Спосіб захисту внутрішньої поверхні вакуумної камери від конденсату

ИПК6С23С 14/08 Спооїб захисту внутрішньої педерхні вакуумної камери від конденсату Винахід відноситься до вакуумної технології одержання тонких плівок І може бути використаний для очистки внутрішньої поверхні вакуумної камери і технологічної оснастки від попутнього металічного (напівпровідникового) конденсату, зокрема в мікроелектронній. оптичній, дзеркальній, приладобудівній і др. промисловостях. Найбільш близьким технічним рішенням являється магнітний спосіб захисту внутрішніх поверхонь вакуумної камери і технологічної оснастки від попутного конденсату діамагнітних матеріалів ЇДЕТ. СВ. № 1603823.1990). Він базується на нанесенні на внутрішню поверхню вакуумної камери і технологічної оснастки тонкої магнітної плівки. Однак цей спосіб не ефективний при випаруванні в вакуумних камерах феромагнітних і пар0магнітних матеріалів. В основу винаходу поставлено задачу створення такого ізпосоЬу захисту внутрішніх поверхонь вакуумної камери І II технолог!л^ е ред випаруванням порошок галіта нагрівають на протязі 8-Ю хв. при температурі 4І0-430К для видалення адсорбованої вологи (водяних парів І гідроксильної групи), наявність яких негативно впли-ваЕ на процес відкачки вакуумної камери в процесі випарування галіту. Для випарування порошка галіту розроблений трубчатий випарник (А#с« CgCg №410658). Для надійного захисту чистих поверхонь вакуумної камери І технологічної оснастки від попутнього діамагнітного, феромагнітного або парамагнітного матеріалів необхідно осадити галітову плівку товщиною не менше 3000Я. Якщо захищати внутрішню поверхню І технологічну оснастку вакуумної камери типу УВ - 15 або УВ-І8 плівкою галіту маса галітового порошка повина бути не менше 0,02 кг для одержання суцільної плівки товщиною 3000 А ♦Заряджений трубчатий випарник кріплять до технологічної оснастки вакуумної камери УВ-І5 або УВ-І8 І відкачують вакуумну камеру до розрідження І,3»ю~^Па. Подають^лектрострум на трубчаті випарники І дкоулевим нагрівом випаровують порошок галіту. Швидкість випарування галіту становить ІОО-І50д/с. Згідно циклограми вакуумної камери на трубчаті випарникиродаЕться електрострум біля 80А на протязі І5-20с. По закінчені циклограми випарування галіту автоматичне керування ЗДІЙСНЮ Е напуск атмосферного повітря в вакуумний об*Ем. Трубчатий випарник демонтують а на їх місце кріплять основні рамочні випарники Із яких при розріджені 1,3*10 Па випаровують метая, напівпровідник абі діелектрик на підкладки* Спосіб самоочистки здійснюється наступним чином. Термо динамічний процес конд енсації атомів металі в (напівпровідників) на поверхню галітової плівки на початковій стадії осадження відбувається строго орієнтований епітаксіальний ріст відносно параметрів кристалічної ґратки галітової плівки (а=5,63 А). Початкова стадія орієнтованого (напівпровідника) росту звичайної являє собою атомної моношар структури. металу однорідно деформованого так, що його параметри кристалічної ґратки співпадають з параметрами кристалічної ґратки галітової плівки. Така система має мімімальну енергію. Наступні моношари бупуть деформовані меньшій Е степені. Це приведе до утворення спочатку псевдоаморфної плівки металу (напівпровідника), яка буде представляти певний перехідний шар із спотвореною структурою (дислокації), після якого піде ріст шарів свобідних від деформації, але які продовжують залишатись орієнтованими ЕІДНОСНО ґратки галітоЕоі плівки згідно нерівності. 2 , . 2 °- галіт, ПЛІЕК.-^1 - ** ыетап. ґнапівпро Е.; ППІЕ.' ^ "галіт, ШІІЕК.* Тіетап. фадшпров.) пгав. ~ параметри кристалічної ґратки галітоЕОЇ плівки і металу (напівпровідника); Sc - плоша, яку займає адсорбований атом металу (напівпровідника) на поверхні галітової плівки. Процес самоочистки конденсованої плівки металу (напівпровідника) від галітової плівки відбувається внаслідок значних внутрішніх напруг в шарах конденсованого металл' (напівпровідника) з ростом товщини (зсув вздовж площин щільної упаковки)) наступає коли Ьаетдп(н3іиЕпрсБї>(200-250) ЬгавЯт пп^ де L.^ щ^ - товщина галітової плівки, Ьнетап(яашвправ)~ товщина металічної (напівпровідниїсоЕоп плівки. Наприклад, щоб одержати товщину галітової плівки 3000-5000 А, випаровують порошок галіту масою 0,02-0,04 кг при температурі 812 К при розрідженні в вакуумній камері 1,3*10"ТІа. Час випарування 15-20 с, швидкість випарування 100-150 А/с. Проводять основний технологічний цикл осадження металу (напівпровідника). При самовідслоєнні конденсату металу (напівпровідника) 40-50% галітової плівки повторюють циклосадження галітової плівки і продовжують основний цикл осадження металу ('напівпровідника).