Шиян Олександр Васильович
Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію
Номер патенту: 101707
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Журавльов Олександр Юрійович, Широков Борис Михайлович, Шеремет Володимир Іванович, Шиян Олександр Васильович
МПК: H01L 21/00, C23C 14/00
Мітки: осадження, структур, джерело, кремнію, атомів, вакуумного, напівпровідникових, основі
Формула / Реферат:
1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...