H01L 41/18 — для п’єзоелектричних або електрострикційних приладів

Номер патенту: 106518

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Гомоннай Олександр Васильович, Гомоннай Олександр Олександрович, Рубіш Василь Михайлович, Штець Петро Петрович, Риган Михайло Юрійович, Росул Роман Романович

МПК: H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.

Номер патенту: 72783

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Стратійчук Денис Анатолійович, Софонова Вікторія Василівна, Смірнова Тамара Іванівна, Лісняк Владислав Владиславович, Болдирєва Ольга Юріївна

МПК: H01L 41/18

Мітки: о7(де, каталізаторів, дифосфатів, окиснення, металів, отримання, перехідних, mo,w,nb,ta,re, спосіб, платинових, ряду, паладієвих, водню, мр2, носіїв, вибрано

Формула / Реферат:

Спосіб отримання дифосфатів перехідних металів МР2О7 (де М вибрано з ряду Mo, W, Nb, Та, Re) як носіїв платинових та/або паладієвих каталізаторів окиснення водню (Н2), який включає використання сполук-прекурсорів, що містять перехідні метали, фосфор та кисень, з наступним нагріванням сполук-прекурсорів до високої температури, який відрізняється тим, що як сполуки-прекурсорів використовують наступні порошки: Cat3[PMo12O40] (Cat = L4N,...

Номер патенту: 59954

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Кисіль Микола Григорович, Гусакова Людмила Георгіївна, Раков Вадим Федорович, Спірідонов Микола Анатолійович, Кузенко Данило Володимирович, Погібко Володимир Михайлович

МПК: H01L 41/24, C04B 35/495, H01L 41/18 ...

Мітки: текстурованих, knn, спосіб, базі, одержання, ниобату, безсвинцевого, матеріалу, калію-натрію, плівок, п'єзокерамічного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання текстурованих плівок безсвинцевого п'єзокерамічного матеріалу на базі ніобату калію-натрію (KNN), переважно шляхом шлікерного лиття на рухливу стрічку-підкладку в умовах литтєвої установки, що включає готування шлікерної маси, лиття шлікеру на рухливу підкладку із сушінням плівки в процесі її руху, формування текстури і спікання одержуваних шликерних плівок, який відрізняється тим, щояк вихідний п'єзокерамічний...

Номер патенту: 94010

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Шпак Анатолій Петрович, Гуранич Оксана Григорівна, Гуранич Павло Павлович, Рубіш Василь Михайлович, Гасинець Степан Михайлович

МПК: H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний тіогіподифосфат олова, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %:тіогіподифосфат олова 10-50 сульфід миш'яку - решта.

Номер патенту: 92896

Опубліковано: 27.12.2010

Автор: Рубіш Василь Михайлович

МПК: H01L 41/18, H01P 7/10

Мітки: матеріал, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 52-95 сульфід миш'яку решта.

Номер патенту: 92332

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Шпак Анатолій Петрович

МПК: H01L 41/18

Мітки: матеріал, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 55-95 сульфід германію решта. 2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію.3. Сегнетоелектричний матеріал за...

Номер патенту: 91201

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Шпак Анатолій Петрович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: H01L 41/18

Мітки: матеріал, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що він додатково містить склоподібний селенід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми            50-97 селенід миш'яку                   решта.

Номер патенту: 86818

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Німченко Тетяна Василівна, Девін Леонід Миколайович, Найденко Артем Григорович

МПК: G01N 29/24, H01L 41/18

Мітки: п'єзоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

1. П'єзоелектричний перетворювач, що містить порожнистий корпус, розміщену у ньому з боку одного торця п'єзокерамічну пластину і контактуючий з нею демпфер, виконаний з композиційного матеріалу на основі компаунду з наповнювачем з узгодженням імпедансів демпфера і п'єзокерамічної пластини на границі їх розподілу, який відрізняється тим, що як наповнювач композиційного матеріалу він містить порошок карбіду тугоплавкого металу.2....

Номер патенту: 23371

Опубліковано: 25.05.2007

Автор: Лущін Сергій Петрович

МПК: C04B 35/00, H01L 41/18, H01L 41/24 ...

Мітки: п'єзоелектричної, кераміки, спосіб, зміцнення

Формула / Реферат:

Спосіб зміцнення п'єзоелектричної кераміки шляхом обробки її поверхні, який відрізняється тим, що обробку поверхні здійснюють атомарним воднем.

Номер патенту: 5639

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Смірнова Тамара Іванівна, Стратійчук Денис Анатолійович, Лісняк Владислав Владиславович, Стусь Наталія Вікторівна, Слободяник Микола Семенович, Гаран Анатолій Григорович

МПК: H01L 41/18

Мітки: хрому, спосіб, отримання, ііі, базі, матеріалу, дифосфату, подвійного, нецентросиметричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нецентросиметричного матеріалу на базі подвійного дифосфату хрому (III), який передбачає змішування фосфоровмісного компоненту та оксиду хрому (III) (Сr2О3) і нагрівання до температур 800-950°С з витримуванням при цій температурі не менше 8-10 год, який відрізняється тим, що, як фосфоровмісний компонент використовують метафосфат натрію (NaPO3) в кількості 90-93 мас. %, а отримані після нагрівання і витримування...

Номер патенту: 5638

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Гаран Анатолій Григорович, Смірнова Тамара Іванівна, Лісняк Владислав Владиславович, Стратійчук Денис Анатолійович, Стусь Наталія Вікторівна

МПК: H01L 41/18

Мітки: nafep2o7, нецентросиметричного, натрію, ііі, антиферомагнітного, отримання, подвійного, дифосфату, спосіб, заліза

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нецентросиметричного антиферомагнітного подвійного дифосфату заліза (ІІІ) натрію (NаFеР2О7), який передбачає змішування натрієвмісного та залізовмісного компонентів і нагрівання до температури 950-1050°С з витримкою при цій температурі не менше 5-10 год., який відрізняється тим, що як натрієвмісний компонент використовують метафосфат натрію (NaPO3) в кількості 85-90 мас. %, як залізовмісний компонент використовують оксид...

Номер патенту: 60396

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Дубінін Владімір Стєпановіч, Крутова Єлєна Ігорєвна, Спірін Юрій Лєонідовіч, Фролов Дмітрій Владіміровіч

МПК: B22F 3/24, B82B 1/00, B23H 1/00 ...

Мітки: обробляння, твердотілого, деталей, твердотілий, матеріал, спосіб, варіанти, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб обробляння твердотілих матеріалів, який відрізняється тим, що містить такі операції, як виготовлення заготовки з твердотілого матеріалу, утворення пор, щонайменше, у поверхневому шарі матеріалу заготовки, причому зазначені пори мають діаметр до 200 нм, заповнення зазначених пор нитками з іншого або того ж самого матеріалу, що і матеріал заготовки.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що в кожну пору поміщають кілька...

Номер патенту: 8144

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Майор Михайло Михайлович, Гурзан Михайло Іванович, Сливка Володимир Юлійович, Височанський Юліан Миронович

МПК: H01L 41/18

Мітки: матеріал, п'єзоелектричний

Формула / Реферат:

Пьезоэлектрический материал на основе сегнетоэлектрика Sn2P2S6, отличающийся тем, что, с целью повышения пьезочувствительности материала к воздействию гидростатического давления и расширения интервала рабочих тем­ператур и давлений, в него введен Ge с образова­нием твердого раствора состава (GeхSn1-х)2 P2S6, где 0 < Х £ 0,16.