Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Способ очистки поверхности подложек, включающий ИК-облучение поверхности с разры­вом связей сорбированных молекул с поверхно­стью подложек, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат, облучение осуществляют электромагнитными волнами с длиной волны, рав­ной длине собственных валентных колебаний сор­бированных молекул, и удельным потоком энергии не менее 0,5 • 10-2 Дж • м • с-1.

Текст

ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ЭКЗ СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 000071 SU. an _ * (51)5 С 23 С 14/02 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21)4649817/21 (22)03.01 89 (75) С П.Олеськив и Б С Олеськив (53)621 793.7(088 8) (56) Данилин Б С Вакуумная техника в производстве интегральных схем.- К/1.. Энергия, 1972, с. 58. Физика и техника высокого вакуума Сборник.- Казань Изд-во Казанского университета 1974,с 31.155-158 (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК (57) Изобретение относится к очистке поверхностей и может быть использовано в микроэлектронике. Целью изобретения является снижение энергозатрат Цель достигается тем, что разрушение здсорбционных связей молекул пэров воды и гидроксильных групп с поверхностями обработки осуществляют электромагнитными волнами малой энергии с длиной волны, равной длине собственных валентных колебаний адсорбированных молекул Облучая поверхность подложки с адсорбированными молекулами электромагнитными волнами с длиной волны, равной длине собственных колебаний сорбционных связей, возбуждают резонанс колебаний сорбционных связей В результате сорбционные связи с обрабатываемой поверхностью молекул паров воды и гидроксильных групп разрываются Удельный поток энергии не менее 0,5.10 Дж.м.с Данные соотношения значительно снижают энергозатраты по сравнению с известным способом и позволяют разрушить не только химические, но и адсорбционные связи молекул с поверхностями, подлежащими очистке, за счет резонанса колебаний Изобретение относится к квантовой физике и электронной технике и может быть использовано в микроэлектронике для очи стки поверхности подложек перед нанесением тонких пленок Цель изобретения - снижение энергозатрат Это достигается благодаря тому, что разрушение адсорбционных связей молекул водяных паров и гидроксильных групп с поверхностями обработки осуществляют электромагнитными волнами малой энергии с длиной волны, равной собственной длине валентных колебаний адсорбированных молекул Облучая поверхность подложкм с адсорбированными молекулами электромагнитными волнами с длиной волны, равной длине собственных колебаний сорбционных связей, возбуждают резо нанс колебаний сорбционных связей В результате резонанса колебаний сорбционные связи молекул водяных паров и гидроксильных групп с обрабатываемой поверхностью разрываются Энергия электромагнитных волн, вызывающих резонанс колебаний сорбционных связей молекул, равна 11-91 ' ) ,Г \ £ ~ hv /Г ~ ~ где h-постоянная Планка (h = 6,6254-10 Дж-с), С-скорость света в вакууме (С'- 2,99793х 1 } Я - длина волны валентных колебаний сорбционной связи молекул водяных паров (А= 3700 см 1 ). Подставляя значения получим £ = 6,625Ф103"Джсх2,99793-1010смс"1х х 3700 см"1 = 7.35-10 2 0 Д ж 1637365 Поток энергии W электромагнитных волн на единицу облучаемой поверхности S равен W = со (v ,T) где о) - объемная плотность энергии ров и гидроксильных групп, соответственно Х = 3700 см"1 и Х - 3450 см } В качестве источника электромагнитных волн используют лампу, например, типа КГ22О-500 Максимальное расстояние между источником 2 электромагнитных волн и облучаемой поверхэлектромагнитных волн о) (v ,Т) = 8 л гЯ/С х ностью не превышает 1,5 м. Поверхность х (е-^-у-- 1), облучают равномерно во избежание миграции удаленных молекул по очищаемой поГде v= С/А Х-уХ= 1/3700 см* 1 - 2,7х 6 8 1 6 х Ю м, v = 2,99'10 м с" :2,7'10 м - 1.1х 10 верхности с удельным потоком2на подложку (площадью 0,01 м2) W = 0,5*10" Дж-м-с"1. 1 4 ' Данные соотношения значительно сниhv постоянная Планка (hv =6,6254* 34 жают энергозатраты по сравнению с извехЮ' Дж-с). стным способом и позволяют разрушить не К - постоянная Ьольцмана (К = 1,38 х только химические, но и адсорбционные у1П Лж К I связи молекул с поверхностями, подлежаT^btX- [закон Вина),Т = 0,002898 м х щими очистке, за счет резонанса колебаний. х град/2.7.10"13 м - 1073 К. 10 2 Формула изобретения Подставляя найдем 0)= 18*10~ Дж*м~ ' Способ очистки поверхности подложек, тогда W - 18-10 1 0 Дж-м 2 х 2,99'10^м-с"1х 20 включающий ИК-облучение поверхности с хП 01 м ~ 0 54 Ю Дж-'М-с разрывом связей сорбированных молекул с П р и м е р Очищают подложки в вакуповерхностью подложек, о т л и ч а ю щ и й умной камере, откачанной до давления с я тем, что, с целью снижения энергозат1,33'10 Па. Обрабатываемую поверхность рат, облучение осуществляют электромаг(аморфную, поликристаллическую или монитными волнами с длиной волны, равной нокристаллическую) облучают электромагдлине собственных валентных колебаний нитными волнами с длиной волны, равной сорбированных молекул, и удельным потособственной длине валентных колебаний ком энергии не менее 0,5-10 Дж-м.с"1. сорбционных связей молекул водяных па \ Редактор М Кузнецова Составитель С Мирошкин Техред М Моргентал Корректор А. Осауленко Заказ 1081/ДСП Тираж 333 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for cleaning of supports surfaces

Автори англійською

Oleskiv Borys Stepanovych, Oleskiv Stepan Petrovych

Назва патенту російською

Способ очистки поверхностей подложек

Автори російською

Олескив Борис Степанович, Олескив Степан Петрович, Олеськив Степан Петрович

МПК / Мітки

МПК: C23C 14/02

Мітки: очистки, спосіб, поверхонь, підкладок

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-10176-sposib-ochistki-poverkhon-pidkladok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб очистки поверхонь підкладок</a>

Подібні патенти