Демчина Любомир Андрійович

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Борук Сергій Дмитрович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Серпак Наталія Федорівна, Оптасюк Сергій Васильович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C30B 29/46, C30B 7/00

Мітки: телуриду, розчинів, нанокристалів, колоїдних, кадмію, спосіб, синтезу, високочистих

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 112507

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Тріщук Любомир Іванович, Борук Сергій Дмитрович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Оптасюк Сергій Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C30B 29/46, C30B 7/08

Мітки: нанокристалів, розчиннику, спосіб, синтезу, телуриду, кадмію, органічно-неорганічному

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсору кадмію - CdI2, прекурсору телуру – H2Te, модифікатора - тіогліколевої кислоти та регулятора кислотності колоїдного розчину NaOH в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв, який відрізняється тим, що синтез здійснюють в колоїдному розчині, який додатково містить метанол при наступному мольному співвідношенні компонентів:метанол - (3,1±0,1)´10-1...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Захарук Зінаїда Іванівна, Колісник Михайло Георгійович, Мисевич Ігор Захарович, Фочук Петро Михайлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Раренко Іларій Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C30B 1/00, C30B 13/02, C30B 13/10 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, cdxmn1-xte, твердих, розчинів, спосіб, cdxzn1-xte

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 110303

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Борук Сергій Дмитрович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C01B 17/20, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: колоїдному, кадмію, монодисперсних, отримання, нанокристалів, розчині, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що отриманий колоїдний розчин нанокристалів додатково розділяють на різні фракції за розмірами нанокристалів шляхом седиментаційного осадження за допомогою додавання до колоїдного розчину...

Номер патенту: 105846

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Єрмаков Валерій Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Капуш Ольга Анатоліївна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Курик Андрій Онуфрійович

МПК: C30B 7/08, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: синтезу, легованих, спосіб, кадмію, нанокристалів, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6•10-2-1,15•10-1 моль/л шляхом взаємодії прекурсорів в реакторі повного змішування напівперіодичної дії впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що нанокристали кадмію телуриду в процесі синтезу додатково легують домішковими атомами рідкоземельних елементів з...

Номер патенту: 103984

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Борук Сергій Дмитрович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00, C01B 19/04 ...

Мітки: виготовлення, нанокристалів, основі, спосіб, телуриду, світловипромінюючого, кадмій, пристрою

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого у видимій спектральній області пристрою, який включає нанесення шару світловипромінюючої речовини в суміші з полімером на ультрафіолетовий світлодіод та подальше висушування, який відрізняється тим, що світловипромінюючою речовиною служить водний розчин стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe з концентрацією (1,1·0,1)10-5 моль/л із 50±1,5 % водним розчином полімеру, причому...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Тріщук Любомир Іванович

МПК: C01B 19/04, C01G 1/02, C01G 11/00 ...

Мітки: напівпровідникових, цинку, металів, пристрій, нанокристалів, телуридів, підгрупи, синтезу

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Номер патенту: 102352

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Морозовська Валентина Йосипівна, Борук Сергій Дмитрович

МПК: C01B 19/04, C01G 11/00, C30B 7/08 ...

Мітки: колоїдного, кадмію, стабілізованих, спосіб, телуриду, синтезу, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л що включає взаємодію прекурсорів в періодичному реакторі повного змішування впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють трансфер отриманих у водному середовищі нанокристалів CdTe в диметилформамід шляхом прикапування...

Номер патенту: 99205

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Зинюк Олександр Васильович

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: отримання, кадмій, телуриду, нанокристалів, люмінесцентних, наногетерогенних, структур, основі, спосіб, твердотільних, плівкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду (CdTe), який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії відповідних прекурсорів в деіонізованій воді в реакторі періодичної дії, змішування отриманого розчину нанокристалів CdTe із водним розчином полімеру, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на...

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C30B 28/00, C01B 19/00, C01G 11/00 ...

