Оптичне покриття на основі халькогенідних стекол

Номер патенту: 33847

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Оптичне покриття на основі халькогенідних стекол, що містить сурму, сірку та селен, яке відрізняється тим, що для оптичного покриття приладів напівпровідникової фотоніки використовуються халькогенідні склоподібні сплави із багатокомпонентних систем Ge(Pb)-Sb(Bi,Ga)-S(Se), що не містять летких токсичних компонентів.

Текст

Корисна модель відноситься до галузі оптичного і напівпровідникового приладобудування, а саме до матеріалів для просвітлюючого, захисного та фокусуючого покриття елементів інфрачервоної оптики та приладів напівпровідникової фотоніки (джерел інфрачервоного випромінювання, фотоприймачів, оптронів тощо), які працюють в ближній та середній ІЧ-області спектру. Необхідність використання матеріалів, що заявляються, зумовлена тим, що для елементів інфрачервоної оптики та напівпровідникових приладів необхідні хімічно стійкі оптичні покриття прозорі в широкій 14 області спектру із заданим показником заломлення та великим питомим опором. Крім того вони повинні забезпечувати хорошу адгезію до матеріалу напівпровідникового приладу та узгодження з коефіцієнтом термічного розширення і бути технологічними у виготовленні. Розрахунки проведені авторами [1] показали, що здійснюючи герметизацію випромінюючого активного елемента оптично прозорим матеріалом відповідної форми (наприклад, у вигляді напівсфери, або сфери Вейерштраса) з показником заломлення, близьким до показника заломлення напівпровідника, можна теоретично підвищити коефіцієнт виводу випромінювання приблизно на порядок. Перевага такого способу підвищення ефективності випромінювання напівпровідникового елемента полягає в його простоті і технологічності, а також в можливості одночасного забезпечення захисту напівпровідникового елемента від механічних пошкоджень, впливу оточуючого середовища та керування діаграмою направленості випромінювання. Ефект просвітлення активного елемента в напівпровідниковому джерелі ІЧ випромінювання відбувається за рахунок збільшення критичних кутів виходу випромінювання з активного елемента напівпровідникового приладу при розміщенні його в середовище з показником заломлення n, що задовольняє умові: nс

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Optical coating on basis of chalcogenide glasses

Автори англійською

Bletskan Dmytro Ivanovych, Kabatsii Vasyl Mykolaiovych

Назва патенту російською

Оптическое покрытие на основе халькогенидных стекол

Автори російською

Блецкан Дмитрий Иванович, Кабаций Василий Николаевич

МПК / Мітки

МПК: G01D 3/02, G03C 1/015, G02B 1/10

Мітки: халькогенідних, стекол, основі, оптичне, покриття

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-33847-optichne-pokrittya-na-osnovi-khalkogenidnikh-stekol.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Оптичне покриття на основі халькогенідних стекол</a>

Подібні патенти