Тонкошаровий відстійник

Тонкошаровий відстійник, що включає корпус, тонкошаровий модуль, вузли вводу і розподілення вихідної рідини і виводу фаз з трубопроводом підведення повітря, який відрізняється тим, що корпус складається з камери реакції, камери відстоювання в тонкому шарі та камери накопичення осаду, відстійник обладнано ерліфтом для перекачування шламу з камери накопичення осаду в камеру реакції, при цьому кількість шламу, що подається на рециркуляцію, складає 30% від загального об'єму шламу, який утворюється, а співвідношення діаметрів водопідіймальної труби ерліфта dep. і трубопроводу підведення повітря dпов. складає 1,5. Винахід відноситься до споруд механічної очистки стічних вод і може бути використаний в системах оборотного водопостачання заводів машинобудівного комплексу, а саме в системах травильних виробництв і гальванічних відділень. Відома конструкція горизонтального відстійника з тонкошаровими блоками [1]. Недоліком цієї конструкції є досить низький ефект очистки стічних вод за завислими речовинами і складність конструкції. Найбільш близькою до конструкції, що пропонується, по технічній суті і результату є конструкція пристрою для очистки стічних вод, що включає відстійник, тонкошарові блоки і колектор стисненого повітря [2]. Недоліками вказаного пристрою є неможливість його використання в системах водопостачання травильних і гальванічних відділень в зв'язку з малою розчинністю шламу, який утворюється при нейтралізації, його малою щільністю і нестійкістю пластівців осаду. Нами поставлено задачу вдосконалення конструкції апарату для підвищення ефекту очистки кислих стічних вод, зменшення часу відстоювання і збільшення щільності і механічної стабільності осаду, який утворюється в процесі очистки. Задача вирішується за рахунок того, що тонкошаровий відстійник обладнується ерліфтом, через який перекачують частину осаду, який утворюється в процесі очистки, з камери накопичення в камеру реакції (нейтралізації). В результаті пластівці осаду не руйнуються і служать центрами коагуляції. Осад при такій схемі очистки є більш щільним і стабільним. На малюнку представлено конструкцію тонкошарового відстійника, що пропонується в вертикальному перерізі. Тонкошаровий відстійник складається з камери реакції 3, камери відстоювання в тонкому шарі 11 і камери накопичення осаду 12. Камера реакції 3, обладнується трубопроводами подачі вихідної кислої води 1, стисненого повітря 4, вапняного розчину 5 і надлишкового осаду з камери накопичення шламу 16. В камері тонкошарового відстоювання передбачається встановлення нахилених під кутом 60° тонкошарових каналів 7, трикутних водозливів для розосередженого збору освітленої рідини 8, лотків чистої води 9 і трубопроводу відведення очищеної води 10. В камері накопичення (19) UA (11) 87145 (13) C2 (21) a200700054 (22) 02.01.2007 (24) 25.06.2009 (46) 25.06.2009, Бюл.№ 12, 2009 р. (72) ЕПОЯН СТЕПАН МИХАЙЛОВИЧ, СИРОВАТСЬКИЙ ОЛЕКСАНДР АНАТОЛІЙОВИЧ, ЛУКАШЕНКО СЕРГІЙ ВІКТОРОВИЧ, ЄФРЕМОВ АНДРІЙ БОРИСОВИЧ (73) ХАРКІВСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ БУДІВНИЦТВА ТА АРХІТЕКТУРИ (56) SU 1292801 A1, 28.02.1987 SU 1834858 A3, 15.08.1993 SU 977404, 30.11.1982 RU 2104079 C1, 10.02.1998 US 5985150 A, 16.11.1999 US 5035795 A, 30.07. 1991 GB 1268271 A, 29.03.1972 3 87145 осаду 12 встановлено вібратор 13 для покращення зсування шламу з тонкошарових каналів і ерліфт 14 з трубопроводом стисненого повітря 15. Конструкція працює таким чином. Вихідні кислі стічні води, що містять сірчану кислоту, сульфат заліза (II) і завислі домішки трубопроводом 1 подаються у вхідну трубу 2, а потім в камеру реакції (нейтралізації) 3. Туди ж надходить вапняний розчин по трубі 5 в кількості, необхідній для доведення реакції рН води в камері 8,59,5. При нейтралізації утворюється гідроксид заліза (II), пластівці якого мають досить велику розчинність (близько 0,44мг/л). Для прискорення процесу відстоювання в камеру реакції 3 вводимо стиснене повітря по трубі 4. Завдяки цьому гідроксид заліза (II) швидко переходить в гідроксид заліза (III), який має значно меншу розчинність, ніж гідроксид заліза (II). Зкоагульована суміш по трубопроводу 6 надходить в камеру тонкошарового відстоювання 11, де розташовуються нахилені тонкошарові канали 7. Освітлена вода піднімається уверх і переливаючись через трикутний водозлив 8, попадає в лоток 9, відкіля трубопроводом 10 відводиться на подальше використання. Для запобігання забивання шламом тонкошарових каналів 7 конструкція обладнується вібратором 13. Шлам, який утворюється в процесі очистки, осаджується і накопичується в камері (бункері) 12. З камери 12 ерліфтом 14 частина осаду перекачується в камеру реакції 3 по трубопроводу 16. При цьому найкращі гідравлічні умови для стабільності осаду Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 досягаються при співвідношенні діаметрів водопідіймальної труби ерліфту 14 і трубопроводу підведення повітря 15 dep/dпов=1,5. Це дозволить зменшити витрати вапна на нейтралізацію, прискорити процес укрупнення завислих речовин і підвищити щільність і механічну стабільність осаду. Кількість шламу, що подається на рециркуляцію, складає 30% від загального його об'єму. Крім того, використання ерліфту дозволяє зберегти цілісність пластівців осаду і їх механічну стабільність. Таким чином, використання запропонованої конструкції дозволить підвищити ефект очистки на 20-30%, скоротити час відстоювання в 1,5-2 рази, а також прискорити процес кристалізації сульфату кальцію, що сприяє запобіганню щільних сольових утворень в системі водопостачання. Джерела інформації, які прийняті до уваги при експертизі 1. А.с. №1130366, СССР. МКИ В 01 D 21/00. Горизонтальный отстойник. / Кожушко С.Г., Падюра B.C./ Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт городского хозяйства Министерства жилищно-коммунального хозяйства УССР. - Заявл. 02.09.83. - Опубл. 23.12.84. Бюл. №47. 2. А.с. №1292801, СССР. МКИ В 01 D 21/00. Устройство для очистки сточных вод./ Савченко А.К., Васильев A.M., / Сибирский государственный институт по проектированию металлургических заводов «Сибгипромез». - Заявл. 12.03.85. Опубл. 28.02.87. Бюл. №8. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601