Патенти з міткою «фотодіодів»

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Сафрюк Надія Володимирівна, Голтвянський Юрій Васильович, Сабов Томаш Мар'янович, Мельник Віктор Павлович, Кладько Василь Петрович, Романюк Андрій Борисович, Оберемок Олександр Степанович, Федулов Віктор Васильович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: індію, виготовлення, спосіб, фотодіодів, антимоніді

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...

Номер патенту: 47315

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Луцишин Ірина Григорівна, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович, Лук'яненко Володимир Іванович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/102, H01L 31/00 ...

Мітки: чутливої, структура, охолоджуваних, p-n-переходу, області, фотодіодів

Формула / Реферат:

Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...

Номер патенту: 22878

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Деркач Юрій Петрович, Рева Володимир Павлович, Сизов Федір Федорович

МПК: C03C 27/00

Мітки: інформації, інфрачервоних, фотодіодів, зчитування, схема, багатоелементних

Формула / Реферат:

Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних (ІЧ) фотодіодів, яка включає пристрій сполучення із ІЧ-фотодіодами, схеми попередньої обробки інформації, регістри затримки та накопичення, стовпчикові підсилювачі, перетворювачі заряд-напруга, мультиплексори, вихідні підсилювачі, яка відрізняється тим, що у кожну вхідну комірку схеми зчитування інформації введено додатковий елемент - тригер-клямка, додаткова шина і два додаткових...

Номер патенту: 54476

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Іжнін Ігор Іванович, Курбанов Курбан Рамазанович, Богобоящий Віктор Володимирович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: hg1-xte, виготовлення, фотодіодів, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі монокристалічних вакансійно-легованих пластин CdxHg1-xTe р-типу провідності, в яких концентрацію дірок задають відпалом в парі ртуті, а формування n-областей фотодіодів здійснюють за одним з методів: іонної імплантації, іонно-променевого травлення, термічного відпалу або опромінення швидкими електронами, який відрізняється тим, що при вирощуванні монокристалу  вводять домішки Se або Zn в кількості ...

Номер патенту: 36197

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Годованюк Василь Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, спосіб, фотодіодів

Текст:

...Ащеулов А.А., Добровольскій Ю.Г., Годованюк В.М. та ін. Технологічний метод зменшення темнового струму кремнієвих р-і-n фотодіодів // Науковий вісник Чернівецького університету. Вип. 32. - Фізика. – Чернівці: ЧДУ, 1998. - С. 135-142 (аналог). 2. Годованюк В.М. Конструкція та виготовлення порогового ФД337А на основі монокристалічного кремнію // Науковий вісник Чернівецького університету. Вип.40. – Фізика. – Чернівці: ЧДУ, 1998. - С. 54-58...