Оптико-частотний сенсор температури

Оптико-частотний сенсор температури, який містить дві лінзи, напівпрозоре дзеркало, чотири дзеркала, два світлофільтри, два кадрових вікна, розміщені за світлофільтрами та перед обтюратором, який відрізняє ться тим, що в нього введено перетворювач оптичного сигналу в частотний, який містить двозатворний уніполярний транзистор, фотодіод, біполярний транзистор, два конденсатори, індуктивність, три резистори і джерело постійної напруги, причому катод фотодіода з'єд 3 34893 дом третього резистора, колектором біполярного транзистора, другим виводом другого конденсатора та другим полюсом джерела постійної напруги, другий затвор двозатворного уніполярного транзистора з'єднаний з його стоком, що під'єднано до першого виводу індуктивності та першого виводу другого резистора, а витік двозатворного уніполярного транзистора з'єднаний з емітером біполярного транзистора, причому база біполярного транзистора з'єднана з першим виводом третього резистора та другим виводом другого резистора, перший вивід другого конденсатора з'єднано з другим виводом індуктивності, другим виводом першого резистора та першим полюсом джерела постійної напруги. На кресленні подано схему оптико-частотного сенсора температури. Пристрій містить лінзи 1, 12, напівпрозоре дзеркало 2, світлофільтри 4, 5, кадрові вікна 6, 7, розміщені за світлофільтрами та перед обтюратором 8, дзеркала 3, 9, 10, 11, також введено перетворювач оптичного сигналу в частотний, що складається з фотодіода 13, конденсаторів 14, 21, двозатворного уніполярного транзистора 15, резисторів 16, 18, 19, біполярного транзистора 17, індуктивності 20, джерела постійної напруги 22. Вихід пристрою утворений стоком двозатворного уніполярного транзистора 15 і загальною шиною. Оптико-частотний сенсор температури працює таким чином. В початковий момент часу світловий потік відсутній і температура не вимірюється. В наступний момент часу світловий потік від об'єкта приймається лінзою 1, перша його частина проходить крізь напівпрозоре дзеркало 2, а друга частина заломлюєтьсь через напівпрозоре дзеркало 2. Після чого, друга частина світлового потоку відбиваючись від дзеркала 3, потрапляє через світлофільтр 4 та кадрове вікно 6 на обтюратор 8. Перша частина світлового потоку проходить крізь світлофільтр 5 та кадрове вікно 7, потрапляючи на обтюратор 8. Пройшовши через обтюратор 8 обидві частини світлового потоку потрапляють на Комп’ютерна в ерстка А. Крулевський 4 дзеркала, перша - на дзеркало 10, а друга - на дзеркало 11. Відбившись від дзеркал 10, 11 світловий потік приймається та відбивається дзеркалом 9, після чого, він надходить до лінзи 12, котра підсилює світловий потік. Потім світловий потік приймається фотодіодом 13, що зумовлює пропорційну до температури зміну напруги, яка у свою чергу змінює ємність коливального контуру, а це викликає ефективну зміну резонансної частоти, при цьому можлива лінеаризація функції перетворення шляхом вибору величини постійної напруги живлення. Через резистори 16, 18, 19 і конденсатори 14, 21 здійснюється електричний режим живлення пристрою від джерела постійної напруги 22. Конденсатор 21 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 22. Підвищення напруги джерела постійної напруги 22 до величини, коли на електродах стоку двозатворного уніполярного транзистора 15 і колектору біполярного транзистора 17 виникає від'ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, що утворений паралельним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах стік-колектор двозатворного уніполярного транзистора 15 і біполярного транзистора 17 та повним опором з індуктивним характером 20. При наступній дії світлового потоку, який передається по оптичній системі і приймається фотодіодом 13, змінюється вихідна напруга на фо тодіоді 13, яка змінює ємнісну складову повного опору на електродах стік-колектор двозатворного уніполярного транзистора 15 і біполярного транзистора 17, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Використання запропонованої корисної моделі для вимірювання температури суттєво підвищує чутливість і точність вимірювання інформативного параметру за рахунок виконання ємнісного елемента коливального контуру у вигляді біполярного і двозатворного уніполярного транзисторів, а індуктивного елемента коливального контуру у вигляді пасивної індуктивності. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького,45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601