Корбутяк Дмитро Васильович

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Оптасюк Сергій Васильович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Сергій Дмитрович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Серпак Наталія Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 29/46, C30B 7/00

Мітки: кадмію, телуриду, колоїдних, високочистих, нанокристалів, синтезу, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 112507

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Тріщук Любомир Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Курик Андрій Онуфрійович, Демчина Любомир Андрійович, Борук Сергій Дмитрович, Будзуляк Сергій Іванович, Оптасюк Сергій Васильович

МПК: C30B 29/46, C30B 7/08

Мітки: кадмію, синтезу, розчиннику, нанокристалів, спосіб, органічно-неорганічному, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсору кадмію - CdI2, прекурсору телуру – H2Te, модифікатора - тіогліколевої кислоти та регулятора кислотності колоїдного розчину NaOH в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв, який відрізняється тим, що синтез здійснюють в колоїдному розчині, який додатково містить метанол при наступному мольному співвідношенні компонентів:метанол - (3,1±0,1)´10-1...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Колісник Михайло Георгійович, Будзуляк Сергій Іванович, Вахняк Надія Дмитрівна, Дремлюженко Сергій Григорович, Раренко Іларій Михайлович, Фочук Петро Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Мисевич Ігор Захарович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C30B 13/02, C30B 1/00, C30B 13/10 ...

Мітки: твердих, cdxmn1-xte, розчинів, спосіб, монокристалів, cdxzn1-xte, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 110303

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Мазарчук Ірина Опанасівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Борук Сергій Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01B 19/04, C01B 17/20, C01G 11/00 ...

Мітки: телуриду, кадмію, нанокристалів, розчині, спосіб, колоїдному, монодисперсних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що отриманий колоїдний розчин нанокристалів додатково розділяють на різні фракції за розмірами нанокристалів шляхом седиментаційного осадження за допомогою додавання до колоїдного розчину...

Номер патенту: 105846

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Тріщук Любомир Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Сергій Дмитрович

МПК: C01B 19/04, C01G 11/00, C30B 7/08 ...

Мітки: легованих, кадмію, телуриду, нанокристалів, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6•10-2-1,15•10-1 моль/л шляхом взаємодії прекурсорів в реакторі повного змішування напівперіодичної дії впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що нанокристали кадмію телуриду в процесі синтезу додатково легують домішковими атомами рідкоземельних елементів з...

Номер патенту: 103984

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Томашик Василь Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Єрмаков Валерій Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01B 19/04, C30B 7/00, C01G 11/00 ...

Мітки: основі, світловипромінюючого, нанокристалів, виготовлення, пристрою, телуриду, спосіб, кадмій

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого у видимій спектральній області пристрою, який включає нанесення шару світловипромінюючої речовини в суміші з полімером на ультрафіолетовий світлодіод та подальше висушування, який відрізняється тим, що світловипромінюючою речовиною служить водний розчин стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe з концентрацією (1,1·0,1)10-5 моль/л із 50±1,5 % водним розчином полімеру, причому...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Курик Андрій Онуфрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Борук Сергій Дмитрович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01B 19/04, C01G 1/02, C01G 11/00 ...

Мітки: металів, цинку, нанокристалів, пристрій, напівпровідникових, телуридів, синтезу, підгрупи

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Номер патенту: 102352

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Курик Андрій Онуфрійович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Борук Сергій Дмитрович, Морозовська Валентина Йосипівна, Мазарчук Ірина Опанасівна, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C01B 19/04, C30B 7/08, C01G 11/00 ...

Мітки: синтезу, кадмію, колоїдного, телуриду, нанокристалів, спосіб, стабілізованих

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л що включає взаємодію прекурсорів в періодичному реакторі повного змішування впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють трансфер отриманих у водному середовищі нанокристалів CdTe в диметилформамід шляхом прикапування...

Номер патенту: 99205

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Зинюк Олександр Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: спосіб, нанокристалів, структур, наногетерогенних, люмінесцентних, твердотільних, телуриду, кадмій, основі, отримання, плівкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наногетерогенних твердотільних люмінесцентних плівкових структур на основі нанокристалів кадмій телуриду (CdTe), який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії відповідних прекурсорів в деіонізованій воді в реакторі періодичної дії, змішування отриманого розчину нанокристалів CdTe із водним розчином полімеру, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на...

