H01L 31/04 — призначені для роботи в якості фотоелектричних перетворювачів, наприклад фотоелектричні модулі або поодинокі фотоелектричні елементи

Номер патенту: 119439

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Швалюк Ігор Сергійович, Хок Шоханул Амінулович, Синєглазов Віктор Михайлович

МПК: H01L 31/04, H02S 40/00

Мітки: пристрій, фотоелектричних, контролю, неполадок, сонячних, сигналізування, батерей, дефектів

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю дефектів фотоелектричних сонячних батарей і сигналізування неполадок, який відрізняється тим, що кожна сонячна батарея з масиву підключена до цифрового осцилографа, який підключений до контролера на базі Arduino, що з'єднаний з зовнішньою пам'яттю та індикатором.

Номер патенту: 108143

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Андрєєв Олександр Анатолійович, Боровий Ярослав Анатолійович, Остапін Іван Сергійович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Борова Валентина Євгенівна, Берник Віталій Олегович

МПК: H01L 31/04, F03D 1/04, F24J 2/24 ...

Мітки: електростанція, вітрова, сонячна, фотоелектрична, термоповітряна

Формула / Реферат:

Сонячна фотоелектрична термоповітряна вітрова електростанція, яка містить витяжну трубу з турбогенераторним вузлом, зовнішнє прозоре покриття, виконане у вигляді ряду труб, в порожнині яких коаксіально з зазором розміщені фотоелементи і внутрішнє покриття заповнене теплоносієм, в порожнині витяжної труби коаксіально встановлена додаткова труба, яка з′єднана із внутрішнім покриттям, яке із витяжною трубою виконані з теплопровідного...

Номер патенту: 108104

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Голенков Олександр Генадійович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович, Цибрій Зіновія Федорівна, Петряков Володимир Олексійович, Бунчук Світлана Григорівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Смолій Марія Іванівна

МПК: G01J 5/20, G01J 1/42, H01L 27/142 ...

Мітки: випромінювання, напівпровідниковий, діапазонів, приймач, дводіапазонний, спектра

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...

Номер патенту: 102171

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Андрєєв Олександр Анатолійович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Берник Віталій Олегович, Боровий Ярослав Анатолійович, Борова Валентина Євгенівна, Остапін Іван Сергійович

МПК: E02B 9/00, H01L 31/04, F24J 2/24 ...

Мітки: сонце, міні-гідроелектростанція, сонячна, фотоелектрична, наведення, гідросистемою

Формула / Реферат:

1. Сонячна фотоелектрична міні-гідроелектростанція із гідросистемою наведення на Сонце, яка містить зовнішнє прозоре покриття, у вигляді ряду труб, в порожнині яких коаксіально із кільцевою щілиною розміщені фотоелементи, при цьому вони встановлені в фокусі параболічних концентраторів сонячної енергії, оснащених системою наведення на Сонце, в трубах верхні торці з'єднані з джерелом води, а нижні торці - з турбогенераторним вузлом, яка...

Номер патенту: 100469

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Скосар Вячеслав Юрійович, Плаксін Сергій Вікторович, Шкіль Юрій Володимирович, Дзензерський Віктор Олександрович

МПК: B60L 13/08, B60L 13/04, B60L 13/00 ...

Мітки: транспорт, електродинамічному, підвісі

Формула / Реферат:

Транспортний засіб на електродинамічному підвісі з електродинамічним приводом, у якого уздовж шляхової структури розташовані секції статорної обмотки лінійного синхронного тягового електродвигуна, кожна така секція складається зі шляхових котушок, шляхові котушки забезпечуються електроенергією від автономних джерел енергії, установлених уздовж шляхової структури, автономне джерело енергії складається з фотоелектричної установки для...

Номер патенту: 100468

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Плаксін Сергій Вікторович, Шкіль Юрій Володимирович, Дзензерський Віктор Олександрович, Скосар Вячеслав Юрійович

МПК: B60L 13/00, B60L 13/04, B60L 13/10 ...

