Установка для рентгенофлуоресційного аналізу сипких матеріалів
Номер патенту: 33886
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Кочмола Микола Максимович, Ребенко Іван Максимович, Ребенко Віктор Іванович
Текст
Установка для рентгенофлуоресційного аналізу сипких матеріалів, яка має корпус, рентгенівську 33886 поверхнях корпусу 1 - механізми 14 для включення перемикачів 13. З допомогою перемикачів 13 і механізмів 14 рентгенівська трубка 6 підключається до блоку живлення 8. Працює установка для рентгенофлуоресційного аналізу сипких матеріалів таким чином. Кювети 5 з підготовленими зразками розміщують у заглиблення 4 утримувача 2. Утримувач 2 переміщують в напрямній корпусу 1 і установлюють в одне з фіксованих положень, при якому кювета 5 з пробою потрапляє під детектор 7 і рентгенівську трубку 6. При цьому механізм 14 включає перемикач 13 і на рентгенівську тр убку 6 подається відповідна напруга від джерела живлення 8, в наслідок чого буде збуджува тись рентгенівське випромінювання визначуваного елемента в пробі, але не буде збуджуватись флуоресценція елементів з більшими атомними номерами, ніж у визначуваного елемента. При фіксованому положенні утримувача 2 установлюється також відповідна відстань між детектором 7 і поверхнею аналізуючого зразка, при якій флуоресційне випромінювання від елементів з меншими, ніж у визначуваного, атомними номерами буде значно сильніше поглинатися шаром повітря, що знаходиться між пробою і детектором 7. Таким чином, вилучення характеристичного випромінювання визначуваного елементу з боку високих енергій відбувається з допомогою подачі відповідної напруги на рентгенівську тр убку, а з боку низьких енергій - за допомогою встановлювання відповідної відстані між детектором і поверхнею зразка. Для визначення вмісту іншого елемента в пробі утримувач 2 встановлюють в інше фіксоване положення, при якому відповідним перемикачем 13 за допомогою механізму 14 на рентгенівську трубку 6 від джерела живлення 8 подається інша напруга і при цьому встановлюється інша відстань між поверхнею зразка і детектором. Кожний східець 3 утримувача 2 виготовляють такої висоти, щоб в необхідну кількість разів послабити шаром повітря між зразком і детектором флуоресценцію випромінювання елементів з атомними номерами меншими, ніж у визначуваного елемента. Товщина шару повітря між детектором і поверхнею аналізуючого зразка легко розраховується. Оптимальна напруга живлення рентгенівської трубки для кожного елемента визначається з таблиці порогів збуджування рентгенівської флуоресценції з урахуванням наявності елементів з більшими атомними номерами в аналізуючих зразках. Таким чином, пропонований винахід дозволяє розширити можливості одноканальних бездифракційних рентгенофлуоресційних аналізаторів. Особливо ефективне застосування винаходу, якщо визначувані елементи відрізняються величиною атомного номеру на дві і більше одиниці. Застосування пропонованого винаходу дозволяє зменшити кількість аналізаторів в аналітичних лабораторіях, ліквідувати простої апаратури, яка налаштована на визначення тільки одного елементу і в цілому отримати значний економічний ефект. 2 33886 Фіг. 1 Фіг. 2 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюInstallation for x-ray-fluorescent analysis of bulk materials
Автори англійськоюKochmola Mykola Maksymovych, Rebenko Vktor Ivanovych, Rebenko Ivan Maksymovych
Назва патенту російськоюУстановка для рентгенофлуоресцентного анализа сыпучих материалов
Автори російськоюКочмола Николай Максимович, Ребенко Виктор Иванович, Ребенко Иван Максимович
МПК / Мітки
МПК: G01N 23/22, G01N 33/00
Мітки: матеріалів, аналізу, рентгенофлуоресційного, установка, сипких
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-33886-ustanovka-dlya-rentgenofluorescijjnogo-analizu-sipkikh-materialiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Установка для рентгенофлуоресційного аналізу сипких матеріалів</a>
Попередній патент: Органічне добриво
Наступний патент: Спосіб зменшення імунореактивності алогенного кісткового мозку експериментальних тварин
Випадковий патент: Спосіб запобігання процесу нагромадження інкрустів, накипу на стінках труб, баків та інших конструкцій, що контактують з гарячими електролітами