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00, C30B 28/00 ...

Мітки: колоїдному, синтезу, стабілізованих, телуриду, нанокристалів, розчині, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Номер патенту: 88968

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Курик Андрій Онуфрійович

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00, C01B 17/20 ...

Мітки: синтезу, спосіб, твердотільний, вібраційностійких, телуриду, кадмій, нанокристалів, матриці

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці, який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії прекурсорів в деіонізованій воді, полімеризацію матриці із синхронним інкорпоруванням в матрицю утворених нанокристалів, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на підкладку та висушування утвореної плівки за відсутності освітлення, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 86545

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Калитчук Сергій Михайлович, Курик Андрій Онуфрійович, Тріщук Любомир Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01G 11/00, C03B 7/00

Мітки: кадмію, спосіб, розчині, колоїдному, телуриду, синтезу, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л і водного розчину підсилювача дії модифікатора, який відрізняється тим, що як підсилювач дії модифікатора використовують розчин гліцерину з концентрацією 9-11 %.

Номер патенту: 76097

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Ворощенко Андрій Тарасович, Лоцько Олександр Павлович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/04

Мітки: спосіб, хлором, монокристалічних, зразків, виготовлення, контактів, високоомних, p-cdte, легованого, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.

Номер патенту: 72767

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Калитчук Сергій Михайлович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00

Мітки: синтезу, телуриду, стабілізованих, кадмій, спосіб, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу стабілізованих нанокристалів кадмій телуриду, що здійснюють в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що колоїдний розчин додатково містить етиленгліколь з концентрацією 9-11 %, як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6·10-2-1,15·10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Стратійчук Ірина Борисівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Галкін Сергій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Сосницька Ольга Олександрівна, Кравцова Анна Сергіївна, Калитчук Сергій Михайлович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: формування, полірованої, селеніду, кристалів, цинк, спосіб, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 64429

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Стратійчук Ірина Борисівна, Гнатів Іван Іванович, Вахняк Надія Дмитрівна, Дубина Наталія Георгіївна, Лоцько Олександр Павлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: g-та, виготовлення, xte-детектора, cd1-xzn, х-випромінювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Щербак Лариса Павлівна, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Халавка Юрій Богданович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/04, H01L 51/00 ...

Мітки: кадмію, телуриду, основі, квантових, точок, оптрон

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Номер патенту: 54886

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Лоцько Олександр Павлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: G01T 1/20, H01L 21/04, G01T 3/00 ...

Мітки: х-випромінювання, детектор, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний детектор γ- та Х-випромінювання, що включає чутливий до γ- та Х-випромінювання сцинтилятор та напівпровідниковий фотоприймач з відповідною чутливістю до діапазону світіння сцинтилятора, який відрізняється тим, що фотоприймачем служить гетерофотоелемент, який виготовлений на основі шаруватих монокристалічних напівпровідників n-InSe та p-GaSe.

Номер патенту: 54854

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Халавка Юрій Богданович, Демчина Любомир Андрійович, Калитчук Сергій Михайлович, Щербак Лариса Павлівна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 7/00, C01G 11/00, C01B 17/20 ...

Мітки: заданого, телуриду, розміру, синтезу, кадмію, спосіб, нанокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів телуриду кадмію заданого розміру в колоїдному розчині вихідних реактивів в деіонізованій воді, що містять телур і кадмій, який відрізняється тим, що синтез проводять при рН= 12,0-12,3 в інертній атмосфері при кімнатних температурах тривалістю 1-6 хвилин, як джерела кадмію використовують Cd(C104)2.6H2O, джерела телуру - телуроводень Н2Те, а колоїдний розчин додатково містить пасиватори -тіогліколеву кислоту (TGA)...

Номер патенту: 47578

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Конакова Раїса Василівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Лоцько Олександр Павлович, Редько Роман Анатолійович, Демчина Любомир Андрійович, Мілєнін Віктор Володимирович

МПК: H01L 21/04

Мітки: виготовлення, детектора, спосіб, х-випромінювання, телурид-кадмієвого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...

