Спосіб обробки поверхні матеріалів

Спосіб обробки поверхні матеріалів, що включає обробку поверхні лазерним променем, який відрізняється тим, що лазерний промінь фокусують у лінію, довжина якої сумірна з висотою поверхні, після чого сканують ним по поверхні з частотою коливання променя не вище 100 Гц. (19) (21) 2003010539 (22) 21.01.2003 (24) 17.04.2006 (46) 17.04.2006, Бюл. № 4, 2006 р. (72) Бобонич Петро Петрович, Томашпольський Юрій Якович, RU, Шимон Людвік Людвікович, Бобонич Ерік Петрович, Кудрявцев Михайло Євгенійович, Гринь Анатолій Анатолійович (73) Ужгородський національний університет (56) SU 1055784, A, 23.11.83 3 60641 4 ється при впливі на неї сфокусованим у точку лаРеалізація способу обробки поверхні матеріазерним променем. Сканування сфокусованим у лів лазерним променем була здійснена за допомолінію променем у заявленому технічному рішенні гою пристрою, приведеного схематично на мал. дозволяє знизити кількість (концентрацію) оплавПристрій складається з лазера 1 типу ЛТИПЧлених ділянок поверхні під час дії лазерного опро7, циліндричної лінзи 2, зразок 3, розміщеної на мінення. вібраторі 4, коливання якого здійснюється електСпосіб обробки поверхні матеріалів лазерним ронним блоком 5. променем характеризується прикладами. Пристрій працює таким чином. Приклад 1. На поверхні монокристалу Si розЗразок, поверхню котрого необхідно опрацюміром 20х20 мм2 виявлені атоми кисню. Після вати лазерним променем, розміщують у вакуумну опромінення лазерним променем сфокусованим у камеру (на схемі не показана), приводять його в лінію висотою 22 мм і шляхом сканування їм по коливання з визначеною частотою. Очищення поверхні проводять лазерним променем, сфокусова80 Гц проповерхні монокристала з частотою ним у лінію циліндричною лінзою. Після проведентягом 20 с вдалося знизити концентрацію часток ня очищення в тій ж камері проводять кисню в 1000 разів. Щільність енергії лазерного виготовлення елементів оптоелектроніки по відопроменя складала 2 Дж/см2. мій технології. Приклад 2. На поверхні монокристалу Si розТехнічна ефективність запропонованого споміром 20х20мм2 виявлений моношар окислу кремсобу в тому, що поверхня зразка не піддається нію SiО2. Шляхом опромінення лазерним промесильному нагріванню, яке викликає зміну морфонем сфокусованим у лінію і сканування ним по логії поверхні, тобто поверхня не піддається оплаповерхні монокристалу з частотою =40Гц протявленню. Крім того, завдання визначеної частоти гом 100 с вдалося зняти 2 моношари окислу. сканування лазерним променем спрощує контроль Щільність енергії лазерного променя складала 5 2 обробки поверхні зразка. Дж/см . Винахід може бути застосований у виробництПриклад 3. Для очищення поверхні монокрис2 ві напівпровідникових приладів. талу Si розміром 20х20 мм використовували рубіДжерела інформації, прийняті в увагу: новий лазер із променем сфокусованим у лінію. 1. Конов В.И., Пименов С.М., Прохоров A.M., ЧапШляхом сканування по поверхні кристала з частолиев Н.И. Электронно-микроскопические исследотою в 25 Гц вдалося випалити на поверхні кремнію вания перестройки микрорельефа поверхности плівки вуглецю і діоксиду кремнію. Щільність енер2 материалов при многократном импульсном лазергії лазерного променя складала 2 Дж/см . ном ИК-облучении у вакууме // Поверхность. ФиПриклад 4. Для вирівнювання поверхні метазика, химия, механика. -1987.- Вып. 12. - С. 98. левих плівок товщиною 1 мкм проводили скану2. 3агиней Α.Α., Котлярчук Б.К., Курило И.В. и др. вання лазерного променя сфокусованим у лінію по Изменение структуры и морфологии поверхности поверхні плівок. Довжина хвилі лазерного випрокристаллов HgTe в зоне действия импульсов ламінювання - 504 нм, енергія в імпульсі 500 мДж і зерного излучения // Поверхность. Физика, химия, частота повторення 1 Гц. Частота коливання промеханика. -1986.- Вып. 6. - С. 76. меня по поверхні - 5 Гц. Час дії - 5с. 3. Авт. св. СРСР № 1055784, Бюл. ОИПОТЗ № 43,1983. Комп’ютерна верстка М. Клюкін Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601