Стабільний діапазонний генератор гармонічних коливань

Стабільний діапазонний генератор гармонічних коливань, який містить джерело постійної напруги, перший, другий, третій і четвертий біполярні транзистори, перший, другий і третій резистори, першу і другу ємності, який відрізняється тим, що в нього введено друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднано з першим виводом першого резистора, другий вивід першого резистора з'єднаний з колектором першого і базою другого біполярних транзисторів, колектор другого біполярного 3 16590 4 вивід індуктивності з'єднаний з другим виводом тійної напруги, другий полюс першого джерела четвертої ємності, а також першим виводом четпостійної напруги підключений до емітерів першовертого резистору і емітерами третього і четвертого, другого і третього біполярних транзисторів, го біполярного транзисторів, що утворюють першу другого виводу другої ємності і другого полюса вивідну клему, база третього біполярного транзисдругого джерела постійної напруги, що утворюють тора з'єднана з другим виводом четвертого резисзагальну шину, до якої підключена друга вивідна тора і катодом стабілітрона, анод стабілітрона клема. з'єднаний з другим виводом п'ятого і першим виВикористання запропонованого пристрою для водом шостого резисторів, перший вивід п'ятого отримання електрично керованих по частоті гаррезистора з'єднаний з колектором третього і базою монічних коливань розширює діапазон перебудови четвертого біполярних транзисторів, колектор четчастоти генерації за рахунок виконання ємнісного вертого біполярного транзистора з'єднаний з друелементу коливального контуру у вигляді ємнісної гими виводами першого і шостого резисторів, друскладової повного опору, який існує на електродах гими виводами першої, другої, третьої і п'ятої колектор і емітер другого біполярного транзистора ємностей та другим полюсом джерела постійної та індуктивного елементу коливального контуру у напруги, що утворюють загальну шину, до якої вигляді активної індуктивності на основі четвертопідключена друга вивідна клема. го біполярного транзистора і RC-фазозсуваючої Недоліком такого пристрою є незначний діапаланки, що складається з першої ємності і третього зон перебудови частоти генерації, мала амплітуда резистора. Підвищення довгострокової стабільногенерованих коливань та мале значення довгості частоти генерації забезпечується за допомогою строкової стабільності частоти генерації, що зумовикористання додаткового джерела постійної навлене нестабільністю резонансної частоти колипруги, а також застосування генератора стабільновального контуру, а також нестабільністю режиму го струму на основі третього біполярного транзисживлення транзисторного аналогу тунельного діотора і другого резистора для живлення да по постійному струму. транзисторної структури активного елементу стаВ основу корисної моделі поставлена задача більного діапазонного генератора гармонічних створення стабільного діапазонного генератора коливань, яка складається з першого і другого бігармонічних коливань з електричною перебудовою полярних транзисторів. Потужність генерованих частоти генерації, в якому за рахунок введення гармонічних коливань зростає за рахунок значної нових блоків і зв'язків між ними стає можливим величини від'ємного опору, який визначається аквиконання ємнісного елементу коливального контивною складовою повного опору на електродах туру у вигляді реактивної складової повного опору колектор і емітер другого біполярного транзистора. транзисторної структури активного елементу генеНа кресленні представлена схема стабільного ратора і активної індуктивності на основі біполярдіапазонного генератора гармонічних коливань. ного транзистора і RC-фазозсуваючої ланки, що Пристрій містить перше джерело постійної напризводить до розширення діапазону перебудови пруги 1 перший резистор 2, перший 3 і другий 4 частоти генерації і підвищення потужності генеробіполярні транзистори, другий резистор 5, третій ваних гармонічних коливань, а також забезпеченбіполярний транзистор 6, першу ємність 7, четверня стабільного живлення транзисторної структури тий біполярний транзистор 8, третій резистор 9, активного елементу генератора за допомогою гедругу ємність 10, друге джерело постійної напруги нератора стабільного струму на основі біполярно11.