Мітки: транспорт, магнітолевітуючий

Формула / Реферат:

Магнітолевітуючий транспортний засіб з електродинамічним приводом, у якого уздовж шляхової структури розташовані секції статорної обмотки лінійного синхронного тягового електродвигуна, кожна така секція складається зі шляхових котушок, шляхові котушки забезпечуються електроенергією від автономних джерел енергії, установлених уздовж шляхової структури, автономне джерело енергії складається з фотоелектричної установки для перетворення сонячної...

Номер патенту: 96380

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Борова Валентина Євгенівна, Віднічук Микола Антонович, Андрєєв Олександр Анатолійович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Берник Віталій Олегович, Остапін Іван Сергійович, Боровий Ярослав Анатолійович

МПК: H01L 31/04, E02B 9/00, F24J 2/24 ...

Мітки: міні-гідроелектростанція, сонячна, фотоелектрична

Формула / Реферат:

Сонячна фотоелектрична міні-гідроелектростанція, яка містить зовнішнє прозоре покриття, у вигляді ряду труб, в порожнині яких коаксіально із кільцевою щілиною розміщені фотоелементи, при цьому вони встановлені в фокусі параболічних концентраторів сонячної енергії, споряджених системою наведення на Сонце, і турбогенераторний вузол, яка відрізняється тим, що в трубах верхні торці з'єднані з джерелом води, а нижні торці з турбогенераторним...

Номер патенту: 95669

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Авксентьєва Любов Вікторівна, Оксанич Анатолій Петрович, Макаров Анатолій Володимирович, Клюй Микола Іванович, Притчин Сергій Емілійович

МПК: B23K 20/10, H01L 31/04

Мітки: фольги, спосіб, струмопровідних, металевої, з'єднання, шин

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання металевих струмопровідних шин між собою при складанні сонячних модулів, що включає їх ультразвукове мікрозварювання, який відрізняється тим, що з'єднання шин між собою здійснюють шляхом ультразвукового мікрозварювання, попередньо розмістивши їх одна над одною на масивному столику, на поверхні якого розміщена кремнієва пластина з текстурованою поверхнею, глибина рельєфу якої складає 5-10 мкм, що дозволяє запобігти переміщенню...

Номер патенту: 93895

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Замлинний Вячеслав Юрійович, Остапін Іван Сергійович, Берник Віталій Олегович, Андрєєв Олександр Анатолійович, Борова Валентина Євгенівна, Боровий Ярослав Анатолійович

МПК: F24J 2/24, E02B 9/00, H01L 31/04 ...

Мітки: сонячна, електростанція, вітрова, фотоелектрична

Формула / Реферат:

Сонячна фотоелектрична вітрова електростанція, яка містить підтримуючу конструкцію, обертальні фотоелементи і концентратори сонячної енергії, яка відрізняється тим, що вона оснащена вертикально-осьовою турбіною, в якій по боковому периметру закріплені, з нахилом і з можливістю обертання навколо вертикальної осі турбіни, параболічні концентратори сонячної енергії, у фокусі яких розміщені фотоелементи.

Номер патенту: 93894

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Боровий Ярослав Анатолійович, Борова Валентина Євгенівна, Берник Віталій Олегович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Остапін Іван Сергійович, Андрєєв Олександр Анатолійович

МПК: H01L 31/04, F24J 2/24, F03D 1/04 ...

Мітки: фотоелектрична, електростанція, сонячна, термоповітряна

Формула / Реферат:

1. Сонячна фотоелектрична термоповітряна електростанція, яка містить зовнішнє прозоре покриття, внутрішнє пустотіле покриття, заповнене теплоносієм, покриття утворюють між собою щілину, витяжну трубу з турбогенераторним вузлом, внутрішнє покриття і витяжна труба виконані з теплопровідного матеріалу із затемненою поверхнею, в порожнині витяжної труби коаксіально встановлена додаткова труба, яка з'єднана із внутрішнім покриттям, яка...

Номер патенту: 105678

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Голенков Олександр Геннадійович, Рева Володимир Павлович, Сизов Федір Федорович, Бут Дмитро Борисович

МПК: H01L 31/04, H01Q 23/00, H01Q 1/00 ...

