Спосіб вирощування соняшнику
Номер патенту: 49582
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Мінковський Анатолій Євгенович, Чехов Анатолій Васильович, Білоконь Олександр Петрович, Бойко Костянтин Якович, Пацула Олександр Миколайович, Поляков Олександр Іванович
Формула / Реферат
Спосіб вирощування соняшнику, що включає основну та передпосівну підготовку ґрунту, внесення добрив, сівбу, догляд за посівами та збирання врожаю, який відрізняється тим, що після збирання попередника вирощують до стадії цвітіння врожай білої гірчиці, подрібнену біомасу якої як зелене добриво заробляють в нижній шар орного горизонту, а при виконанні вирівнювального розпушування переміщують на поверхню поля насіння ранніх ярих бур'янів, яке після ранньовесняного проростання знищують в процесі боронування у два сліди та передпосівної культивації на полі, де припосівний розподіл насіння здійснюють переміжними потоками у різноглибокі борозенки з подальшим їхнім загортанням шаром ґрунту оптимальної для культури товщини, причому дрібнішу фракцію насінин направляють у мілкіші, а крупніші - у глибші борозенки, з обох боків кожної з яких виконують ярусно-смугове розпушування ґрунту та різновіддалено від центру посівних рядків формують дворівневі тукові ложа, на поверхню яких зі змінним рівнем концентрації подають сипучі добрива.
Текст
Спосіб вирощування соняшнику, що включає основну та передпосівну підготовку ґрунту, внесення добрив, сівбу, догляд за посівами та збирання врожаю, який відрізняється тим, що після збирання попередника вирощують до стадії цвітіння врожай білої гірчиці, подрібнену біомасу якої як 3 49582 два сліди та передпосівної культивації на полі, де припосівний розподіл насіння здійснюють переміжними потоками у різноглибокі борозенки з подальшим їхнім загортанням шаром ґрунту оптимальною для культури товщини, причому дрібнішу фракцію насінин направляють у мілкіші, а крупніші - у глибші борозенки, з обох боків кожної з яких виконують ярусно-смугове розпушування ґрунту та різновіддалено від центру посівних рядків формують дворівневі тукові ложа, на поверхню яких зі змінним рівнем концентрації подають сипучі добрива. Спосіб здійснюють таким чином. Слідом за збиранням попередника (озимої пшениці чи ярого ячменю), якщо верхній шар достатньо пухкий, проводять лущення стерні дисковими лущильниками, а коли ґрунт пересушений та ущільнений застосовують дискові борони. Глибина обробітку залежить від фізичного стану, вологості, механічного стану ґрунту, характеру забур'яненості і становить 6-8см. Перед посівом гірчиці білої проводять дискування стерні в 2 сліди на глибину 6-8см та вносять 100-120гк/га аміачної селітри. При цьому посіви гірчиці білої використовують в якості сидератів, рослини якої в фазі бутонізації - цвітіння дискують в 2 сліди важкими дисковими боронами та приорюють оборотними плугами в нижній шар орного горизонту. Після цього проводять вирівнювальне розпушування та переміщення на поверхню насіння ранніх ярих бур'янів і яке після ранньовесняного проростання знищують в процесі боронування в два сліди та передпосівної культивації. До настання оптимальних строків сівби соняшнику проводять інтенсивний обробіток ґрунту, який складається із 2-3 операцій: ранньовесняної культивації, прикочування та передпосівної культивації. За несприятливих погодних умов проводять мінімальну передпосівну підготовку, яка складається з однієї або двох операцій: боронування та передпосівної культивації. При відсутності опадів та стрімкому підвищенні температур отримати дружні сходи можливо тільки за умови висіву насіння у зволожений ґрунт. Тому разом з висівом здійснюють переміщення верхнього сухого шару ґрунту із зон майбутніх посівних рядків, а припосівний розподіл насіння здійснюють перемі Комп’ютерна верстка А. Крижанівський 4 жними потоками у різноглибокі борозенки з подальшим їхнім загортанням шаром ґрунту оптимальною для культури товщиною. Слід зазначити, що дрібнішу фракцію насінин направляють у мілкіші, а крупнішу - у глибші борозенки. Такі заходи підвищують енергію проростання всіх без винятку висіяних насінин та в подальшому забезпечать рівновеликий розвиток рослин. Потім з обох боків кожного посівного рядка виконують ярусносмугове розпушування ґрунту та різновіддалено від центру посівних рядків формують дворівневі тукові ложа, на поверхню яких зі змінним рівнем концентрації подають сипучі добрива. При догляді за рослинами соняшнику бур'яни у захисних зонах рядків знищують шляхом переміщення на них верхнього сухого шару ґрунту із міжрядкових смуг. Першу міжрядну культивацію виконують з мінімально-перемінною глибиною та найменшою захисною зоною для рослин, а при подальшому обробітку міжрядові смуги звужуються зі збільшенням глибини їхнього обробітку. При догляді за посівами культиватори для міжрядного обробітку доукомплектовують роторними секціями по дві на кожну міжрядову смугу, які розміщують послідовно зі зміщенням їхніх осей в протилежному напрямку. При такому розміщенні роторних розпушувачів є можливість змінювати в повздовжньому напрямку глибину їхнього ходу та безперебійно спрямовувати землю на захисну смугу рослинних рядків для боротьби з бур'янами шляхом їхнього присипання шаром ґрунту. Запропонований спосіб поліпшує якість припосівного розподілу насіння та добрив, а при догляді за посівами дає змогу ефективніше вести боротьбу з бур'янами. Джерела інформації: 1. Рекомендации по возделыванию масличных культур: подсолнечник, клещевина, соя // Институт масличных культур УААН - Запорожье, 1998, с. 170. 2. А. с. СССР № 912087, МКИ А 01 В 49/04, 1980. 3. Погорелый П.И. Растениеводство. - М.: Изво с.х. литературы, журналов, плакатов, 1963, с. 80. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for growing sunflower
Автори англійськоюBilokon Oleksandr Petrovych, Poliakov Oleksandr Ivanovych, Minkovskyi Anatolii Yevhenovych, Boiko Kostiantyn Yakovych, Patsula Oleksandr Mykolaiovych, Chekhov Anatolii Vasyliovych
Назва патенту російськоюСпособ выращивания подсолнечника
Автори російськоюБилоконь Александр Петрович, Поляков Александр Иванович, Минковский Анатолий Евгеньевич, Бойко Константин Яковлевич, Пацула Александр Николаевич, Чехов Анатолий Васильевич
МПК / Мітки
МПК: A01C 7/00
Мітки: вирощування, спосіб, соняшнику
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-49582-sposib-viroshhuvannya-sonyashniku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування соняшнику</a>
Попередній патент: Спосіб опалювання мартенівської печі
Наступний патент: Пристрій для зчитування інформації з профільного металевого носія
Випадковий патент: Навісний робочий орган для розробки грунту