Завантажити PDF файл.

Текст

Спосіб виготовлення фотодіодів, що містить планарно-дифузійні процеси з спадаючою за тем 36197 вність впливу контролюється за зміною темнового струму за стандартною методикою. Ефективна відстань між конічною поверхнею джерела впливу та фотодіодом (h) визначалась шляхом вимірювання зміни темнового струму (dІt) в наслідок опромінення, на різних відстанях від нього. Результати вимірювань наведені у табл. 1. Ефективна тривалість обробки фотодіодів визначалась шляхом контролю зміни темнового струму (dIt) від часу впливу (t). Результати вимірювань наведені у табл. 2. Напруженість електричного поля для обробки фотодіодів визначалась дослідним шляхом, а саме - контролем зміни темнового струму (dI t) від напруження електричного поля (Е) окремо, при різних значеннях Е. Результати вимірювань наведені у табл. 3. Як дослідні фотодіоди використовувались фотодіоди ФД-288, ФД-337А, УФД01. Джерела інформації 1. Ащеулов А.А., Добровольскій Ю.Г., Годованюк В.М. та ін. Технологічний метод зменшення темнового струму кремнієвих р-і-n фотодіодів // Науковий вісник Чернівецького університету. Вип. 32. - Фізика. – Чернівці: ЧДУ, 1998. - С. 135-142 (аналог). 2. Годованюк В.М. Конструкція та виготовлення порогового ФД337А на основі монокристалічного кремнію // Науковий вісник Чернівецького університету. Вип.40. – Фізика. – Чернівці: ЧДУ, 1998. - С. 54-58 (прототип). Таблиця 1 dIt , % 0 0 5 12 35 30 35 30 15 8 5 h, мм 5 7 10 20 30 50 70 90 110 120 150 Таблиця 2 dIt % 0 10 28 30 32 35 35 34 35 36 35 t, хв 0 5 10 15 20 30 40 50 60 75 90 Таблиця 3 dIt , % 0 7 20 30 32 30 27 18 8 3 4 Е, В/см 0 10 50 400 700 1000 1250 1500 1800 2100 2500 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Photo diode manufacturing method

Автори англійською

Dobrovolskyi Yurii Heorhiiovych, Ascheulov Anatolii Anatoliiovych, Hodovaniuk Vasyl Mykolaiovych

Назва патенту російською

Способ изготовления фотодиодов

Автори російською

Добровольский Юрий Георгиевич, Ащеулов Анатолий Анатольевич, Годованюк Василий Николаевич

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, фотодіодів, спосіб

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-36197-sposib-vigotovlennya-fotodiodiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення фотодіодів</a>

Подібні патенти