Пристрій для радіаційного моніторингу навколишнього середовища

Пристрій для радіаційного моніторингу навколишнього середовища, що складається з сенсора g-випромінювання та блока моніторингу (БМ), який 3 34257 снювати одночасний моніторинг потужності та місцезнаходження джерел іонізуючого випромінювання занадто складно і вимагає тривалого часу. В основу корисної моделі поставлено задачу створення пристрою для радіаційного моніторингу навколишнього середовища за допомогою якого можна простіше і більш оперативно контролювати величину і місцезнаходження джерел іонізуючого g-випромінювання. Поставлена задача вирішується завдяки тому, що пристрій для радіаційного моніторингу навколишнього середовища, складається з сенсора gвипромінювання та блоку моніторингу (БМ), який має програмований процесор і блоки зберігання інформації про величину g-випромінювання та сигналізації про перевищення величини gвипромінювання над гранично допустимою, електрично з'єднаних між собою, а сам пристрій додатково має кроковий двигун з блоком управління, вихід якого електрично під'єднаний до входу програмованого процесора і на осі кроковогоо двигуна встановлено сенсор g-випромінювання, додатково захищений свинцевим екраном з отвором, який розміщено напроти сенсора. На Фіг.1 представлено блок-схему запропонованого пристрою, де Д-сенсор g-випромінювання, який розміщений перед отвором 1 всередині свинцевого екрану 2, БМ - блок моніторингу, БУ - блок управління кроковим двигуном. Використання двох таких пристроїв, розміщених на заданій відстані дає змогу визначати також місце знаходження джерела g-випромінювання. На Фіг.2 представлено схему для визначення місця знаходження джерела у-випромінювання, де П 1 - 1-й пристрій, П 2 - другий пристрій, d - відстань між пристроями, a і b - кути, що визначають напрям на джерело gвипромінювання. Для прикладу розглянемо роботу пристрою для радіаційного моніторингу навколишнього середовища, оснащеного дозиметром увипромінювання, виготовленим за допомогою способу [2]. Для виготовлення пристрою для радіаційного моніторингу навколишнього середовища, авторами використані швидкодіючі напівпровідникові сенсори g-випромінювання іонізуючого випромінювання на основі телуриду кадмію, в яких розміри області взаємодії рентгенівського кванту з матеріалом сенсора є досить малими (в усякому випадку не перевищують розміри активної області сенсора 4 із сильним електричним полем), а утворені під час взаємодії нерівноважні носії практично повністю збираються на електродах, причому флуктуації сигналу є мінімальними, що дозволяє досягати високої роздільної здатності по енергії. Конструктивно пристрій виконано таким чином, що напівпровідниковий сенсор g-випромінювання розміщено перед отвором всередині свинцевого екрану, який захищає сенсор від непрямого випромінювання і встановлено на осі крокового двигуна, що може з заданою швидкістю обертатись на 360°. Сигнал від блоку управління кроковим двигуном, який визначає напрям на джерело іонізуючого випромінювання подається на вхід блоку моніторингу. Ви хід сенсора g-випромінювання також електрично під'єднано до програмованого процесора, додатково оснащеного блоками зберігання інформації про величину та напрям на джерело gвипромінювання і сигналізації про перевищення величини g-випромінювання над гранично допустимою. При використанні двох таких пристроїв, розміщених на заданій відстані стає можливим визначати також місцезнаходження джерела gвипромінювання. У цьому випадку сигнали від двох пристроїв опрацьовуються одним програмованим процесором, який по величині кутів і віддалі між пристроями визначає місцезнаходження джерела g-випромінювання. Таким чином запропонований пристрій для радіаційного моніторингу навколишнього середовища дає змогу простіше і більш оперативно автоматично контролювати величину та місцезнаходження джерел іонізуючого gвипромінювання. Література 1. Прилади радіаційного контролю виробництва фірми «СПАРИНГ-ВІСТ ЦЕНТР». Каталог, 2005 рік, м.Львів. 2. Корбутяк Д.В., Бобицький Я.В., Будз уляк С.І., Вахняк Н.Д., Демчина Л.А. Єрмаков В.М., та ін. Спосіб виготовлення детектора g- та Xвипромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe. Деклараційний патент на Корисна модель №46513А, Україна, МПК7 H01L 21/04/(Україна) - №2001075478; Заявл. 31.07.01; Опубл. 15.05.02; Бюл. №5. - 6с. 5 Комп’ютерна в ерстка Л. Купенко 34257 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601