П’єзоелектричний матеріал

Изобретение относится к области электронной техники, в частности, связанной с использованием различного рода пьезоэлектрических преобразующих и приемных устройств. Цель изобретения - увеличение пьезочувствительности материала к воздействию гидростатического давления и расширение интервала рабочих температур и давлений. Применяют в качестве пьезоэлектрического материала сегнетоэлектрические кристаллы (Ge x Sn,^) 2 P i S 6 (О І Х £ 0 , 1 6 ) , обладающие высокой пьезоэлектрической чувствительностью к гидростатическому давлению. Материал обладает хорошей механической прочностью и стабильностью. I табл* 1 144470? Изобретение относится к обпасти ЭЛРКтронной техники, в частности, связанной с использованием различного рода пьезоэлектрических преобра_ зующих и приемных устройств. Целью изобретения является повышение пьезочувствительности материала к воздействию гидростатического давления и расширение интервапа pa- JQ бочих температур и давлений. Кристаллы ( G e x S n b K ) ^ P 2 S 6 выращиваются- метбдом химических транспортных реакций. В качестве транспортирующего агента (переносчика) использу-15 ется иод (12)» а также иодиды олова (Snl l f SnIЛ в количестве 3~7 мг/см , Исходными веществами служат элементарные компоненты: олово ОВЧ 000, фосфор класса В-5, сера марки 20 ОСЧ-16-5. Процесс выращивания проводится в вакуумированных до Ю*"3- 10' мм рт. ст, кварцевых ампулах диаметром 18 - 20 мм и длиной 150 мм. Кристал- 25 Материал лы (Ge)(Sn1.x1l?a Я 6 получены в пределах 0 £. X ^ 0,16, При замещении атомов Sn на Ge температура фазовых переходов повышается и достигает 81 С при X = 0,16, Пьезочувствительность кристаллов к гидростатическому воздействию при этом возрастает приблизительно на J5% по сравнению с составом X = 0. • В таблице приведены характеристики материала. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Пьезоэлектрический материал на основе сег'нетоэлектрика Sn P 2 S 6 , о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения пьезочувствительности материала к зоздействию гидростатического давления и расширения интервала рабочих температур и давлений, в него введен Ge с образованием твердого раствора состава (GexSn, *)P 2 S 6 , где 0 ^ X ^ 0,16. о т, с Кл/Н ^ Р/р 1 --10° ^ t 0 і и * Є/F. * ! in • °С Кл/Н кА/н (Gp^n,^)^?^ X - 0 20 230 О,57(к ) 2,8 12,2 18,5 67 X = 0,1 20 220 О,58(к(() 3,05 13,8 20,6 76 X = 0,16 20 210 0,58(к н ) ЗП 14,8 21,4 88 ХГС-2 20 950 0,65(к^) 5,5 5,8 17,7 58 5 2200 0,87(к„) 10 4,6 21 19 20 3430 0,75(k J3 ) 0,5 0,15 0,8 193 SbSI PZT-54 Редактор Т. Юрчикова Составитель Т. Щукина Техред Л,Олийнык Корректор С.Черни Заказ 1393/ДСТ Тираж 433 Подписное ВНИКЛИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„, д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4