Спосіб вирощування розсади дині
Номер патенту: 22639
Опубліковано: 25.04.2007
Завантажити PDF файл.
Формула / Реферат
Спосіб вирощування розсади дині, що включає застосування строків щеплення її на підщепи з родини гарбузових (Cucurbitacea), який відрізняється тим, що щеплення розсади дині на підщепи гарбуза фіголистого (Cucurbita ficifolia Bouche.) та крупноплідного (Cucurbita moschata Duch.), лагенарію (Lagenaria siceraria (Molino) Stand.) проводять на 3-4 добу після появи сходів, а на люфу або мочалку (Luffa agiptika Miller.), зимовий восковий або гарбуз індійський (Benincasa hispida Cogn. var. Clavata) - на 9-10 добу після появи сходів.
Текст
Корисна модель відноситься до сільського господарства, зокрема до способу вирощування розсади дині, а саме строків щеплення її на підщепи з родини Гарбузові: люфу, або мочалку (Luffa agiptika Miller.), зимовий восковий або гарбуз ідійський (Benincasa hispida Cogn. var. Clavata), лагенарію (Lagenaria siceraria (Molino) Stand., гарбуз фіголистний (Cucurbita ficifolia Bouche.) та гарбуз крупноплідний (Cucurbita moschata Duch.). Отримання високого проценту приживлених рослин значною мірою залежить від багатьох факторів, одним з яких є час щеплення. Найкращим віком для цього потрібно вважати фазу сім'ядолей з першим справжнім листком, що розвивається. В молодому віці тканина рослини складається із клітин, які здатні до посиленого поділу, що сприяє більш швидкому зростанню підщепи та прищепи шляхом з'єднання провідних пучків між ними. В літературі не знайдено точних даних щодо того, на яку добу після сходів потрібно провести щеплення дині на різні підщепи з родини Cucurbitacea. [Російський дослідник С.П.Лебедева в книзі: "Внедрение дыни в северные районы СССР (Прививка дыни на тыкву)" - М.: Сельхозиздат, 1942. -50с.] проводила щеплення дині на 10-11 добу після появи сходів. Тоді, як [І.А.Буркін (Дыни и арбузы в Нечерноземье / Картофель и овощи. - 1982. -№5. -С.32)] вважає, що краще щепити на 5-8 добу після появи сходів, коли позначаться два справжні листочки. Проходження етапів органогенезу у різних видів родини гарбузові не однаковий. Процес диференціації і старіння тканин в них протікає з різною швидкістю, що значно впливає на ступінь приживлених рослин дині на цих підщепах. Корисною моделлю ставиться завдання збільшити вихід приживлених рослин після щеплення. Поставлене корисною моделлю завдання досягається тим, що у способі вирощування розсади дині, що включає застосування строків щеплення її на підщепи з родини гарбузових (Cucurbitacea), згідно корисної моделі щеплення розсади дині на підщепи гарбуза фіголистого (Cucurbita ficifolia Bouche.) та крупноплідний (Cucurbita moschata Duch.), лагенарію (Lagenaria siceraria (Molino) Stand.) проводять на 3-4 добу після прояви сходів, а на люфу, або мочалку (Luffa agiptika Miller.) і зимовий восковий гарбуз (Benincasa hispida Cogn. var. Clavata) - на 9-10 добу після появи сходів. Процеси росту і розвитку у гарбузів крупноплідного та фіголистого проходять швидше, ніж в люфи та бенінкази. Ці підщепи на 3-4 добу росту мають грубіше стебло, яке менше травмується, а діаметр підсім'ядольного коліна більший, в результаті чого легше вкладати прищепу в підщепу. У бенінкази і люфи в цей час стебло водянисте, а діаметр підсім'ядольного коліна співпадає, або менший за підщепу. Вкладання зрізаної дині в середину розрізу підщепи та її фіксація призводить до механічного травмування стебла обох видів. Ушкоджені рослини в більшості випадків гинуть, або дуже тривалий період зростаються. На 9-10 добу після з'явлення сходів в люфи і бенінкази стебло грубішає і потовщується, що збільшує процент приживлених рослин. У гарбузів крупноплідного та фіголистого його клітини старіють. Це знижує кількість приживлених рослин. Щеплена диня через 3-4 доби після появи сходів на гарбузах крупноплідному та фіголистому має вищий процент приживлення порівняно із щепленням на 9-10 добу. Він становить відповідно 93 та 95%. У люфи та бенінкази навпаки цей показник більший після проведення щеплення на 9-10 добу після сходів і складає 93 і 94%.
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod to grow melon seedlings
Автори англійськоюSych Zenovii Deonizovych
Назва патенту російськоюСпособ выращивания рассады дыни
Автори російськоюСыч Зеновий Деонизович
МПК / Мітки
МПК: A01G 1/06
Мітки: вирощування, спосіб, дині, розсади
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/1-22639-sposib-viroshhuvannya-rozsadi-dini.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування розсади дині</a>
Попередній патент: Спосіб діагностування транспортних засобів
Наступний патент: Спосіб індукції діапаузи трихограми
Випадковий патент: Делікатес із м'яса цесарки