Спосіб газотермічного нанесення покриття

Спосіб газотермічного нанесення покриття, який включає очистку поверхні підкладки, активацію та нанесення газотермічного покриття, який відрізняє ться тим, що нанесення покриття виконують одночасно з іонною активацією поверхні та розпилюванням поверхневих оксидів при атмосферному тиску за допомогою додаткового дугового розряду зворотної полярності, причому струм додаткової дуги складає 25-30 А. (19) (21) u200808642 (22) 01.07.2008 (24) 10.11.2008 (46) 10.11.2008, Бюл.№ 21, 2008 р. (72) ЄРШОВ АНАТОЛІЙ ВАСИЛЬОВИЧ, UA, СИТНИКОВ МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ, UA, БИКОВСЬКИЙ ОЛЕГ ГРИГОРОВИЧ, UA (73) ЗАПОРІЗЬКИЙ НАЦІОН АЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ, UA 3 37048 4 витрат по створення шорсткості на поверхні підПроцеси катодного розпилювання оксидів, акложці перед напиленням, мінімальне окислення тивація підложки і напилення покриття відбувалиповерхні в атмосферних умовах досягається при ся при струмі додаткової дуги 25-30А, що на відміодночасному поєднанні очищення підложки з нану від процесу наплавлення не приводило до пиленням. перегріву та оплавлення поверхні деталі. Це забезпечує усій заявленій сукупності ознак Для іонного розпилення прошарку оксидів бувідповідність критерію "новизна" та приводить до ли розраховані режими напилення у залежності нових те хнічних результатів. від густини іонного струму та швидкості підложки. Виходячи з вищевикладеного можна зробити Визначено, що іонний струм додаткової дуги привисновок, що запропоноване технічне рішення близно дорівнює струму розряда, оскільки шляхом задовольняє критерію "винахідницький рівень". оцінок показано, що інші складові струму (стр ум Ідея корисної моделі пояснюється на Фіг.1, де термоемісії частинок покриття які ще не охолонули зображено схему установки для газотермічного на підложці та струм зворотніх електронів плазми) напилення з використанням іонної активації поведодають лише 5% струму розряду та компенсують рхні. Установка складається з плазмотрона з катоодна одну. Основні параметри процесу напилення: дом -1 та анодом - соплом - 2, дроту - 3, що розсила струму основної дуги, А 180-200 пилюється та утворює покриття - 4 на підложці - 5. сила струму додаткової дуги, А 25-30 На Фіг.2, 3 показано мікрошлифи зони контакту напруга основної дуги, В 75-80 між покриттям та під-ложкою, які отримані при виокружна швидкість деталі 0,2м/с користанні традиційній технології Фіг.2 та при виПри використанні іонно - дугової активації підкористанні іонно - дугової активації поверхні Фіг.3). ложки на мікрошліфах покриттів відсутній прошаДослідження мікрошліфів покриттів, які нанесені рок оксидів навіть при збільшенні зображення у без використання іонно - дугової активації поверх300 разів, рис.3). При цьому міцність зчеплення ні, показало наявність прошарку оксидів товщиною збільшується у 2 рази для покриттів з дроту Нп 5.10-6м між покриттям та підложкою, яка обмежує 65Г та СВ08Х19Н9Т на сталевих та чавунних підміцність зчеплення на рівні 26МПа. ложках. Розроблений спосіб підвищення міцності Приклад виконання способу, який заявляєтьзчеплення газотермічного покриття з підложкою не ся. потребує створення шорсткості на підложці шляМіж ізольованою проволокою - анодом - 3 та хом дробострумінної або абразивнострумінної підложкою - 5 підключається додаткове джерело обробки. При цьому скорочуються витрати на підструму напругою – Uдд. яке під час нанесення поготовку поверхні перед напиленням. криття порушує додаткову дугу між дротом - аноВиходячи з вищевикладеного можна зробити дом що розпилюється - 3 та підложкою - 5. При висновок, що технічне рішення, яке заявляється, цьому відбувається іонне бомбардування підложки задовольняє критерію "Промислове застосування". внаслідок чого її поверхня очищується від оксидів 1. Джерела інформації: Корж В.М. Нанесення та активується у процесі нанесення покриття. покриття [Текст]// В.М Корж, В.Д. Кузнецов, Ю.С. Борисов, К.А. Ющенко. – К.: Аристей, 2005. - 204с. 5 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 37048 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601