Спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовими плівковими укриттями тунельного типу
Номер патенту: 63592
Опубліковано: 10.10.2011
Формула / Реферат
Спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовими плівковими укриттями тунельного типу, що включає спосіб пророщування, масу садивних бульб, сорти картоплі, строки садіння, схему розміщення рослин, профіль поверхні ґрунту і висоту тимчасових плівкових укриттів, який відрізняється тим, що насіння бульби картоплі ранньостиглих сортів масою 50-60 г (а 100-180 г ділені навпіл) пророщують комбіновано при температурі +18...+20 °С 20 діб на світлі і 7-10 діб у вологому середовищі при тих же умовах, висаджують за схемою розміщення рослин (90+50)×25 см на глибину 8-10 см з одночасним підгортанням рядків, строк садіння - при першій можливості проведення польових робіт, але не раніше третьої декади лютого, встановлюють каркаси з металевих дуг через кожен метр і висотою над поверхнею ґрунту 70-90 см, вкривають полотном поліетиленової плівки шириною 300 см і товщиною 100 мкн, присипаючи краї ґрунтом, провітрюють тунельні укриття при підвищенні температури повітря в них до +25°С, закаляють рослини картоплі і у нічні години, повністю її прибирають після того, як мине загроза повернення заморозків (перша декада травня).
Текст
Спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовими плівковими укриттями тунельного типу, що включає спосіб пророщування, масу садивних бульб, сорти картоплі, строки садіння, схему розміщення рослин, профіль поверхні ґрунту і висоту тимчасових плівкових укриттів, який відрізняється тим, що насіння бульби картоплі ранньостиглих сортів масою 50-60 г (а 100-180 г ділені навпіл) 3 етиленовою плівкою 11 яка закріплена шаром ґрунту 12. Спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовими плівковими укриттями тунельного типу здійснюється в наступній послідовності. На поверхні ґрунту висаджуються пророслі бульби за схемою розміщення (90+50)×25 см, де 50 см - відстань між рядками, 90 см - між стрічками і 25 см - у рядку. Глибина садіння бульб 8-10 см з одночасним підгортанням рядків на висоту 10-12 см. Установка металевих каркасів (дуг) над стрічкою з висотою над поверхнею ґрунту 70-90 см, з заглибленими краями на 10-15 см і формування тунелів довжиною не більше 30 м. Накриття металевих каркасів поліетиленовою плівкою шириною 300 см та товщиною 100 мкн. Краї плівки на поверхні ґрунту закріплюють шаром ґрунту по периметру тунелю. У разі підвищення температури повіт Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 63592 4 ря під тимчасовими укриттями до +25°С проводиться провітрювання тунелів з підняттям плівки з торців, а при необхідності і країв. З третьої декади квітня проводиться закалювання рослин картоплі і у нічні години. Повністю плівку прибирають на початку травня, коли мине загроза повернення заморозків. Запропонований спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовими плівковими укриттями тунельного типу випробуваний в: ПСП «Мрія» Сакського району АР Крим на площі 4 га з урожайністю 21,3 т/га і СВК «Грузія» Первомайського району АР Крим на площі 6 га з урожайністю 19,8 т/га. Випробування запропонованого способу показало, що врожай ранньої картоплі в другій декаді травня досягає 11,5 т/га, в третій декаді травня 17,3 т/га, а в першій декаді червня до 24,8 т/га. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for growing early potato under temporary plastic covers of tunnel type
Автори англійськоюKenio Ihor Mykhailovych, Reznyk Mykola Hryhorovych
Назва патенту російськоюСпособ выращивания раннего картофеля под временными пленочными укрытиями туннельного типа
Автори російськоюКеньё Игорь Михайлович, Резник Николай Григорьевич
МПК / Мітки
МПК: A01C 14/00
Мітки: спосіб, вирощування, ранньої, тунельного, типу, тимчасовими, укриттями, картоплі, плівковими
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-63592-sposib-viroshhuvannya-ranno-kartopli-pid-timchasovimi-plivkovimi-ukrittyami-tunelnogo-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовими плівковими укриттями тунельного типу</a>
Спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовим плівковим укриттям в умовах зрошення на легких супіщаних ґрунтах
Номер патенту: 62897
Опубліковано: 26.09.2011
Автор: Костін Петро Миколайович
МПК: A01C 14/00, A01B 79/02
Мітки: ґрунтах, спосіб, картоплі, вирощування, зрошення, тимчасовим, легких, укриттям, ранньої, умовах, плівковим, супіщаних
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування ранньої картоплі під тимчасовим плівковим укриттям в умовах зрошення на легких супіщаних ґрунтах, що включає основний і передпосівний обробіток ґрунту, внесення добрив, садіння, догляд за рослинами, збір врожаю, який відрізняється тим, що протруєні в день висадки бульби картоплі препаратом престиж т.к.с. в дозі 1 кг/т висаджують в нарізані борозни в третій декаді березня, вносять розрахункову дозу азоту 120-145 кг д. р. на...