При цьому, перший полюс першого джерела го транзистора, що призводить до збільшення довпостійної напруги 1 з'єднано з першим виводом гострокової стабільності частоти генерації. першого резистора 2, другий вивід першого резисПоставлена задача вирішується тим, що в тора 2 з'єднаний з колектором першого 3 і базою пристрій який містить джерело постійної напруги, другого 4 біполярних транзисторів, колектор другоперший, другий, третій і четвертий біполярні транго біполярного транзистора 4 з'єднаний з першим зистори, перший, другий і третій резистори, першу виводом другого резистора 5, першим виводом і другу ємність введено друге джерело постійної першої ємності 7 та емітером четвертого біполярнапруги, причому перший полюс першого джерела ного транзистора 8, що утворюють першу вивідну постійної напруги з'єднано з першим виводом клему, другий вивід другого резистора 5 з'єднаний першого резистора, другий вивід першого резисз колектором третього біполярного транзистора 6, тора з'єднаний з колектором першого і базою друбазою першого 3 і базою третього 6 біполярних гого біполярних транзисторів, колектор другого транзисторів, другий вивід першої ємності 7 з'єдбіполярного транзистора з'єднаний з першим винаний з базою четвертого біполярного транзистоводом другого резистора, першим виводом першої ра 8 і першим виводом третього резистора 9, друємності та емітером четвертого біполярного трангий вивід третього резистора 9 з'єднаний з зистора, що утворюють першу вивідну клему, друколектором четвертого біполярного транзистора 8, гий вивід другого резистора з'єднаний з колектопершим виводом другої ємності 10 і першим пором третього біполярного транзистора, базою люсом другого джерела постійної напруги 11, друпершого і базою третього біполярних транзисторів, гий полюс першого джерела постійної напруги 1 другий вивід першої ємності з'єднаний з базою підключений до емітерів першого 3, другого 4 і четвертого біполярного транзистора і першим витретього 6 біполярних транзисторів, другого вивоводом третього резистора, другий вивід третього ду другої ємності 10 і другого полюса другого джерезистора з'єднаний з колектором четвертого бірела постійної напруги 11, що утворюють загальну полярного транзистора, першим виводом другої шину, до якої підключена друга вивідна клема. ємності і першим полюсом другого джерела пос 5 16590 6 Стабільний діапазонний генератор гармонічтранзисторної структури активного елементу генених коливань працює таким чином. ратора на основі біполярних транзисторів 3 і 4. Підвищення напруги джерел постійної напруги Резистор 5 і біполярний транзистор 6 утворюють 1 і 11 до величини, коли на електродах колектор і генератор стабільного струму для живлення актиемітер біполярного транзистора 4 виникає від'ємвного елементу діапазонного генератора на основі ний опір, який призводить до виникнення гармонібіполярних транзисторів 3 і 4, що забезпечує підчних коливань у контурі, який утворений паралевищення довгострокової стабільності частоти гельним включенням повного опору з ємнісною нерації в робочому діапазоні частот. Ємність 10 складовою на електродах колектор і емітер біпозапобігає проходженню змінного струму через лярного транзистора 4 і повного опору з індуктивджерело постійної напруги 11. Джерело постійної ною складовою на електродах колектор і емітер напруги 11 регулює величину від'ємного опору, що біполярного транзистора 8. Фазозсуваюче коло з визначає потужність генерованих гармонічних копослідовно з'єднаних ємності 7 і резистора 9 доливань. Наступна зміна джерел постійної напруги повнює необхідну різницю фаз для отримання 1 і 11 змінює величину ємнісної та індуктивної індуктивної складової повного опору на електроскладових повного опору коливального контуру дах колектор і емітер біполярного транзистора 8. генератора, що призводить до зміни частоти генеРезистор 2 обмежує величину струму живлення рації. Комп’ютерна верстка В. Мацело Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601