Мітки: діапазонів, субміліметрового, приймач, спектра, міліметрового, інтегральній, випромінювання, монолітний

Формула / Реферат:

1. Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів електромагнітного спектра, який містить метал-діелектрик-напівпровідниковий (МДН) транзистор-приймач випромінювання, підсилювач, антену міліметрового або субміліметрового діапазонів спектра, яка з'єднана з затвором МДН транзистора-приймача, перше джерело постійної напруги, з'єднане з затвором транзистора-приймача випромінювання, який відрізняється...

Номер патенту: 90346

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Новосад Ірина Степанівна, Новосад Степан Степанович, Калівошка Богдана Михайлівна, Матвіїшин Ігор Михайлович

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Мітки: детектор, іонізуючого, випромінювання

Формула / Реферат:

Детектор іонізуючого випромінювання, що містить чутливий елемент, виготовлений з кристала шаруватої структури у вигляді паралелепіпеда, опромінювана поверхня якого є площиною сколу, омічні контакти нанесені на протилежні поверхні сколу чутливого елемента тангенціально до кристалографічної осі С6, і реєструючий прилад, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використаний кристал йодистого кадмію з домішкою AgI при такому співвідношенні...

Номер патенту: 90345

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Новосад Степан Степанович, Матвіїшин Ігор Михайлович, Калівошка Богдана Михайлівна, Новосад Ірина Степанівна

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Мітки: іонізуючого, детектор, випромінювання

Формула / Реферат:

Детектор іонізуючого випромінювання, що містить чутливий елемент, виготовлений з кристала шаруватої структури у вигляді паралелепіпеда, опромінювана поверхня якого є площиною сколу, омічні контакти, нанесені на протилежні поверхні сколу чутливого елемента тангенціально до кристалографічної осі С6, і реєструючий прилад, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використаний кристал йодистого свинцю.

Номер патенту: 83089

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Боровий Ярослав Анатолійович, Борова Валентина Євгенівна, Берник Віталій Олегович, Остапін Іван Сергійович, Андрєєв Олександр Анатолійович

МПК: H01L 31/04

Мітки: концентратор, перетворювач, сонячної, фотоелектричний, енергії

Формула / Реферат:

1. Фотоелектричний концентратор і перетворювач сонячної енергії, який включає лінзу, кріплення, сонячний фотоелемент, який відрізняється тим, що над лінзою встановлені сонячно-променеві напрямні, виконані у вигляді оптичних волокон.2. Фотоелектричний концентратор і перетворювач сонячної енергії за п. 1. який відрізняється тим, що на оптичних волокнах на їх верхніх торцях встановлене захисне прозоре покриття.3. Фотоелектричний...

Номер патенту: 102617

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Піскун Сергій Жанович

МПК: H01L 29/00, H01L 31/105, H01L 31/04 ...

Мітки: фотоприймач, характеристикою, регульованою, напівпровідниковий, спектральною, світлоструму

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену р-область і вироджений компенсований шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі, направленому від n-області до р-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини компенсованого шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, з можливістю вводу вхідного...

Номер патенту: 75438

Опубліковано: 26.11.2012

Автор: Свірідов Сергій Дмитрович

МПК: H01L 31/04

Мітки: електричну, перетворення, світлової, енергії, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для перетворення світлової енергії у електричну, який складається із світлоелектричних елементів, кожний з котрих містить корпус у вигляді довгого циліндра, виконаного із тонкого скла, при чому внутрішня частина циліндра по всій його довжині містить сонячний елемент, а у центрі циліндра по всій його довжині розміщено ніхромову нитку, де світлоелектричні елементи розташовано щільно один до одного таким чином, що вони утворюють у...

Номер патенту: 70482

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Піскун Сергій Жанович

МПК: H01L 31/04

Мітки: напівпровідниковий, спектральною, характеристикою, регульованою, світлоструму, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену p-область і вироджений компенсований с-шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі направленому від n-області до p-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини с-шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, через одну з яких, перпендикулярно до них в...

