C30B 31/00 — Способи дифузії або легування монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою; пристрої для цих цілей

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Кітик Іван Васильович, Мирончук Галина Леонідівна, Пясецький Міхал, Замуруєва Оксана Валеріївна

МПК: C22C 45/00, C30B 31/00, H01L 31/00 ...

Мітки: фотопровідності, tiinse2, спосіб, індинату, халькогеніду, талію, підвищення, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Сенко Ілля Михайлович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 31/00, C30B 25/00

Мітки: елементами, кристалів, легування, рідкісноземельними, znse<te&#62, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Номер патенту: 78538

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/0272, H01L 21/324, C30B 31/00 ...

Мітки: спосіб, люмінесценцією, гетерошарів, виготовлення, ультрафіолетовою

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів ZnO з ультрафіолетовою люмінесценцією, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnSe та синтез гетерошарів ZnO, який відрізняється тим, що перед синтезом гетерошарів ZnO підкладинки ZnSe відпалюють на повітрі при температурі 500±10 °C протягом 10 хв.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00, H01L 21/324, H01L 31/0272 ...

Мітки: цинку, блакитною, спосіб, шарів, селеніду, отримання, люмінесценцією

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, кристалів, цинку, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 69781

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: сапфіру, a-al2o3, монокристалів, вертикальною, кристалізацією, розплаву, тигля, напрямленою, підставка, вирощування

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру  напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену, або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з...

Номер патенту: 65226

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Довгий Віктор Володимирович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, нестандартних, кремній-на-ізоляторі"-структур, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення нестандартних "кремній-на-ізоляторі"-структур, що включає маскування поверхні кремнієвої пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, витравлення в пластині в незамаскованих місцях вертикальних щілин заданої глибини, їх покриття нітридом кремнію та його селективне витравлювання на дні щілин, поглиблення щілин та формування бокових порожнин-тунелів витравлюванням кремнію під поверхнею...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович

МПК: C30B 25/00, C30B 31/00, H01L 21/00 ...

Мітки: цинку, шарів, провідністю, спосіб, отримання, телуриду, електронною

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Номер патенту: 51934

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Тулупова Катерина Володимирівна, Ковалевський Сергій Вадимович, Косенко Анатолій Григорович, Данильченко Єгор Сергійович, Онищук Сергій Григорович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, електроіскрового, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить джерело живлення, двигуни поперечної й поздовжньої подачі із блоками керування, одновібратор, який відрізняється тим, що додатково введені датчик струму, амплітудний випрямляч, датчик наявності в ланцюзі електрод - оброблювальний виріб технологічного струму, інвертор та Т-тригер, сигнали з яких подаються на контролер, який здійснює керування двигунами подачі.

Номер патенту: 50924

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Воробець Георгій Іванович, Стребежев Віктор Миколайович, Мельничук Тетяна Аркадіївна

МПК: C30B 31/00, C30B 29/10, C30B 13/00 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, фоточутливої, основі, гетероструктурі, in4se3

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі In4Se3, який включає рідиннофазну епітаксію шару In4Se3 на монокристалічну напівпровідникову підкладку з розчину-розплаву In4Se3-InBi та лазерне опромінення, який відрізняється тим, що рідиннофазну епітаксію In4Se3 проводять на підкладку з монокристалічного германію в інтервалі температур Т=793-778 К зі швидкістю...

Номер патенту: 90168

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Гонтар Олександр Григорович, Соколов Олександр Миколайович, Шульженко Олександр Олександрович

МПК: C30B 29/04, C30B 31/00

Мітки: розчинник, надпровідних, спосіб, алмазів, синтезу

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу надпровідних алмазів, що включає дію високим тиском при високій температурі на графіт і борвмісний розчинник вуглецю, який відрізняється тим, що розчинник вуглецю містить борвмісну складову у кількості не менше 0,1 мас. % бору і додатково принаймні один з металів наступного ряду: метали IVa групи, а також алюміній, який беруть у вигляді сполуки і/або сплаву, а дію високим тиском і температурою проводять при режимах, що...

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Махній Віктор Петрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, легування, металів, спосіб, домішками, цинку, перехідних

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...

Номер патенту: 41398

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Косенко Анатолій Григорович, Онищук Сергій Григорович, Данильченко Єгор Сергійович, Суботін Олег Володимирович, Ковалевський Сергій Вадимович

МПК: C30B 31/00

Мітки: електроіскрового, пристрій, легування

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить джерело живлення, двигуни поперечної й поздовжньої подачі із блоками керування, Т-тригер, одновібратор, який відрізняється тим, що введені датчик струму у вигляді вимірювального трансформатора струму, який підключено до ланцюга електрода, та навантажувального резистора, який підключено паралельно виходу трансформатора, амплітудний випрямляч, який підключено паралельно до навантажувального...

