44-50,92.

Номер патенту: 11185

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Муза Михайло Анатолійович, Гончаров Олександр Андрійович, Усенко Ніна Миколаївна, Ігнатенко Петро Іванович, Соколова Ірина Василівна, Куделін Юрій Васильович

МПК: H01C 7/00

Мітки: виготовлення, тонкоплівкових, матеріал, резисторів

Формула / Реферат:

(57) Материал для тонкопленочных резисторов, содержащий твердый раствор на основе дисилицида хрома и дисилицида никеля, отличающийся тем, что он дополнительно содержит нитрид кремния при следующем соотношении компонентов, мас. %: дисилицид никеля 19-20 нитрид кремния 3-6 дисилицид хрома остальное.

Номер патенту: 11394

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кудь Ірина Володимирівна, Ганієв Рев Вазіхович, Шпилевський Едуард Михайлович, Дворіна Людмила Андріївна, Волкова Ольга Олександрівна, Єрьоменко Людмила Іванівна

МПК: H01C 7/00

Мітки: резисторів, матеріал, виготовлення, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

Материал для изготовления тонкопленочных резисторов, включающий кремний, хром, марга­нец, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную область, исходные компоненты взя­ты в следующем количественном соотношении, мас.%:хром               35,0-43,4марганец        5,1-14,4кремний         остальное.

Номер патенту: 9402

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Гарягдиєв Гурбанберді, Шейнкман Михайло Ківович, Атдаєв Байрамгилич Сапаргилиджович, Рахлін Михайло Якович, Булах Борис Макарович

МПК: H01L 21/477, H01L 31/18

Мітки: одержання, фоточутлівих, спосіб, гетеропереходів, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

1. Способ получения фоточувствительных тонкопленочных гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, включающий нанесение на прозрачную подложку базового слоя CdS:In путем термической деструк­ции дибутилдитиокарбаматов кадмия и индия при температуре в диапазоне 290-300°С, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения качества фо­тоэлектрического преобразования гетероперехо­дов путем повышения степени чистоты слоев р-n-переходов и кристаллического совершенства...

Номер патенту: 8485

Опубліковано: 30.09.1996

Автор: Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: схем, тонкоплівкових, системі, інтегральних, елементів, контактно-металізованої, формування, спосіб

Формула / Реферат:

Способ формирования контактно-металлизированной системы тонкоплсночных элементов интегральных схем, включающий очистку под­ложки, нанесение методом напыления резистивной пленки из сплавов керметных материалов, пленки никеля или алюминия для контактных площадок и металлизации, создание топологии ре­зисторов, токоведущих шин и контактных площа­док методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и повы­шения...