Номер патенту: 63885

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Пабат Анантолій Іванович, Гостєва Анастасія Василівна, Пабат Анастасія Анатоліївна

МПК: H01L 31/04, F24D 3/14, E04C 1/39 ...

Мітки: приміщення, спосіб, опалювання

Формула / Реферат:

Спосіб опалювання приміщення, яке містить принаймні один отвір, в якому розміщена орієнтована на південь, захід або схід віконна ніша, що містить вікно, підвіконня і бічні укоси, для опалювання використовують підвіконня і/або бічні укоси віконних ніш, які виконують такими, що підігріваються, причому температуру лицьової поверхні підвіконь, бічних укосів віконних ніш підтримують в інтервалі 25-50 °С, який відрізняється тим, що підігрів...

Номер патенту: 57679

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Філинюк Микола Антонович, Ліщинська Людмила Броніславівна, Рожкова Яна Сергіївна, Фурса Світлана Євгеніївна, Барабан Марія Володимирівна

МПК: G01R 1/00, H01L 31/04, H01L 31/08 ...

Мітки: генераторний, резистивний, датчик

Формула / Реферат:

Резистивний генераторний датчик, що містить резистивний первинний вимірювальний перетворювач, підключений паралельно до транзисторної схеми, який відрізняється тим, що введено другий резистивний первинний перетворювач імітансу, підключений паралельно до першого, три резистори, перший, другий, тертій та четвертий конденсатори, шину живлення, загальну шину, причому як транзистор використаний одноперехідний транзистор, емітер якого з'єднано з...

Номер патенту: 55340

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Тимчишин Вікторія Романівна, Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Круковський Ростислав Семенович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: F24J 2/42, H01L 31/04

Мітки: сонячної, перетворювач, енергії

Формула / Реферат:

1. Перетворювач сонячної енергії, що містить герметичний корпус з теплоізоляцією, оснащений прозорим покриттям, під яким розташовані фотоелектричні перетворювачі, встановлені з забезпеченням теплового контакту на випарних зонах теплових труб, конденсаційні зони яких мають тепловий контакт з теплоносієм, який відрізняється тим, що фотоелектричні перетворювачі виконано у вигляді епітаксійних тандемних гетероструктур на основі сполук А3В5, а...

Номер патенту: 45738

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Чухрай Андрій Григорійович, Подопригора Анна Василівна, Бандура Іван Миколайович

МПК: H01L 31/04

Мітки: сонячна, електростанція

Формула / Реферат:

Сонячна електростанція, що містить послідовно з'єднані сонячний генератор з панелями сонячних батарей, пристрій відбору максимальної потужності, регулятор зарядки-розрядки, інвертор, споживач змінного струму, а також споживач постійного струму, підключений до виходу регулятора зарядки-розрядки, і акумуляторну батарею, з'єднану з регулятором зарядки-розрядки, яка відрізняється тим, що додатково введений датчик сонця, розташований на панелях...

Номер патенту: 85333

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Тимчук Ігор Трохимович, Костишин Ярослав Ярославович, Проценко Максим Анатолійович, Антонова Валентина Антонівна, Буєров Геннадий Васильович, Лістратенко Олександр Михайлович, Борщов В'ячеслав Миколайович

МПК: H01L 31/04

Мітки: батареї, виготовлення, спосіб, гнучкого, модуля, сонячної

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гнучкого модуля сонячної батареї, заснований на послідовно-паралельній комутації сонячних елементів між собою за допомогою гнучкої друкованої плати з алюміній-поліімідного фольгованого діелектрика, що включає формування фотолітографічним способом в алюмінієвому шарі фольгованого діелектрика смужок для паралельного з'єднання та гнучких виводів для послідовного з'єднання сонячних елементів, формування в поліімідному шарі...