Номер патенту: 36463

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Сапон Сергій Васильович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кремній-на-ізоляторі, локальних, структур, виготовлення, спосіб, тривимірних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...

Номер патенту: 35809

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Соколов Олександр Миколайович, Шульженко Олександр Олександрович, Гонтар Олександр Григорович

МПК: C30B 29/04, C30B 31/00

Мітки: алмазів, надпровідних, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання надпровідних алмазів, що включає дію високим тиском при високій температурі на графіт і боровмісний розчинник вуглецю, який відрізняється тим, що дію високим тиском і температурою проводять при режимах, що відповідають області стабільності алмазу, а саме: тиску вище 6,5 ГПа і температурі вище 2000 К, при цьому використовують розчинник вуглецю, що як боровмісну складову містить не менше 0,1 мас.% бору і додатково принаймні...

Номер патенту: 35808

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Соколов Олександр Миколайович, Шульженко Олександр Олександрович, Гонтар Олександр Григорович

МПК: C30B 31/00, C30B 29/04

Мітки: синтезу, розчинник, надпровідних, алмазів

Формула / Реферат:

1. Розчинник для синтезу надпровідних алмазів з високою електропровідністю, що містить боровмісну складову, який відрізняється тим, що як боровмісну складову він містить не менше 0,1 мас.% бору і додатково принаймні один з металів наступного ряду: метали IVa групи, а також алюміній, при цьому компоненти ряду взяті у вигляді сполуки і/або сплаву.2. Розчинник за п. 1, який відрізняється тим, що він додатково містить принаймні один з...

Номер патенту: 28818

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Данильченко Єгор Сергійович, Ковалевський Сергій Вадимович, Косенко Анатолій Григорович, Суботін Олег Владимирович

МПК: C30B 31/00

Мітки: пристрій, електроіскрового, легування

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить трансформатор напруги, з'єднаний з випрямлячем, накопичувальний конденсатор, тиристори, діоди, електромагнітний вібратор з комутуючою котушкою, яка включена в ланцюг змінного струму, зміцнюючий електрод, контактну пластину, додатковий тиристор приєднаний до трансформатора струму, стабілізуючий конденсатор й додаткову котушку у вібраторі, який відрізняється тим, що в пристрій включені...

Номер патенту: 23745

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Данильченко Єгор Сергійович, Ковалевський Сергій Вадимович, Субботін Олег Володимирович, Косенко Анатолій Григорович

МПК: C30B 31/00

Мітки: пристрій, електроіскрового, легування

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить джерело живлення, яке підключене до електрода-інструмента і виробу, двигуни поперечної і подовжньої подачі з блоками керування, підключеними до виходів фотооптичної системи, яка включає джерело випромінювання, фотошаблон, фотодатчик і блок обробки сигналів фотодатчика, тригер Шмідта, який відрізняється тим, що до блока керування двигуном поперечної подачі підключений додатковий тригер...

Номер патенту: 20263

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Пеліхатий Микола Михайлович, Гетманець Олег Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 30/00

Мітки: методом, легування, зовнішньому, електричному, атомів, полі, віддачі, металевих, плівок, напівпровідників, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування напівпровідників методом атомів віддачі з металевих плівок в зовнішньому електричному полі в процесі опромінювання системи метал-напівпровідник пучком прискорених іонів при впливі на систему імпульсу напруги, який відрізняється тим, що величину й напрям зовнішнього електричного поля в процесі легування змінюють, при цьому цілеспрямовано змінюють профіль концентрації атомів віддачі в напівпровіднику.

Номер патенту: 60641

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Кудрявцев Михайло Євгенійович, Шимон Людвік Людвікович, Бобонич Петро Петрович, Томашпольський Юрій Якович, Гринь Анатолій Анатолійович, Бобонич Ерік Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: поверхні, спосіб, обробки, матеріалів

Формула / Реферат:

Пропонується газотурбінна установка яка вміщує турбіну, камеру горіння та компресор, на вхідній магістралі якого встановлений інерційний блок очищення з трубопроводом відводу забрудненого повітря. З метою підвищення антипомпажної остійкості, економічності, спрощення запуску та надійного відводу забрудненого повітря з інерційного блоку очищення, трубопровід відводу забрудненного повітря сполучається зі входом інжектора,робоче сопло інжектора...

