Єрмаков Валерій Миколайович

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Оптасюк Сергій Васильович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Зінаїда Федорівна, Серпак Наталія Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C30B 29/46, C30B 7/00

Мітки: спосіб, синтезу, нанокристалів, розчинів, високочистих, кадмію, колоїдних, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 112507

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Курик Андрій Онуфрійович, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Оптасюк Сергій Васильович

МПК: C30B 7/08, C30B 29/46

Мітки: синтезу, розчиннику, кадмію, органічно-неорганічному, спосіб, телуриду, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсору кадмію - CdI2, прекурсору телуру – H2Te, модифікатора - тіогліколевої кислоти та регулятора кислотності колоїдного розчину NaOH в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв, який відрізняється тим, що синтез здійснюють в колоїдному розчині, який додатково містить метанол при наступному мольному співвідношенні компонентів:метанол - (3,1±0,1)´10-1...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Захарук Зінаїда Іванівна, Мисевич Ігор Захарович, Дремлюженко Сергій Григорович, Фочук Петро Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Вахняк Надія Дмитрівна, Колісник Михайло Георгійович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: C30B 13/02, C30B 13/10, C30B 1/00 ...

Мітки: спосіб, розчинів, монокристалів, cdxmn1-xte, твердих, cdxzn1-xte, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 110303

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Борук Сергій Дмитрович

МПК: C01B 19/04, C01B 17/20, C01G 11/00 ...

Мітки: розчині, отримання, монодисперсних, колоїдному, нанокристалів, спосіб, кадмію, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що отриманий колоїдний розчин нанокристалів додатково розділяють на різні фракції за розмірами нанокристалів шляхом седиментаційного осадження за допомогою додавання до колоїдного розчину...

Номер патенту: 105846

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Курик Андрій Онуфрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: C01B 19/04, C01G 11/00, C30B 7/08 ...

Мітки: спосіб, телуриду, синтезу, легованих, нанокристалів, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6•10-2-1,15•10-1 моль/л шляхом взаємодії прекурсорів в реакторі повного змішування напівперіодичної дії впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що нанокристали кадмію телуриду в процесі синтезу додатково легують домішковими атомами рідкоземельних елементів з...

Номер патенту: 103984

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Сергій Дмитрович, Єрмаков Валерій Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович

МПК: C01B 19/04, C30B 7/00, C01G 11/00 ...

Мітки: основі, кадмій, нанокристалів, спосіб, телуриду, пристрою, виготовлення, світловипромінюючого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого у видимій спектральній області пристрою, який включає нанесення шару світловипромінюючої речовини в суміші з полімером на ультрафіолетовий світлодіод та подальше висушування, який відрізняється тим, що світловипромінюючою речовиною служить водний розчин стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe з концентрацією (1,1·0,1)10-5 моль/л із 50±1,5 % водним розчином полімеру, причому...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Демчина Любомир Андрійович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Василь Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Будзуляк Сергій Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C01G 1/02, C01G 11/00, C01B 19/04 ...

Мітки: нанокристалів, напівпровідникових, цинку, пристрій, підгрупи, телуридів, металів, синтезу

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Номер патенту: 102352

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Морозовська Валентина Йосипівна, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Борук Сергій Дмитрович, Єрмаков Валерій Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Мазарчук Ірина Опанасівна

МПК: C30B 7/08, C01G 11/00, C01B 19/04 ...

Мітки: телуриду, стабілізованих, спосіб, синтезу, кадмію, колоїдного, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л що включає взаємодію прекурсорів в періодичному реакторі повного змішування впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють трансфер отриманих у водному середовищі нанокристалів CdTe в диметилформамід шляхом прикапування...

Номер патенту: 99205

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Єрмаков Валерій Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Зинюк Олександр Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: кадмій, плівкових, нанокристалів, наногетерогенних, основі, отримання, люмінесцентних, структур, твердотільних, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду (CdTe), який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії відповідних прекурсорів в деіонізованій воді в реакторі періодичної дії, змішування отриманого розчину нанокристалів CdTe із водним розчином полімеру, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Щербак Лариса Павлівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Халавка Юрій Богданович, Калитчук Сергій Михайлович

МПК: H01L 51/00, H01L 33/00, H01L 21/04 ...

Мітки: основі, кадмію, телуриду, оптрон, точок, квантових

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Номер патенту: 54886

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Лоцько Олександр Павлович, Єрмаков Валерій Миколайович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: G01T 3/00, G01T 1/20, H01L 21/04 ...