Номер патенту: 81965

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Скуртул Олександр Дмитрович, Пастушкін Тимофій Вікторович, Шембель Олена Мойсеївна, Алпатов Анатолій Петрович, Шмирєва Олександра Миколаївна

МПК: H01L 31/04

Мітки: тонкоплівковий, інтегральній, фотомодуль

Формула / Реферат:

1. Інтегральний тонкоплівковий фотомодуль, що містить підкладку з нанесеним шаром напівпровідникового матеріалу, наприклад і-типу провідності, області, які чергуються між собою та мають різний тип провідності, різну величину легування і ширину забороненої зони, просвітлене покриття на лицьовій поверхні, омічні контакти, який відрізняється тим, що області, які чергуються між собою, сформовані в первинній плівці аморфного кремнію у вигляді...

Номер патенту: 81599

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Меєр Джеральд Дж., Ліндсі Джонатан С.

МПК: H01L 31/0256, H01L 29/02, H01L 27/142 ...

Мітки: світлопоглинальні, сонячні, ланцюги, елементи, містять

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент, який містить(а) першу підкладку, що містить перший електрод,(б) другу підкладку, що містить другий електрод, де перша і друга підкладки розташовані на відстані одна від одної, і принаймні одна з пар (і) перша підкладка і перший електрод і (іі) друга підкладка і другий електрод, є прозорою;(в) шар світлопоглинальних стрижнів з'єднаний електрично  з першим електродом, де кожен з світлопоглинальних...

Номер патенту: 79800

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Бойко Борис Тимофійович, Лісачук Георгій Вікторович, Хрипунов Геннадій Семенович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/0264

Мітки: фотоелектричних, спосіб, основі, гнучких, перетворювачів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гнучких фотоелектричних перетворювачів на основі CdTe, що включає  осадження методом магнетронного розпилення електродного шару оксидів індію й олова (ІТО)  на гнучку підкладку з прозорої поліімідної плівки,  пошарове осадження шляхом  термічного випаровування  шарів CdS та CdTe,  з наступним відпалом приладової структури із сформованими  зовнішніми електродами, який відрізняється тим, що додатково здійснюють відпал шару...

Номер патенту: 77743

Опубліковано: 15.01.2007

Автор: Родіонов Валерій Євгенович

МПК: H01L 31/04

Мітки: сонячний, елемент, тонкоплівковий

Формула / Реферат:

Тонкоплівковий сонячний елемент, який містить прозору діелектричну підкладку з послідовно розташованими на ній шаром прозорого провідного електрода, шаром напівпровідникового матеріалу р+-типу провідності, шаром напівпровідникового матеріалу р-типу провідності, шаром власного напівпровідника, шаром напівпровідникового матеріалу n-типу провідності, металічного електродного шару, який відрізняється тим, що за діелектричну підкладку вибрана...

Номер патенту: 77251

Опубліковано: 15.11.2006

Автор: Родіонов Валерій Євгенович

МПК: H01L 31/04

Мітки: сонячний, тонкоплівковий, елемент

Формула / Реферат:

Тонкоплівковий сонячний елемент, який містить прозору діелектричну підкладку з нанесеними на неї прозорим провідним шаром Іп2О3:SnО2 n-типу провідності, шаром напівпровідника р-типу провідності, металевим електродним шаром, який відрізняється тим, що за діелектричну підкладку вибрана прозора органічна плівка, на яку послідовно нанесені тонкі металеві шини вздовж всієї довжини плівки, шар Іn2О3:SnО2 n-типу провідності, напівпровідниковий шар...

Номер патенту: 10204

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Степанчиков Дмитро Михайлович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/08

Мітки: термофотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Термофотоелектричний перетворювач, що являє собою напівпровідникову пластину принаймні з двома контактами, який відрізняється тим, що пластина виконана з фосфіду кадмію (Сd3Р2) з бар'єром Шотткі, а контакти - з олова (Sn) або срібла (Ag).

Номер патенту: 7841

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Футей Олександр Володимирович, Войцеховська Анна Мар'янівна, Матвіїшин Ігор Михайлович, Новосад Ірина Степанівна, Новосад Степан Степанович

МПК: H01L 31/04, G01T 1/24

Мітки: випромінювання, іонізуючого, детектор

Формула / Реферат:

Детектор іонізуючого випромінювання, що містить чутливий елемент з кристалу CdІ2 шаруватої структури, на бокові грані якого нанесені контакти, та реєструючий прилад, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний шляхом сколювання вздовж шарів спайності у вигляді плоскопаралельної пластини у формі паралелепіпеда так, що опромінювана поверхня утворює з кристалографічною віссю С6, яка спрямована по нормалі до площин спайності кристалу,...