Номер патенту: 57950

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Будаковський Сергій Валентинович, Шевцов Микола Іванович, Галунов Микола Захарович, Андрющенко Ганна Юріївна, Бланк Авраам Борисович, Тарасенко Олег Анатолійович

МПК: C30B 31/00, C30B 29/54

Мітки: виготовлення, полікристалічний, сцинтилятор, спосіб, органічний

Формула / Реферат:

1. Полікристалічний органічний сцинтилятор, який відрізняється тим, що в його об'ємі є наскрізні пори, поверхня яких імпрегнована сорбентом, що поглинає радіонукліди з води.2. Спосіб виготовлення полікристалічного органічного сцинтилятора, що включає пресування вихідної сцинтиляційної сировини, який відрізняється тим, що вихідна сцинтиляційна сировина додатково містить сорбент радіонуклідів та пороутворювач при такому співвідношенні...

Номер патенту: 70585

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Герцик Оксана Миронівна, Беднарська Лідія Михайлівна, Котур Богдан Ярославович, Ковбуз Мирослава Олексіївна

МПК: C23C 10/00, C30B 31/00

Мітки: спосіб, аморфних, регенерації, основі, поверхні, легованих, сплавів

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення зносостійкості допоміжних накладок корінних листів та опорних сухарів ресор автомобіля полягає у тому, що наклепують допоміжні накладки на задні кінці корінних листів, які ковзають по опорних сухарях, утворюють механічним засобом рельєф на поверхні тертя допоміжних накладок корінних листів ресор, збирають ресори, одночасно закладаючи консистентні (графітові) мастильні матеріали.

Номер патенту: 10345

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Прийменко Олександр Андрійович, Косенко Анатолій Григорович, Лещенко Сергій Олександрович, Ковалевський Сергій Вадимович, Залевська Христина Костянтинівна

МПК: C30B 31/00, H01L 31/00

Мітки: електроіскрового, легування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить силовий трансформатор, випрямляч, накопичувальний конденсатор, електромагнітний вібратор, зміцнювальний електрод, контактну пластину, підсилювально-перетворювальний пристрій, підсумовувальний блок, два чутливих елементи, ходовий гвинт, каретку, причому до підсумовувального блока приєднані обидва чутливих елементи, а його вихід приєднаний до підсилювально-перетворювального пристрою, який...

Номер патенту: 55737

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Кудрявцев Михайло Євгенійович, Гринь Анатолій Анатолійович, Томашпольскій Юрій Яковлєвіч, Бобонич Петро Петрович, Шимон Людвік Людвікович, Бобонич Ерік Петрович

МПК: C30B 31/00, C30B 33/04

Мітки: обробки, пристрій, покращення, матеріалів, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва твердого сиру, який передбачає теплову обробку нормалізованого молока, охолодження до температури звертання, внесення хлористого кальцію, бактеріальної закваски та молокозвертаючого ферменту, одержання сичужного згустку, розрізання згустку, постановку сирного зерна, виділення сироватки, друге нагрівання, пресування сирних головок, соління і дозрівання, який відрізняється тим, що, закваска складається з мезофільних...

Номер патенту: 69596

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 31/00

Мітки: монокристалів, вирощування, корунду, тигля, підставка

Формула / Реферат:

Корисна модель, що пропонується, належить до електровимірювальної техніки і може бути використана в енергетиці при вимірюванні електричної енергії. Відомий пристрій за а. с. СРСР № 866491, М.кл. G01R210. Цей пристрій, як і той, що заявляється, містить датчик струму, датчик напруги, інтегратор, компаратор, вузол зворотного зв'язку, відліковий пристрій. Недоліком цього пристрою є недостатня чутливість.Найближчим за сукупністю...

Номер патенту: 9104

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Залевська Христина Костянтинівна, Ковалевський Сергій Вадимович, Прийменко Олександр Андрійович, Лещенко Сергій Олександрович, Косенко Анатолій Григорович

МПК: C30B 31/00

Мітки: пристрій, легування, електроіскрового

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить трансформатор напруги, блок керування частотою, накопичувальний конденсатор, резисторний, робочий та допоміжний опори, електромагнітний вібратор, зміцнюючий електрод, контактну пластину, який відрізняється тим, що в пристрій  додатково введений граничний пристрій, таймер та напівпровідникові ключі, причому вхід граничного пристрою приєднаний до накопичувального конденсатора, а вихід...

Номер патенту: 7803

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Грязнова Людмила Вікторівна, Безрукава Вікторія Анатоліївна

МПК: B21D 26/06, C30B 31/00

Мітки: легування, електроіскрового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб електроіскрового легування металевої поверхні деталі, що включає перенос і осадження еродованого матеріалу електрода-інструмента (анода), в умовах його вібрації й обертання, на поверхню деталі (катода) з легуванням поверхневого шару деталі, який відрізняється тим, що попередньо деталь піддають ударно-хвильовому (вибуховому) навантаженню.

