Генератор імпульсів із регулюванням частоти проходження імпульсів

Генератор імпульсів із регулюванням частоти проходження імпульсів, що містить операційний підсилювач, резистор негативного зворотного зв'язку, конденсатор, резистор позитивного зворотного зв'язку, причому інвертуючий вхід операційного підсилювача об'єднує перший вивід резистора 3 12042 4 ням частоти проходження імпульсів на транзисторі Розглянемо роботу перетворювача напруги в та діоді дозволяє додати в генератор імпульсів частоту проходження імпульсів з моменту часу функцію регулювання частоти проходження імпузміни вхідної напруги з Unix min (мінімальна напрульсів. Введення діода дозволяє задавати напругу га на виході) на Uвих min (максимальна напруга на негативної полярності. Введення транзистора довиході) t=0 на Фіг.2. зволяє регулювати величину опорної напруги поВ цей момент часу напруга на інвертуючому зитивної полярності на неінвертуючому вході опевході операційного підсилювача 1 дорівнює напрураційного підсилювача. При цьому змінюючи зі на конденсаторі 3 uc= -U5 (напруга негативної вхідну напругу, змінюється напруга транзистора, полярності, яка встановлюється діодом 5), а на що викликає зміну частоти проходження імпульсів. неінвертуючому вході позитивна. При цьому конТаким чином, запропонована корисна модель денсатор 3 починає заряджатися через резистор дозволяє регулювати частоту проходження імпунегативного зворотного зв’язку 2. Напруга на конльсів по функціональному закону. денсаторі 3 наближається до Uвих max, коли напруга Технічна сутність та принцип дії запропоноваЦе (напруга на конденсаторі 3) досягне рівня UT.1 ного генератора імпульсів із регулюванням часто(напруга на транзисторі 6), напруга Uвих (напруга ти проходження імпульсів пояснюється графічним на виході операційного підсилювача 1) стрибком матеріалом: зміниться на Uвих min. Так як Uвих max - Uвих min=U max, на Фіг.1 зображена схема електрична принцито концентратор 3 починає перезаряджатися і звопова генератора імпульсів із регулюванням часторотнє переключення операційного підсилювача 1 ти проходження імпульсів; здійснюється при uс=UT.1. Потім процес періодично на Фіг.2 приведена часова діаграма роботи геповторюється. нератора імпульсів із регулюванням частоти проЗміна вхідної напруги викликає зміну UT (находження імпульсів. пруга на транзисторі 6), а струм колектора транзиПристрій складається із операційного підсистора 6 буде змінюватися по закону лювача 1, резистора негативного зворотного зв'язIб =I0e U, ку 2, конденсатора 3, резистора позитивного зводе =q/mkT; ротного зв'язку 4, діода 5, та транзистора 6. При І0 - теоретичний зворотній струм р-n переходу цьому інвертуючий вхід операційного підсилювача транзистора 6; 1 об'єднує перший вивід резистора негативного m - поправочний коефіцієнт, який залежить від зворотного зв'язку 2 та верхній вивід конденсатора типу діода та струму через нього (m=1...2); 3, до неінвертуючого входу під'єднаний нижній q - заряд електрона (q=1,6*10-19Кл); вивід резистора позитивного зворотного зв'язку 4, k - постійна Больцмана (k=l,38*10-23Дж/К); а нижній вивід конденсатора 3 з'єднаний із загальТ - абсолютна температура. ною шиною, вихід операційного підсилювача 1 Наприклад, якщо збільшити вхідну напругу, об'єднує другий вивід резистора негативного звозбільшиться напруга транзистора до UT.2, в реротного зв'язку 2 та верхній вивід резистора позизультаті збільшується час перезаряду конденсатотивного зворотного зв'язку 4. При цьому вхідна ра 3. При цьому збільшиться тривалість імпульсів, напруга подається на базу транзистора 6, колека частота проходження імпульсів зменшиться. тор транзистора 6 та катод діода 5 з'єднані із неінТаким чином змінюючи вхідну напругу, буде змівертуючим входом операційного підсилювача 1, а нюватись напруга транзистора 6, що призводить емітер транзистора 6 та анод діода 5 підключені до зміни частоти генерування імпульсів. до загальної шини. Комп’ютерна верстка Н. Лисенко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601