Мітки: кадмію, нанокристалів, синтезу, розчині, спосіб, телуриду, стабілізованих, колоїдному

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Номер патенту: 88968

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Мазарчук Ірина Опанасівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01B 17/20, C01G 11/00, C01B 19/00 ...

Мітки: спосіб, телуриду, матриці, кадмій, синтезу, вібраційностійких, твердотільний, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці, який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії прекурсорів в деіонізованій воді, полімеризацію матриці із синхронним інкорпоруванням в матрицю утворених нанокристалів, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на підкладку та висушування утвореної плівки за відсутності освітлення, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 86545

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Курик Андрій Онуфрійович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Тріщук Любомир Іванович, Будзуляк Сергій Іванович, Калитчук Сергій Михайлович

МПК: C01G 11/00, C03B 7/00

Мітки: спосіб, синтезу, колоїдному, розчині, телуриду, кадмію, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л і водного розчину підсилювача дії модифікатора, який відрізняється тим, що як підсилювач дії модифікатора використовують розчин гліцерину з концентрацією 9-11 %.

Номер патенту: 76097

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович, Лоцько Олександр Павлович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/04

Мітки: зразків, легованого, виготовлення, контактів, спосіб, високоомних, омічних, хлором, p-cdte, монокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.

Номер патенту: 72767

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Калитчук Сергій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: спосіб, стабілізованих, синтезу, нанокристалів, кадмій, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмій телуриду, що здійснюють в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що колоїдний розчин додатково містить етиленгліколь з концентрацією 9-11 %, як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Калитчук Сергій Михайлович, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Стратійчук Ірина Борисівна, Сосницька Ольга Олександрівна, Кравцова Анна Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: формування, цинк, селеніду, полірованої, кристалів, поверхні, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 64429

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Лоцько Олександр Павлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Комарь Віталій Корнійович, Демчина Любомир Андрійович, Дубина Наталія Георгіївна, Стратійчук Ірина Борисівна, Гнатів Іван Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/00

Мітки: g-та, xte-детектора, cd1-xzn, х-випромінювання, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Щербак Лариса Павлівна, Калитчук Сергій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Халавка Юрій Богданович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 51/00, H01L 21/04, H01L 33/00 ...

Мітки: кадмію, телуриду, точок, основі, квантових, оптрон

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Номер патенту: 54886

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Лоцько Олександр Павлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/04, G01T 3/00, G01T 1/20 ...

Мітки: сцинтиляційний, х-випромінювання, детектор

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний детектор γ- та Х-випромінювання, що включає чутливий до γ- та Х-випромінювання сцинтилятор та напівпровідниковий фотоприймач з відповідною чутливістю до діапазону світіння сцинтилятора, який відрізняється тим, що фотоприймачем служить гетерофотоелемент, який виготовлений на основі шаруватих монокристалічних напівпровідників n-InSe та p-GaSe.

Номер патенту: 54854

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Калитчук Сергій Михайлович, Щербак Лариса Павлівна, Халавка Юрій Богданович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00, C01B 17/20 ...

Мітки: заданого, спосіб, телуриду, розміру, синтезу, нанокристалів, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів телуриду кадмію заданого розміру в колоїдному розчині вихідних реактивів в деіонізованій воді, що містять телур і кадмій, який відрізняється тим, що синтез проводять при рН= 12,0-12,3 в інертній атмосфері при кімнатних температурах тривалістю 1-6 хвилин, як джерела кадмію використовують Cd(C104)2.6H2O, джерела телуру - телуроводень Н2Те, а колоїдний розчин додатково містить пасиватори -тіогліколеву кислоту (TGA)...

Номер патенту: 47578

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Редько Роман Анатолійович, Лоцько Олександр Павлович, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/04

Мітки: детектора, х-випромінювання, спосіб, телурид-кадмієвого, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...