Номер патенту: 4103

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Лахмоткін Андрій Вікторович, Косенко Анатолій Григорович, Король Андрій Павлович, Ковалевський Сергій Вадимович, Циганаш Віктор Євграфович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, пристрій, електроіскрового

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить генератор потужнострумових імпульсів, цифро-аналоговий перетворювач, три тиристори, системи імпульсно-фазового керування, операційний підсилювач, накопичувальний конденсатор, котушку вібратора, блок затримки імпульсів, зміцнюючий електрод, контактну пластину і задатчик частоти імпульсів, який відрізняється тим, що в пристрій додатково введені п'ять тиристорів, операційний підсилювач,...

Номер патенту: 70585

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Ковбуз Мирослава Олексіївна, Котур Богдан Ярославович, Беднарська Лідія Михайлівна, Герцик Оксана Миронівна

МПК: C30B 31/00, C23C 10/00

Мітки: металевих, спосіб, сплавів, аморфних, поверхні, компонентів, підвищення, легованих, основі, вмісту

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення зносостійкості допоміжних накладок корінних листів та опорних сухарів ресор автомобіля полягає у тому, що наклепують допоміжні накладки на задні кінці корінних листів, які ковзають по опорних сухарях, утворюють механічним засобом рельєф на поверхні тертя допоміжних накладок корінних листів ресор, збирають ресори, одночасно закладаючи консистентні (графітові) мастильні матеріали.

Номер патенту: 42356

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 29/32, C30B 31/00, C30B 33/10 ...

Мітки: сапфіру, монодисперсного, рекуперації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб рекуперації монодисперсного сапфіру, який включає хімічну очистку відходів від промислової механічної обробки об'ємних монокристалів сапфіру (a-Al2O3) послідовно азотною та плавиковою кислотами, який відрізняється тим, що вилучений після хімічної очистки монодисперсний сапфір додатково очищують водним розчином перекису водню з концентрацією від 30 до 33 мас.% протягом однієї години при нормальних умовах з наступним висушуванням...

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Ткаченко Ірина Володимирівна, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, спосіб, селеніду, шарів, отримання, зеленим, свіченням

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Номер патенту: 65852

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Косенко Анатолій Григорович, Король Андрій Павлович, Лахмоткін Андрій Вікторович, Циганаш Віктор Євграфович, Ковалевський Сергій Вадимович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, електроіскрового, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що складається з зміцнюючого електрода, контактної пластини, котушки вібратора, накопичувального конденсатора, блока затримки імпульсів, який відрізняється тим, що в нього введено три тиристори, генератор потужнострумових імпульсів, цифро-аналоговий перетворювач, операційний підсилювач, система імпульсно-фазового керування, задатчик частоти імпульсів, причому цифро-аналоговый перетворювач приєднаний до...

Номер патенту: 65338

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дмитрів Анжела Миколаївна

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00

Мітки: хлором, легованих, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...

Номер патенту: 65336

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/02, C30B 31/00

Мітки: провідності, спосіб, отримання, cdte:cl, монокристалів, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...

Номер патенту: 65337

Опубліковано: 15.03.2004

Автор: Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00

Мітки: cdte:cl, провідності, спосіб, монокристалів, отримання, n-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, цинку, селеніду, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Номер патенту: 63548

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, отримання, сульфоселенідів, шарів, дірковою, провідністю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки та відпал кристалів, який відрізняється тим, що відпал кристалів проводять у насиченій парі індію при температурі 700-850°С.

Номер патенту: 62650

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: cd1-xznxte, компенсації, провідності, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 61282

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Ковалевський Сергій Вадимович, Косенко Анатолій Григорович, Жамойтін Денис Володимирович, Циганаш Віктор Євграфович, Якушкін Віктор Костянтинович

МПК: C30B 31/00

Мітки: електроіскрового, пристрій, легування

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить трансформатор напруги, накопичувальний конденсатор, резистори, тиристори, електромагнітний вібратор, блок керування частотою, котушки індуктивності, зміцнюючий електрод, контактну пластину, який відрізняється тим, що введено вузол, який складається, наприклад, з геркона і реле, причому контакт геркона послідовно з'єднується з реле, контакти якого відключають блок керування від накопичувачів...

Номер патенту: 60641

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Бобонич Ерік Петрович, Гринь Анатолій Анатолійович, Кудрявцев Михайло Євгенійович, Шимон Людвік Людвікович, Томашпольський Юрій Якович, Бобонич Петро Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: матеріалів, покращення, спосіб, поверхні, обробки

Формула / Реферат:

Пропонується газотурбінна установка яка вміщує турбіну, камеру горіння та компресор, на вхідній магістралі якого встановлений інерційний блок очищення з трубопроводом відводу забрудненого повітря. З метою підвищення антипомпажної остійкості, економічності, спрощення запуску та надійного відводу забрудненого повітря з інерційного блоку очищення, трубопровід відводу забрудненного повітря сполучається зі входом інжектора,робоче сопло інжектора...