Номер патенту: 72279

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Херольд Хейко, Млечко Леслав, Бухгольц Зігурд

МПК: C01B 33/035, C01B 33/027, C01B 33/029 ...

Мітки: одержання, гранульованого, спосіб, кремнію, високочистого

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого гранульованого кремнію розкладанням газу, що містить сполуки кремнію, який відрізняється тим, що вказане розкладання виконують при тиску 100-900 мбар, розкладання виконують в присутності частинок, через які газ, що містить сполуки кремнію, проходить таким чином, що частинки піддаються псевдозрідженню і утворюють псевдозріджений шар, причому співвідношення між швидкістю потоку газу, що містить сполуки кремнію,...

Номер патенту: 71442

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Рассамакін Борис Михайлович, Хайрнасов Сергій Манісович, Рассамакін Андрій Борисович

МПК: H01L 31/04, F24J 2/42

Мітки: сонячної, комбінований, акумулятор, енергії

Формула / Реферат:

1. Комбінований акумулятор сонячної енергії, що містить герметичний корпус з теплоізоляцією, оснащений прозорим покриттям, під яким на теплообмінній поверхні з теплоносієм розташовані фотоперетворювачі, розміщені в шарі світлопровідного та теплопровідного герметика, що має тепловий контакт з теплообмінною поверхнею, який відрізняється тим, що теплообмінна поверхня виконана у вигляді теплових труб (ТТ), а фотоперетворювачі розташовані на...

Номер патенту: 68887

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Гуга Костянтин Юрійович, Коллюх Олексій Галактионович, Мороженко Василь Олександрович, Ліптуга Анатолій Іванович, Венгер Євген Федорович, Піпа Віктор Йосипович

МПК: H01L 31/04

Мітки: реалізації, джерела, пристрій, спосіб, випромінювання, інфрачервоного, параметрами, керування

Формула / Реферат:

1. Спосіб керування параметрами джерела інфрачервоного випромінювання, що включає використання напівпровідникового напівпрозорого активного випромінюючого шару у вигляді резонатора Фабрі-Перо нагрітого до температури вище температури навколишнього середовища, який відрізняється тим, що паралельно активному елементу на відстані L розміщують плоске дзеркало, а робочою довжиною випромінювання джерела

Номер патенту: 67417

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Марончук Олександр Ігорович, Шутов Станіслав Вікторович, Лубяний Віктор Захарович, Аппазов Едуард Сейярович

МПК: H01L 31/08, H01L 31/04

Мітки: термофотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Термофотоелектричний перетворювач, що являє собою леговану важкими металами напівпровідникову пластину принаймні з двома контактами, який відрізняється тим, що напівпровідникова пластина виконана з нітриду індію, а контакти з SnО2:Іn2О3.

Номер патенту: 67068

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Шмирєва Олександра Миколаївна, Рудий Богдан Анатолійович

МПК: H01L 31/04

Мітки: вертикальними, виготовлення, фотоелектричних, багатоперехідних, електронно-дірковими, перетворювачів, переходами, спосіб, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення тонкоплівкових багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів з вертикальними електронно-дірковими переходами, вертикальні електронно-діркові переходи в якому створюють шляхом перекристалізації лазерним променем окремих ділянок нанесеної на ізолюючу підкладку аморфної напівпровідникової плівки, який відрізняється тим, що на дві прозорі ізолюючі підкладки наносять по одній плівці аморфного напівпровідникового матеріалу,...

Номер патенту: 66351

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Йанг Чі-Чунг, Гуха Субхенду, Джоунс Скотт, Денг Ксунмінг, Овшинські Стенфорд Р.

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/036, H01L 31/04 ...