Номер патенту: 42339

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Купчак Ігор Мирославович, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Щербак Лариса Павлівна

МПК: H01L 51/50, H01L 33/00, H05B 33/22 ...

Мітки: основі, світловипромінюючий, пристрій, квантових, телуриду, точок, кадмію

Формула / Реферат:

Світловипромінюючий пристрій на основі квантових точок телуриду кадмію, що виконаний у вигляді одно- або багатошарової полімерної матриці з квантовими точками, який відрізняється тим, що квантові точки виготовлені з нанокристалів телуриду кадмію, а плівка полімерної матриці виготовлена з неспряженого поліелектроліту полідіаладіамінамодіум хлорид.

Номер патенту: 40276

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Британ Віктор Богданович, Корбутяк Дмитро Васильович, Пігур Ольга Миколаївна, Попович Володимир Дмитрович, Цюцюра Дмитро Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Лоцько Олександр Павлович

МПК: C30B 23/00, C30B 11/00

Мітки: вирощування, монокристалів, cdznte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та CdZnTe, що включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів і формування монокристала з подрібненої шихти шляхом нагрівання кварцевої ампули з шихтою в вертикальній двозонній печі, який відрізняється тим, що синтез і формування монокристала проводять в атмосфері водню, нагрівання кварцевої ампули з шихтою і формування монокристала проводять в першій зоні печі при температурі Т1 = 900-1050 °С,...

Номер патенту: 34257

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Івоняк Юрій Ігорович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: G01T 1/00

Мітки: середовища, радіаційного, моніторингу, навколишнього, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для радіаційного моніторингу навколишнього середовища, що складається з сенсора g-випромінювання та блока моніторингу (БМ), який має програмований процесор і блоки зберігання інформації про величину g-випромінювання та сигналізації про перевищення величини g-випромінювання над гранично допустимою, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що пристрій додатково має кроковий двигун з блоком керування, вихід якого...

Номер патенту: 31101

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович, Івоняк Юрій Ігорович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: G01L 9/00

Мітки: тиску, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю тиску, що складається з напівпровідникових сенсорів тиску з частотним виходом, вузла передачі тиску на сенсори і дистанційного блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідникові сенсори тиску виготовлені на основі структури мікросхеми з входом на МОН-транзисторах.

Номер патенту: 81477

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Коломоєць Володимир Васильович, Калитчук Сергій Михайлович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: G01K 7/00, G01K 15/00

Мітки: температури, контролю, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю температури, що складається з джерела живлення, напівпровідникового сенсора температури з частотним виходом і блока індикації та керування, електрично з'єднаних між собою, який відрізняється тим, що напівпровідниковий сенсор температури виготовлений щонайменше з чотирьох логічних елементів цифрової мікросхеми, кожен з яких має на вході два польових транзистори, причому вихід передостаннього логічного елемента...

Номер патенту: 16627

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Коломоєць Володимир Васильович

МПК: A61B 6/00, A61B 6/02, G03B 42/02 ...

Мітки: пристрій, обстеження, проведення, рентгенівського, комп'ютерного

Формула / Реферат:

Пристрій для проведення рентгенівського комп’ютерного обстеження, що включає рентгенівську трубку, персональний комп’ютер, чутливий елемент для отримання зображення і сенсорну систему для введення зображення в персональний комп’ютер,  який відрізняється тим, що чутливим елементом для отримання зображення є широкоформатна фотопластина або фотоплівка, а для введення зображення в персональний комп’ютер використовується сканер.

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Крилюк Сергій Георгійович, Крюченко Юрій Володимирович, Бобицький Ярослав Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: H01L 21/04

Мітки: детектора, х-випромінювання, високоомних, cdznte, виготовлення, основі, спосіб, напівпровідників, сdte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Вознюк Євгеній Федорович, Литовченко Володимир Григорович, Бобицький Ярослав Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Коломоєць Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04

Мітки: напівпровідника, шаруватого, основі, виготовлення, спосіб, гетеропереходу

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...