Спосіб і пристрій для рафінування матеріалів дистиляцією у космічному вакуумі

1. Спосіб рафінування матеріалів дистиляцією у космічному вакуумі, що полягає у випаровуванні матеріалу та осаджуванні його на конденсаційній колонці, який відрізняється тим, що випаровування здійснюють в умовах невагомості або низької гравітації з розплавленої кулі рафінованого матеріалу, яка утримується силами поверхневого натягу на кінці стрижня з рафінованого матеріалу, сконцентрованим на стрижні потоком сонячного випромінювання. 2. Пристрій для рафінування матеріалів дистиляцією у космічному вакуумі, який має конденсаційну колонку та рафінованого матеріал, який відрізняється тим, що містить шток з захватом для кріплення рафінованого матеріалу, концентратор сонячної енергії, що містить велике дзеркало, мале дзеркало і вузол для регулювання потоку випромінювання, з'єднаний штоками з малим дзеркалом і великим дзеркалом, яке має отвір для проходження випромінювання. UA (21) 2004031790 (22) 11.03.2004 (24) 15.03.2006 (46) 15.03.2006, Бюл. № 3, 2006 р. (72) Авотін Станіслав Сергійович, Авотіна Євгенія Станіславівна, Сандуленко Євгеній Владимирович (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ХАРКІВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ" (56) SU, 836 169, A, публ. 07.06.1981, Бюл. 21 SU, 962 326, A, публ. 30.09.1982, Бюл. 36 UA, 1 246, A, публ. 15.05.2002, Бюл. 5 UA, 48 677, A, публ. 15.08.2002, Бюл. 8 RU, 2 082 787, C1, публ. 27.06.1997 GB, 1 387 894, A, publ. 19.03.1975 US, 6 231 826, B1, publ. 15.05.2001 Заявка US, 2002/0121158, A1, publ. 05.09.2002 JP, 62-222031, A, publ. 30.09.1987 JP, 02-228415, A, publ, 11.09.1990 Заявка JP, 2002-241860, A, publ. 28.08.2002 Иванов В.Е., Амоненко В.М., Тихинский Г.Ф., Круглых А.А.Рафинировка бериллия вакуумной дистилляцией.- Физика металлов и металловедение, 1960, т.10, вып.4, с. 581-585 C2 2 (19) 1 3 75188 4 випаровування матеріалу здійснюють в умовах вузла 3 для регулювання потоку випромінювання, невагомості або низької гравітації з розплавленої з'єднаного з малим дзеркалом 2 і штоками 4 з кулі матеріалу, що рафінують, яка утримується конденсаційною колонкою 8 та великим дзеркалом силами поверхневого натягу на кінці стрижня з 1, що має отвір для проходження відбитого від матеріалу, що рафінують, сконцентрованим на малого дзеркала 2 випромінювання, захват 5 для зразку потоком сонячного випромінювання. кріплення циліндричного стрижня матеріалу 6, що Другою відміною є те, що пристрій для рафінують, який закріплений на штоці 7, признарафінування матеріалів вакуумною дистиляцією у чений для переміщення стрижня 6 конденсаційній космічному вакуумі, що містить конденсаційну коколонці 8. лонку та матеріал, що рафінують, відповідно до Описаний спосіб і пристрій може бути винаходу, має шток з захватом для кріплення реалізований таким чином. Відбитий великим матеріалу, що рафінують, концентратор сонячної вігнутим дзеркалом 1, що має центральний отвір енергії, що містить велике дзеркало і мале дзердля проходження випромінювання, потік сонячного кало, з'єднані штоком з малим дзеркалом і веливипромінювання концентрується малим дзеркалом ким дзеркалом, яке має отвір для проходження 2 на кінці циліндричного стрижня матеріалу 6, що відбитого від малого дзеркала випромінювання. рафінують. Регулювання потужності, що Таким чином, рафінування матеріалів безтипідводиться в зону плавлення здійснюється обергельною дистиляцією у космічному вакуумі шлятанням фрагментів малого дзеркала 2 навколо осі, хом випаровування матеріалу сконцентрованим що паралельна вісі стрижня. Розплавлена куля 9 потоком сонячного випромінювання дозволяє утримується на кінці стрижня 6 силами поверхнеодержувати надчисті метали і матеріали. вого натягу. Стрижень 6 переміщується в зону На фіг. схематично зображений пристрій для плавлення в міру випаровування матеріалу. рафінування матеріалів. Пристрій містить конценРафінування матеріалу, який осаджується на тратор сонячного випромінювання, виконаний із конденсаційній колонці 8, здійснюється за рахунок дзеркал, що відбивають, великого дзеркала 1 і різної летючості домішок та основного матеріалу. малого дзеркала 2, що складається з двох частин, Комп’ютерна верстка М. Клюкін Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601