Спосіб вирощування ранньої картоплі
Номер патенту: 63281
Опубліковано: 10.10.2011
Автори: Черниченко Олена Олександрівна, Черниченко Ігор Іванович, Балашова Галина Станіславівна
МПК: A01B 79/02
Мітки: ранньої, спосіб, вирощування, картоплі
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування ранньої картоплі, що включає основний та передсадивний обробіток ґрунту, садіння, внесення добрив, поливи, догляд за рослинами та збирання раннього врожаю, який відрізняється тим, що одночасно з садінням бульб, густотою 70 тис. шт. на 1 га, вносять мінеральні добрива з розрахунку N60Р60К60, локально, стрічкою посередині гребеня на глибину 8-10 см.
Спосіб вирощування картоплі ранньої
Номер патенту: 62575
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Семенченко Олена Леонідівна, Ломакіна Надія Іванівна
МПК: A01C 14/00
Мітки: картоплі, вирощування, ранньої, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування картоплі ранньої, що включає передсадивну обробку бульб, який відрізняється тим, що для сортів Веста та Імпала перед висаджуванням бульби пророщують на світлі протягом 10 діб (при температурі 18-20 °С та вологості повітря 75-80 %) з подальшою обробкою розчином гумісолу (1:25), висаджують бульби на краплинному зрошенні з одночасним внесенням мінеральних добрив локально при саджанні дозою N60Р60К30.
Спосіб вирощування ранньої продовольчої картоплі
Номер патенту: 51145
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Черниченко Ігор Іванович, Черниченко Олена Олександрівна, Бугаєва Ізабелла Павлівна
МПК: A01C 1/00
Мітки: картоплі, продовольчої, вирощування, ранньої, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування ранньої продовольчої картоплі включає прогрівання, садіння, догляд за посівами і збір врожаю, який відрізняється тим, що проводять прогрівання бульб протягом місяця при температурі 18-20 °С: протягом 10 днів - з зберіганням їх в темряві, а потім 20 днів - при денному світлі, садіння проводять у відкритий ґрунт при температурі верхнього шару ґрунту 8-10 °С нормою 80 тис. шт./га.
Спосіб вирощування ранньої картоплі при краплинному зрошенні на легких супіщаних грунтах
Номер патенту: 9657
Опубліковано: 17.10.2005
Автори: Лимар Володимир Анатолійович, Лимар Анатолій Остапович, Шабунін Іван Митрофанович
МПК: A01B 79/00
Мітки: ранньої, супіщаних, легких, грунтах, краплинному, спосіб, вирощування, картоплі, зрошенні
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування ранньої картоплі при краплинному зрошенні на легких супіщаних грунтах, який включає основний і передпосівний обробіток грунту, внесення добрив, садіння, догляд за рослинами, збір врожаю, який відрізняється тим, що вносять мінеральні добрива локальним способом під основний обробіток грунту в дозі P90K90, при висадці бульб - Р10, азотні добрива в дозі N50 - під весняну культивацію, N50 вноситься в підживлення в фазі: повні...
Попередній патент: Вібраційний плуг
Наступний патент: Пристрій для вимірювання величини розвалу і сходження коліс автомобілів
Випадковий патент: Регулятор тиску газу