Номер патенту: 42339

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Щербак Лариса Павлівна, Купчак Ігор Мирославович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Калитчук Сергій Михайлович

МПК: H01L 51/50, H01L 33/00, H05B 33/22 ...

Мітки: світловипромінюючий, точок, телуриду, кадмію, основі, пристрій, квантових

Формула / Реферат:

Світловипромінюючий пристрій на основі квантових точок телуриду кадмію, що виконаний у вигляді одно- або багатошарової полімерної матриці з квантовими точками, який відрізняється тим, що квантові точки виготовлені з нанокристалів телуриду кадмію, а плівка полімерної матриці виготовлена з неспряженого поліелектроліту полідіаладіамінамодіум хлорид.

Номер патенту: 40276

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Пігур Ольга Миколаївна, Лоцько Олександр Павлович, Цюцюра Дмитро Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Попович Володимир Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович, Британ Віктор Богданович

МПК: C30B 23/00, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, вирощування, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та CdZnTe, що включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів і формування монокристала з подрібненої шихти шляхом нагрівання кварцевої ампули з шихтою в вертикальній двозонній печі, який відрізняється тим, що синтез і формування монокристала проводять в атмосфері водню, нагрівання кварцевої ампули з шихтою і формування монокристала проводять в першій зоні печі при температурі Т1 = 900-1050 °С,...

Номер патенту: 34257

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Івоняк Юрій Ігорович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: G01T 1/00

Мітки: моніторингу, середовища, навколишнього, радіаційного, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для радіаційного моніторингу навколишнього середовища, що складається з сенсора g-випромінювання та блока моніторингу (БМ), який має програмований процесор і блоки зберігання інформації про величину g-випромінювання та сигналізації про перевищення величини g-випромінювання над гранично допустимою, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що пристрій додатково має кроковий двигун з блоком керування, вихід якого...

Номер патенту: 31101

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Івоняк Юрій Ігорович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: G01L 9/00

Мітки: пристрій, тиску, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю тиску, що складається з напівпровідникових сенсорів тиску з частотним виходом, вузла передачі тиску на сенсори і дистанційного блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідникові сенсори тиску виготовлені на основі структури мікросхеми з входом на МОН-транзисторах.

Номер патенту: 81477

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: G01K 7/00, G01K 15/00

Мітки: температури, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю температури, що складається з джерела живлення, напівпровідникового сенсора температури з частотним виходом і блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідниковий сенсор температури виготовлений щонайменше з чотирьох логічних елементів цифрової мікросхеми, кожен з яких має на вході два польових транзистори, причому вихід передостаннього логічного елемента...

Номер патенту: 16627

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Коломоєць Володимир Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: A61B 6/00, G03B 42/02, A61B 6/02 ...

Мітки: проведення, комп'ютерного, рентгенівського, пристрій, обстеження

Формула / Реферат:

Пристрій для проведення рентгенівського комп’ютерного обстеження, що включає рентгенівську трубку, персональний комп’ютер, чутливий елемент для отримання зображення і сенсорну систему для введення зображення в персональний комп’ютер,  який відрізняється тим, що чутливим елементом для отримання зображення є широкоформатна фотопластина або фотоплівка, а для введення зображення в персональний комп’ютер використовується сканер.

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Крилюк Сергій Георгійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Бобицький Ярослав Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Крюченко Юрій Володимирович

МПК: H01L 21/04

Мітки: х-випромінювання, виготовлення, детектора, спосіб, сdte, основі, cdznte, високоомних, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Номер патенту: 31782

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Венгер Євген Федорович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Доценко Юрій Павлович, Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: G01L 1/06, G01L 3/00

Мітки: спосіб, визначення, багатодолинних, залишкових, напружень, механічних, напівпровідникових, кристалах

Текст:

...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Коломоєць Володимир Васильович, Вознюк Євгеній Федорович, Бобицький Ярослав Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04

Мітки: виготовлення, напівпровідника, спосіб, гетеропереходу, шаруватого, основі

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...