Пристрій для рафінування металів дистиляцією у вакуумі

1. Пристрій для рафінування металів дистиляцією у вакуумі, який містить вакуумну камеру, розміщені усередині неї тигель, установлений на ньому конденсатор з утворенням робочої порож 3 1246 4 В основу корисної моделі поставлена задача опуклої поверхні, яка опуклістю повернена до створити пристрій, у якому рафінування металів днища тигля 2. У найближчій до днища, тигля 2 дистиляцією у вакуумі можливо було б здійснюваточці виконаний отвір 8, На бічних поверхнях конти з більш високими продуктивністю та ви ходом денсаторів 3 і 5 виконані отвори 9 для вакуумупридатної продукції. вання робочої порожнини та вилучення з неї газоПоставлена задача вирішується у пристрої вих домішок. Тигель 2 установлений на рухомому для рафінування металів дистиляцією у вакуумі, тримачі 10 з підставкою 11. Нагрівач 4 охоплений який містить вакуумну камеру, розміщені усередитепловими екранами. ні неї тигель, установлений на ньому конденсатор Робота, пропонованого пристрою для рафінуз утворенням робочої порожнини, нагрівник, що вання металів дистиляцією у вакуум здійснюється охоплює тигель, а також додатковий конденсатор. таким чином. Згідно з корисною моделлю у робочій порожнині Метал, що рафінують, наприклад телур, варозміщене, пластина, яка перекриває переріз погою 2,5кг та з первинним вмістом домішок (2 ... 5) рожнини, поверхня пластини, яка повернена до * 10-2мас.% розмішували на пластині 6, яка викоконденсатора, виконана як частина опуклої повернана з високочистого графіту (МПГ-7), як і усі елехні, опуклістю повернена до днища тигля, причому менти пристрою, контактуючі з металом, що рафіу найближчій до днища точці згаданої поверхні нують. Камеру 1 вакуум ували та підчас виконаний отвір. Високі результати можуть бути рафінування підтримували тиск у ній не більш 102 отримані у варіанті, коли згадана частина опуклої Па. Телур нагрівали до 480°С, він плавився та поверхні виконана, конічною з кутом при вершині стікав крізь отвір пластини 6 до тигля 2 (Фіг.1). При конуса 168 – 178°. цьому газові домішки вилучали крізь отвір 9, а легМетал, що рафінують, який знаходиться на ко леткі домішки (Na, К, S, P, As, Se, Cd та ін.) і пластині, при температурі вище температури його легко леткі окиси домішок (Cu, Ag, Pb, ТІ, Sb, Bi, Li, плавлення стікає по опуклій поверхні крізь отвір до Sn, Мn та ін.) конденсувались на конденсаторі 3. тигля. при цьому легко леткі домішки конденсуВажко леткі окиси домішкових металів і шлаки заються на конденсаторі, а важко леткі окисли домілишались у вигляді плівки 12 на поверхні пластини шкових металів та шлаки залишаються на. повер8. Після того, як весь метал, що рафінують потрахні пластини у вигляді плівки, Після заповнення пляв до тигля 2, зменшували температуру телуру тигля металом, що стік, та установлення у робочій до 350°С та замість конденсатора 3 із пластиною 6 порожнині температури менше температури плавз плівкою 12 на тигель 2 установлювали додатколення металу, що рафінують, основний конденсавий конденсатор 5 (Фіг.2) без порушення герметитор разом із пластиною замінюють на додатковий чності камери 1. Далі телур піддавали одноразовій конденсатор, що веде до вилучення плівки з окидистиляції з часткою перегонки до 85%. При цьому сами та шлаками з наступного процесу рафінутелур випаровували при температурі 500 – 510°С, вання. Далі проводять рафінування металу від а конденсували при 420 430°С. Важко леткі доміважко летких домішкових елементів осадженням шки (Fe, Ni, Co, Si, Al, Cu, Ag, Pb, Bi, Li, Sn, Μn та металу на додатковому конденсаторі. ін.) залишались у ти глі 2. Вміст домішок у телурі На Фіг.1 зображена схема пропонованого привизначали методом мас-спектрометрії за допомострою на етапі, коли використовують основний гою лазерного мас-спектрометра ЭМАЛ-2. Визнаконденсатор; на Фіг.2 зображена схема пропоночали вміст 76 елементів з границею виявлення ваного пристрою на етапі, коли використовують 10-5 - 10-6мас. %. було отримано 2,375кг телуру із додатковий конденсатор; на Фіг.3 зображена плассумарним вмістом домішок менше 4,2 * 10-4мас. %. тина. продуктивність пристрою складала 1,5кг/ч. Пристрій містить вакуумну камеру 1 (Фіг.1). У таблиці наведені відомості про вихід придаУсередині неї розміщений тигель 2, установлений тної продукції, продуктивності та сумарного вмісту на ньому конденсатор 3 з утворенням робочої подомішок (без обліку вуглецю та газо утворюючих) у рожнини, нагрівник 4, який охоплює тигель 2, а телурі, а також цинку і кадмію, рафінованих у протакож додатковий конденсатор 5, виконаний з мопонованому пристрої, після етапів вилучення легко жливістю переміщення усередині камери 1 віднослетких домішок, окисної плівки та наступної одноно тигля 2. У робочій порожнині пристрою розміразової дистиляції, у порівнянні з металами, які щена пластина 6, яка перекриває переріз були отримані за допомогою пристроїв, описаних у порожнини. Поверхня 7 пластини 6, яка повернена [1] і [2]. до конденсатора 3, виконана у вигляді частини Таблиця Вміст домішок мас. %. Метал Вага завантаж., кг Вихід придаПродуктивтної продукність, г/ч ції, % Примітка первинний після рафінування Zn [1] 2 * 10-3 1 * 10-4 1,2 25 - 30 170 дворазов. дистил. Cd [1] -2 1 * 10-4 1,5 50 500 дворазов. дистил. -3 1,6 50 600 одноразов. дистил. Те [2] 5 * 10 1,6 * 10 -2 1 * 10 Пропонований пристрій 5 1246 6 Продовження табл. Вміст домішок мас. %. Метал Вага завантаж., кг Вихід придаПродуктивтної продукність, г/ч ції, % Примітка первинний після рафінування Zn 1,4 * 10-3 1,5 * 10-4 2,3 95 445 одноразов, дистил. Cd 1,1 * 10 -2 1,4 * 10 -4 2,5 95 1325 одноразов, дистил. 2,6 * 10 -2 4,2 * 10 -4 2,5 95 1580 одноразав. дистил. Те Таким чином пропонованім пристрій дозволяє рафінувати метал з більшою продуктивністю та більшим виходом придатної продукції, ніж пристрої, які описані у [1 ] і [2]. ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул. Сім’ї Хо хлових, 15, м. Київ, 04119, Україна (044) 456 – 20 – 90 ТОВ “Міжнародний науковий комітет” вул. Артема, 77, м. Київ, 04050, Україна (044) 216 – 32 – 71