Мітки: детектор, х-випромінювання, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний детектор γ- та Х-випромінювання, що включає чутливий до γ- та Х-випромінювання сцинтилятор та напівпровідниковий фотоприймач з відповідною чутливістю до діапазону світіння сцинтилятора, який відрізняється тим, що фотоприймачем служить гетерофотоелемент, який виготовлений на основі шаруватих монокристалічних напівпровідників n-InSe та p-GaSe.

Номер патенту: 47578

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Редько Роман Анатолійович, Лоцько Олександр Павлович, Конакова Раїса Василівна, Демчина Любомир Андрійович, Мілєнін Віктор Володимирович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 21/04

Мітки: виготовлення, х-випромінювання, спосіб, телурид-кадмієвого, детектора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...

Номер патенту: 36772

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Громова Галина Володимирівна, Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Горін Андрій Євгенович

МПК: H01L 29/00

Мітки: р-мон-транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, що складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвора, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.2. р-МОН-транзистор за п. 1, який...

Номер патенту: 34257

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Івоняк Юрій Ігорович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: G01T 1/00

Мітки: радіаційного, пристрій, середовища, моніторингу, навколишнього

Формула / Реферат:

Пристрій для радіаційного моніторингу навколишнього середовища, що складається з сенсора g-випромінювання та блока моніторингу (БМ), який має програмований процесор і блоки зберігання інформації про величину g-випромінювання та сигналізації про перевищення величини g-випромінювання над гранично допустимою, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що пристрій додатково має кроковий двигун з блоком керування, вихід якого...

Номер патенту: 31101

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Івоняк Юрій Ігорович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: G01L 9/00

Мітки: контролю, тиску, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю тиску, що складається з напівпровідникових сенсорів тиску з частотним виходом, вузла передачі тиску на сенсори і дистанційного блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідникові сенсори тиску виготовлені на основі структури мікросхеми з входом на МОН-транзисторах.

Номер патенту: 81477

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Коломоєць Володимир Васильович, Калитчук Сергій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: G01K 15/00, G01K 7/00

Мітки: контролю, пристрій, температури

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю температури, що складається з джерела живлення, напівпровідникового сенсора температури з частотним виходом і блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідниковий сенсор температури виготовлений щонайменше з чотирьох логічних елементів цифрової мікросхеми, кожен з яких має на вході два польових транзистори, причому вихід передостаннього логічного елемента...

Номер патенту: 23720

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Громова Галина Володимирівна, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Горін Андрій Євгенович

МПК: H01L 35/00, H01L 35/28

Мітки: термоелемента, чутливий, елемент

Формула / Реферат:

Чутливий елемент для термоелемента, що містить електрично зв'язані між собою та розташовані поперемінно напівпровідникові пластини із монокристалічного кремнію n-типу і монокристалічного напівпровідника р-типу з концентрацією носіїв струму 2-5 1018 см-3 і розділені шарами теплоізоляції з діелектрика, який відрізняється тим, що як напівпровідник р-типу використано пластини кремнію, орієнтовані в кристалографічному напрямку [100], крім того з...

Номер патенту: 16473

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович, Громова Галина Володимирівна, Горін Андрій Євгенович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 29/772, H01L 29/72

Мітки: p-мон, транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, який складається з монокристалічної напівпровідникової підкладнки п-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки S1-xGex, плівки діелектрика і металічного затвору, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку [110].2. р-МОН-транзистор за п. 1,...

Номер патенту: 16627

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: A61B 6/02, G03B 42/02, A61B 6/00 ...

Мітки: проведення, комп'ютерного, пристрій, рентгенівського, обстеження

Формула / Реферат:

Пристрій для проведення рентгенівського комп’ютерного обстеження, що включає рентгенівську трубку, персональний комп’ютер, чутливий елемент для отримання зображення і сенсорну систему для введення зображення в персональний комп’ютер,  який відрізняється тим, що чутливим елементом для отримання зображення є широкоформатна фотопластина або фотоплівка, а для введення зображення в персональний комп’ютер використовується сканер.

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Крилюк Сергій Георгійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Крюченко Юрій Володимирович, Єрмаков Валерій Миколайович, Бобицький Ярослав Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/04

Мітки: х-випромінювання, напівпровідників, основі, виготовлення, cdznte, спосіб, детектора, високоомних, сdte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Номер патенту: 31782

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Венгер Євген Федорович, Коломоєць Володимир Васильович, Доценко Юрій Павлович

МПК: G01L 3/00, G01L 1/06

Мітки: напівпровідникових, кристалах, спосіб, визначення, багатодолинних, механічних, напружень, залишкових

Текст:

...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Литовченко Володимир Григорович, Демчина Любомир Андрійович, Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Вознюк Євгеній Федорович, Бобицький Ярослав Васильович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00

Мітки: гетеропереходу, напівпровідника, шаруватого, спосіб, основі, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...