Мітки: речовина, кремнієва, немонокристалічна

Формула / Реферат:

1. Немонокристалічна кремнієва речовина, яка відрізняється тим, що містить області речовини з проміжним порядком з розмірами кристалів від 10А до 50А, які складають щонайменше 8 об'ємних відсотків, але не містить більшого або рівного об'ємного відсотка, що призводить до утворення перколяційного каналу усередині речовини, причому решта речовини є речовиною або аморфною, або сумішшю аморфної і мікрокристалічної речовин.2....

Номер патенту: 56814

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Шмирева Олександра Миколаївна, Рудий Богдан Анатолійович

МПК: H01L 31/04

Мітки: спосіб, виготовлення, фотоелектричних, перетворювачів, багатоперехідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів, що включає утворення вертикальних електронно-діркових переходів, який відрізняється тим, що утворення вертикальних електронно-діркових переходів здійснюють у тонкій плівці аморфного напівпровідникового матеріалу шляхом перекристалізації окремих ділянок цієї плівки на всю її товщину нагрівним променем, при цьому частка кристалічної фази в перекристалізованих областях...

Номер патенту: 44600

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Волков Володимир Миколайович, Стародубов Валерій Григорович, Бершак Сергій Іванович, Вербицький Володимир Григорович, Терещенко Володимир Степанович, Литовченко Володимир Григорович, Фрідман Михайло Олександрович, Вінніков Микола Михайлович

МПК: H01L 31/04, F24J 2/06

Мітки: теплофотоелектричний, фокусуючий, сонячний, колектор

Формула / Реферат:

Сонячний фокусуючий теплофотоелектричний колектор, що містить корпус зі світлопрозорим покриттям, паралельно розташовані в ньому приймачі випромінювання у вигляді листо-трубних пластин, розміщених у порожнині відбивача таким чином, що їх площини симетрії збігаються з головної оптичною площиною відбивача, при цьому радіус відбивача дорівнює ширині теплоприймача, який відрізняється тим, що пластини приймача випромінювання виконані гофрованими з...

Номер патенту: 36736

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Рудий Богдан Анатолійович, Шмирєва Олександра Миколаївна

МПК: H01L 31/04

Мітки: тонкоплівковий, фоточутливий, аморфний, силіконовий, сплав

Текст:

...xapaктеристик шляхом утворення з атомами Si міцнішого та надійнішого зв'язку. Поставлена задача вирішується тим, що в аморфному тонкоплівковому фоточутливому сіліконовому сплаві, що включає лігуючий компонент, новим є те, що лігуючим компонентом є рідкоземельний метал ітрій (Y) у кількості 2-35% по масі, при цьому умовна формула сплаву: a-Si1-хYх, де х = 0,02¸0,35 по масі. В результаті в аморфному негідрогенізованому (без водню)...

Номер патенту: 28569

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Жадько Іван Павлович, Романов Валентин Олександрович, Венгер Евген Федорович, Зінченко Едуард Олексійович, Тарбаєв Микола Іванович, Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич, Шепельський Георгій Анатолійович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/04

Мітки: фотоелемент, позиційно-чутливий, двокоординатний

Формула / Реферат:

Двокоординатний позиційно-чутливий фотоелемент, що вміщує сформований на підкладці напівпровідниковий фоточутливий шар з омічними контактами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий фоточутливий шар виконано у формі змійок, які поширюються від центрального контакту по двум взаємоперпендикулярним координатам та мають на кінцях контакти, і розташовано в зазорі мікромагніту, магнітне поле якого спрямовано під кутом 45° до координат, при...

Номер патенту: 22098

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Засєцький Ернст Петрович, Кириченко В'ячеслав Олексійович, Альошин Анатолій Михайлович

МПК: H01L 31/04

Мітки: виготовлення, спосіб, сонячний, елемент

Формула / Реферат:

1. Солнечный элемент на кремниевой пла­стине, отличающийся тем, что пластина изготов­лена из технического кремния с содержанием примесей менее 0,1 вес.% и выполняет функцию механической основы для рабочего эпитаксиального слоя полупроводникового кремния одноименного с исходной пластиной типа проводимости, служащего материалом для формирования р-n-пе-рехода или системы Si-іто-слой. 2. Способ изготовления солнечного элемента на основе...